Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7121DN-T1-GE3
SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7121adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.61 грн
6000+ 30.82 грн
9000+ 29.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7121DN-T1-GE3 за ціною від 32.27 грн до 90.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 13244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.42 грн
10+ 64.01 грн
100+ 49.8 грн
500+ 39.61 грн
1000+ 32.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors vishay_vish-s-a0003413401-1.pdf MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
на замовлення 9316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.09 грн
10+ 79.1 грн
100+ 53.6 грн
500+ 44.32 грн
1000+ 34.98 грн
3000+ 34.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7121DN-T1-GE3
Код товару: 167442 		si7121adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товар відсутній
SI7121DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7121adn.pdf SI7121DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7121dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товар відсутній