RN1417,LF

RN1417,LF Toshiba


RN1417_datasheet_en_20140301-1627380.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1417,LF Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.