Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5551 Jingdao
MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Код товару: 200829
Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 2996 шт:
2996 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.4 грн
10+ 0.8 грн
100+ 0.64 грн
1000+ 0.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.61 грн до 3702.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.32 грн
6000+ 1.2 грн
9000+ 1.02 грн
30000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.5 грн
9000+ 1.28 грн
24000+ 1.19 грн
45000+ 0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7076+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 7076
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 215211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8435+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 411108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8435+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3788+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3788
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : MDD MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1836000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+7.82 грн
53+ 5.2 грн
100+ 2.81 грн
500+ 2.07 грн
1000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+7.82 грн
53+ 5.2 грн
100+ 2.81 грн
500+ 2.07 грн
1000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.82 грн
52+ 5.82 грн
100+ 4.27 грн
500+ 3.35 грн
1000+ 2.96 грн
3000+ 2.23 грн
9000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.24 грн
44+ 6.37 грн
100+ 3.44 грн
500+ 2.54 грн
1000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 31
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+3702.39 грн
100+ 2971.04 грн
1000+ 2376.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
MMBT5551 Виробник : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : AnBon mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14151+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 14151
MMBT5551 Виробник : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9804+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 9804
MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.27 грн
275+ 1.26 грн
500+ 1.13 грн
925+ 0.87 грн
2525+ 0.82 грн
Мінімальне замовлення: 175
MMBT5551 Виробник : ONS mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+2.49 грн
125+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 112
MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.72 грн
175+ 1.57 грн
500+ 1.36 грн
925+ 1.04 грн
2525+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5551 Виробник : NTE Electronics, Inc. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf MMBT5551
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
470+24.79 грн
1000+ 20.27 грн
2500+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 470
MMBT5551 Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MMBT5551 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товар відсутній
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) MMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4153 		MMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 160587 		Виробник : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товар відсутній