Продукція > VISHAY > SI7615ADN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

si7615adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 34757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7615ADN-T1-GE3 за ціною від 13.72 грн до 61.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.95 грн
6000+ 16.38 грн
9000+ 15.16 грн
30000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.71 грн
6000+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
406+28.7 грн
425+ 27.41 грн
427+ 27.31 грн
500+ 23.57 грн
1000+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 406
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 16.43 грн
5000+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 38928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
334+34.9 грн
427+ 27.27 грн
500+ 23.68 грн
1000+ 19.41 грн
3000+ 16.87 грн
6000+ 14.52 грн
9000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 334
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 38948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+39.17 грн
17+ 34.83 грн
100+ 27.21 грн
500+ 22.78 грн
1000+ 17.93 грн
3000+ 16.16 грн
6000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 64664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 74289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.6 грн
10+ 43.31 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.76 грн
6000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.61 грн
11+ 33.54 грн
25+ 29.44 грн
33+ 24.64 грн
90+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+56.77 грн
16+ 47.4 грн
100+ 30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 16.43 грн
5000+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.93 грн
7+ 41.8 грн
25+ 35.32 грн
33+ 29.57 грн
90+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7615ADN-T1-GE3
Код товару: 144688 		si7615adn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній