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NTNS3A91PZT5G.

NTNS3A91PZT5G. ONSEMI


NTNS3A91PZ-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 223
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Технічний опис NTNS3A91PZT5G. ONSEMI

Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 223, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 121, Bauform - Transistor: XLLGA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).