IXTA26P20P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 430.15 грн |
| 3+ | 286.87 грн |
| 8+ | 271.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA26P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 26, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PolarP, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 295.17 грн до 516.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTA26P20P Код товару: 162385 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
товар відсутній |