Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5401LT1G
MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G ON Semiconductor

mmbt5401lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5401LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 300 mW.

Можливі заміни MMBT5401LT1G ON Semiconductor

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5401 MMBT5401
Код товару: 160586 		Виробник : Yangjie mmbt5401-sot23-datasheet.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
у наявності: 807 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4

Інші пропозиції MMBT5401LT1G за ціною від 1.14 грн до 15.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.31 грн
450+ 1.76 грн
1250+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 150
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4066+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4066
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.88 грн
450+ 2.11 грн
1250+ 1.99 грн
3000+ 1.96 грн
12000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+12.58 грн
66+ 8.79 грн
127+ 4.57 грн
215+ 2.59 грн
250+ 2.37 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 46
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : onsemi MMBT5401LT1_D-2316019.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
на замовлення 146905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+14.95 грн
30+ 10.35 грн
100+ 3.94 грн
1000+ 2.69 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 1.91 грн
30000+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+15.26 грн
76+ 9.81 грн
157+ 4.72 грн
500+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 49
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5401LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 400
MMBT5401LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G
Код товару: 34131 		Виробник : ON MMBT5401.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 240
товар відсутній
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Виробник : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній