SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7997dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 13026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.16 грн
6000+ 58.54 грн
9000+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7997DP-T1-GE3 за ціною від 60.08 грн до 186.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2246047.pdf Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+101.58 грн
10+ 93.26 грн
25+ 67.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+102.9 грн
500+ 79.05 грн
1000+ 69.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+128.01 грн
91+ 127.02 грн
100+ 118.23 грн
500+ 100.81 грн
1000+ 87.24 грн
2000+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 90
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+128.97 грн
Мінімальне замовлення: 90
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7997dp.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 139431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.36 грн
10+ 105.98 грн
100+ 78.9 грн
250+ 78.23 грн
500+ 69.62 грн
1000+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7997dp.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.57 грн
10+ 112.02 грн
100+ 89.17 грн
500+ 70.81 грн
1000+ 60.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001245272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7997DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.04 грн
10+ 133.88 грн
25+ 122.72 грн
100+ 102.9 грн
500+ 79.05 грн
1000+ 69.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7997DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7997dp.pdf Транз. Пол. БМ MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.12 грн
10+ 167.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7997DP-T1-GE3
Код товару: 150524
si7997dp.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
SI7997DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7997dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI7997DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7997dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній