SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 26.25 грн |
| 500+ | 19.3 грн |
| 1000+ | 13.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 13.33 грн до 75.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 202945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 8788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2A Drain-source voltage: -150V Drain current: -1A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2A Drain-source voltage: -150V Drain current: -1A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SQ2325ES-T1_GE3 Код товару: 164123 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
товар відсутній |