Продукція > IXYS > IXGH40N120C3D1
IXGH40N120C3D1

IXGH40N120C3D1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh40n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 75A 380W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+918.49 грн
30+ 715.68 грн
120+ 673.59 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH40N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 75A 380W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXGH40N120C3D1 за ціною від 595.42 грн до 997.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120C3D1 - IGBT, 75 A, 4.4 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+923.75 грн
5+ 836.02 грн
10+ 747.56 грн
50+ 673.62 грн
100+ 602.85 грн
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 Виробник : IXYS media-3320514.pdf IGBT Transistors 75Amps 1200V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+997.51 грн
10+ 866.87 грн
30+ 692.68 грн
60+ 691.37 грн
120+ 650.62 грн
510+ 595.42 грн
IXGH40N120C3D1
Код товару: 182236
littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh40n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh40n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 Виробник : IXYS IXGH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 Виробник : IXYS IXGH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 475ns
товар відсутній