на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 798.93 грн |
10+ | 724.03 грн |
25+ | 554.67 грн |
100+ | 521.81 грн |
250+ | 505.38 грн |
375+ | 472.52 грн |
1125+ | 433.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-85EPF12 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB, Packaging: Bulk, Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 85A, Supplier Device Package: PowIRtab™, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-85EPF12
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-85EPF12 Код товару: 38120 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||
VS-85EPF12 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 85A 480ns 2-Pin(1+Tab) Power Tab |
товар відсутній |
||
VS-85EPF12 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB Packaging: Bulk Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™ Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 85A Supplier Device Package: PowIRtab™ Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |