Технічний опис SI4836DYT1E3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4836DYT1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| Si4836DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 0828+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| Si4836DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| Si4836DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI4836DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
Si4836DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
|
|
|
Si4836DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |