STB23NM50N

STB23NM50N STMicroelectronics


812299290764112cd00259533.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+179.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB23NM50N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STB23NM50N за ціною від 148.41 грн до 381.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics 812299290764112cd00259533.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+192.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics stf23nm50n-1850567.pdf MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.22 грн
10+ 284.46 грн
100+ 199.86 грн
250+ 195.9 грн
500+ 174.14 грн
1000+ 148.41 грн
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS29527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+381.81 грн
10+ 304.86 грн
100+ 250.1 грн
500+ 197.2 грн
1000+ 154.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB23NM50N STB23NM50N
Код товару: 59758
Виробник : ST stb23nm50n-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 17 A
Монтаж: SMD
товар відсутній
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics 812299290764112cd00259533.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics 812299290764112cd00259533.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics STB23NM50N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00259533.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товар відсутній
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00259533.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товар відсутній
STB23NM50N STB23NM50N Виробник : STMicroelectronics STB23NM50N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній