VS-ETH3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.72 грн |
| 50+ | 92.09 грн |
| 100+ | 75.77 грн |
| 500+ | 60.17 грн |
| 1000+ | 51.05 грн |
| 2000+ | 48.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETH3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 26 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-ETH3006S-M3 за ціною від 67.69 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETH3006S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 30A 600V Hyperfast 26ns |
на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VS-ETH3006S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
VS-ETH3006S-M3 Код товару: 154715 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||||||||
 |
VS-ETH3006S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
VS-ETH3006S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| VS-ETH3006S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 70ns; D2PAK; Ufmax: 1.8V; Ir: 300uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Reverse recovery time: 70ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 20pF Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 0.3mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| VS-ETH3006S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; 70ns; D2PAK; Ufmax: 1.8V; Ir: 300uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Reverse recovery time: 70ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 20pF Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 0.3mA Kind of package: tube |
товар відсутній |