IXTP140P05T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 494.61 грн |
| 50+ | 380.27 грн |
| 100+ | 340.23 грн |
| 500+ | 281.73 грн |
| 1000+ | 253.56 грн |
| 2000+ | 237.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP140P05T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.
Інші пропозиції IXTP140P05T за ціною від 297.75 грн до 537.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds |
на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP140P05T Код товару: 124450 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns |
товар відсутній |