на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1818.43 грн |
10+ | 1592.96 грн |
30+ | 1275.02 грн |
60+ | 1247.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKR40N60C IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXKR40N60C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXKR40N60C Код товару: 178634 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
IXKR40N60C | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
||
IXKR40N60C | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
||
IXKR40N60C | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 280W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos Reverse recovery time: 650ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
IXKR40N60C | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V |
товар відсутній |
||
IXKR40N60C | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 280W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos Reverse recovery time: 650ns |
товар відсутній |