Продукція > TOSHIBA > TK560P65Y,RQ(S
TK560P65Y,RQ(S

TK560P65Y,RQ(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+110.28 грн
10+ 94.64 грн
100+ 77.5 грн
500+ 60.13 грн
2000+ 47.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK560P65Y,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).