на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 64.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50P08-25L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 72.32 грн до 198.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V |
на замовлення 152244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 18580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SUD50P08-25L-E3 Код товару: 133983 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Виробник : VISHAY |
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |