SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPD50P03LGBTMA1 за ціною від 69.66 грн до 179.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P |
на замовлення 9856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 Код товару: 126532 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-5 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-5 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SPB21N50C3 Код товару: 115739 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|