на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 485.34 грн |
| 10+ | 477.65 грн |
| 50+ | 331.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP34N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP34N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP34N65X2 Код товару: 180236 |
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
 |
IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
| IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||
 |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns |
товар відсутній |