MJE15035

Виробник:

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Відгуки про товар

Технічний опис MJE15035

Description: TRANS PNP 350V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції MJE15035

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
MJE15035 Код товару: 67258	Виробник : ON	Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uке, В: 350 V Uкб, В: 350 V Iк, А: 4 A	товар відсутній
MJE15035	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товар відсутній
MJE15035	Виробник : onsemi	Description: TRANS PNP 350V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W	товар відсутній
MJE15035	Виробник : onsemi	Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP	товар відсутній