на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4948BEY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SI4948BEY-T1-E3 за ціною від 26.95 грн до 98.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 16748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 100682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4948BEYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SI4948BEY-T1-E3 Код товару: 149484 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W Power dissipation: 2.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.1A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.1A; 2.4W Power dissipation: 2.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.1A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC |
товар відсутній |