Продукція > ROHM > RDD020N60 TL

RDD020N60 TL ROHM


Виробник: ROHM
SOT252/2.5
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RDD020N60 TL ROHM

Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.

Інші пропозиції RDD020N60 TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RDD020N60TL RDD020N60TL Виробник : Rohm Semiconductor RDD020N60_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товар відсутній
RDD020N60TL RDD020N60TL Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rdd020n60-1201699.pdf MOSFET MOSFET
товар відсутній