Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4470) > Сторінка 70 з 75

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TQQ6107 TQQ6107 Qorvo TQQ6107_Data_Sheet-1517955.pdf Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ6107 EVB TQQ6107 EVB Qorvo TQQ6107%20Data%20Sheet-1286915.pdf Other Development Tools Qorvo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7101 TQQ7101 Qorvo QQ7101-881785.pdf Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 TQQ7301 Qorvo QQ7301-1108748.pdf Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 EVAL BOARD Qorvo QQ7301-1108748.pdf RF Development Tools 1950MHz BW 60MHz Eval Board
товар відсутній
TQQ7303 TQQ7303 Qorvo TQQ7303_Data_Sheet-1634292.pdf Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.53 грн
25+ 548.41 грн
100+ 385.09 грн
250+ 311.25 грн
TQQ7307 TQQ7307 Qorvo QQ7307-1500595.pdf Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7307-EVB TQQ7307-EVB Qorvo QQ7307-1500595.pdf RF Development Tools
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7399 TQQ7399 Qorvo TQQ7399_Data_Sheet-1518405.pdf Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.93 грн
25+ 489.68 грн
100+ 327.12 грн
250+ 251.9 грн
TQQ7399-EVB TQQ7399-EVB Qorvo TQQ7399%20Data%20Sheet-1286943.pdf RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQS5202 TQS5202 Qorvo QS5202-1518378.pdf RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TTK1000 Qorvo RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+883.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.82 грн
10+ 1085.37 грн
100+ 938.7 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf MOSFET 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1531.4 грн
25+ 1330.95 грн
100+ 1003.45 грн
250+ 848.86 грн
500+ 804 грн
2400+ 788.82 грн
4800+ 763.97 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.61 грн
25+ 1411.11 грн
100+ 1061.42 грн
250+ 953.07 грн
600+ 939.96 грн
3000+ 935.82 грн
5400+ 930.99 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S QORVO 3750882.pdf Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.21 грн
5+ 1422.95 грн
10+ 1333.92 грн
50+ 1155.97 грн
100+ 990.74 грн
250+ 838.77 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.46 грн
30+ 745.46 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.33 грн
30+ 1036.66 грн
120+ 975.68 грн
510+ 829.8 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1591.79 грн
25+ 1384.92 грн
100+ 1043.48 грн
250+ 984.13 грн
600+ 836.44 грн
3000+ 819.18 грн
5400+ 793.65 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S QORVO 3750883.pdf Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
250+ 964.86 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.58 грн
50+ 726.1 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1801.13 грн
25+ 1509.52 грн
100+ 1157.35 грн
250+ 1003.45 грн
500+ 848.86 грн
1000+ 804 грн
5000+ 763.97 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S QORVO 3750884.pdf Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+991.14 грн
25+ 966.67 грн
100+ 727.4 грн
250+ 680.47 грн
500+ 663.22 грн
800+ 629.4 грн
2400+ 623.19 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.8 грн
10+ 767.2 грн
100+ 663.51 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.12 грн
25+ 894.44 грн
100+ 657 грн
600+ 586.61 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S QORVO 3750886.pdf Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.63 грн
5+ 930.57 грн
10+ 872.51 грн
50+ 747.64 грн
100+ 631.73 грн
250+ 619.13 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.48 грн
30+ 717.69 грн
120+ 675.47 грн
510+ 574.48 грн
1020+ 526.93 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.39 грн
30+ 731.56 грн
120+ 688.53 грн
510+ 585.58 грн
1020+ 537.12 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S QORVO 3750887.pdf Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.41 грн
5+ 1031.21 грн
10+ 952.25 грн
50+ 825.28 грн
100+ 707.38 грн
250+ 603.86 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.38 грн
25+ 976.19 грн
100+ 735.68 грн
250+ 623.19 грн
600+ 590.06 грн
3000+ 577.64 грн
5400+ 560.39 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.8 грн
50+ 704.97 грн
100+ 663.51 грн
500+ 564.3 грн
1000+ 517.6 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1125.6 грн
25+ 898.41 грн
100+ 734.99 грн
250+ 733.61 грн
500+ 660.45 грн
1000+ 605.93 грн
5000+ 603.17 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S QORVO 3750888.pdf Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.73 грн
5+ 994.05 грн
10+ 876.38 грн
50+ 790.06 грн
100+ 706.72 грн
250+ 693.45 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.3 грн
10+ 303.23 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.32 грн
5+ 527.22 грн
10+ 476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.36 грн
25+ 539.68 грн
100+ 394.06 грн
250+ 383.02 грн
500+ 381.64 грн
800+ 312.63 грн
2400+ 294.69 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.98 грн
25+ 567.46 грн
100+ 427.88 грн
250+ 362.32 грн
500+ 342.99 грн
2400+ 336.78 грн
4800+ 326.43 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+389.7 грн
1600+ 337.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.88 грн
10+ 510.34 грн
100+ 425.3 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S QORVO 3750890.pdf Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.8 грн
5+ 560.51 грн
10+ 502.45 грн
50+ 435.64 грн
100+ 373.6 грн
250+ 315.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo da008633 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.17 грн
30+ 303.27 грн
120+ 281.02 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.79 грн
25+ 515.08 грн
100+ 388.54 грн
250+ 328.5 грн
600+ 311.25 грн
3000+ 305.04 грн
5400+ 296.07 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S QORVO 3750891.pdf Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.15 грн
5+ 578.32 грн
10+ 519.48 грн
50+ 450.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo da008634 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.61 грн
30+ 313.27 грн
120+ 290.27 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.92 грн
25+ 532.54 грн
100+ 400.97 грн
250+ 338.85 грн
600+ 322.29 грн
3000+ 315.39 грн
5400+ 305.73 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo da008635 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.3 грн
50+ 282.39 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+648.95 грн
25+ 543.65 грн
100+ 417.53 грн
250+ 361.63 грн
500+ 306.42 грн
1000+ 289.85 грн
5000+ 275.36 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S QORVO 3750892.pdf Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.54 грн
5+ 602.32 грн
10+ 530.32 грн
50+ 463.68 грн
100+ 401.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo da008636 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.11 грн
30+ 1161.1 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S QORVO 3750893.pdf Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf MOSFET 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo da008637 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1854.39 грн
30+ 1480.35 грн
120+ 1387.85 грн
510+ 1111.42 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S QORVO 3750894.pdf Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.12 грн
25+ 941.27 грн
100+ 709.45 грн
250+ 599.72 грн
500+ 568.67 грн
2400+ 557.63 грн
4800+ 540.37 грн
TQQ6107 TQQ6107_Data_Sheet-1517955.pdf
TQQ6107
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ6107 EVB TQQ6107%20Data%20Sheet-1286915.pdf
TQQ6107 EVB
Виробник: Qorvo
Other Development Tools Qorvo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7101 QQ7101-881785.pdf
TQQ7101
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 QQ7301-1108748.pdf
TQQ7301
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 EVAL BOARD QQ7301-1108748.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools 1950MHz BW 60MHz Eval Board
товар відсутній
TQQ7303 TQQ7303_Data_Sheet-1634292.pdf
TQQ7303
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+770.53 грн
25+ 548.41 грн
100+ 385.09 грн
250+ 311.25 грн
TQQ7307 QQ7307-1500595.pdf
TQQ7307
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7307-EVB QQ7307-1500595.pdf
TQQ7307-EVB
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7399 TQQ7399_Data_Sheet-1518405.pdf
TQQ7399
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+644.93 грн
25+ 489.68 грн
100+ 327.12 грн
250+ 251.9 грн
TQQ7399-EVB TQQ7399%20Data%20Sheet-1286943.pdf
TQQ7399-EVB
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQS5202 QS5202-1518378.pdf
TQS5202
Виробник: Qorvo
RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TTK1000
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+883.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1278.82 грн
10+ 1085.37 грн
100+ 938.7 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1531.4 грн
25+ 1330.95 грн
100+ 1003.45 грн
250+ 848.86 грн
500+ 804 грн
2400+ 788.82 грн
4800+ 763.97 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1439.61 грн
25+ 1411.11 грн
100+ 1061.42 грн
250+ 953.07 грн
600+ 939.96 грн
3000+ 935.82 грн
5400+ 930.99 грн
UF3C065030K3S 3750882.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1511.21 грн
5+ 1422.95 грн
10+ 1333.92 грн
50+ 1155.97 грн
100+ 990.74 грн
250+ 838.77 грн
UF3C065030K3S
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+923.46 грн
30+ 745.46 грн
UF3C065030K4S
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1330.33 грн
30+ 1036.66 грн
120+ 975.68 грн
510+ 829.8 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1591.79 грн
25+ 1384.92 грн
100+ 1043.48 грн
250+ 984.13 грн
600+ 836.44 грн
3000+ 819.18 грн
5400+ 793.65 грн
UF3C065030K4S 3750883.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
250+ 964.86 грн
UF3C065030T3S
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+899.58 грн
50+ 726.1 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1801.13 грн
25+ 1509.52 грн
100+ 1157.35 грн
250+ 1003.45 грн
500+ 848.86 грн
1000+ 804 грн
5000+ 763.97 грн
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+991.14 грн
25+ 966.67 грн
100+ 727.4 грн
250+ 680.47 грн
500+ 663.22 грн
800+ 629.4 грн
2400+ 623.19 грн
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+904.8 грн
10+ 767.2 грн
100+ 663.51 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+987.12 грн
25+ 894.44 грн
100+ 657 грн
600+ 586.61 грн
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+988.63 грн
5+ 930.57 грн
10+ 872.51 грн
50+ 747.64 грн
100+ 631.73 грн
250+ 619.13 грн
UF3C065040K3S
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+920.48 грн
30+ 717.69 грн
120+ 675.47 грн
510+ 574.48 грн
1020+ 526.93 грн
UF3C065040K4S
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+938.39 грн
30+ 731.56 грн
120+ 688.53 грн
510+ 585.58 грн
1020+ 537.12 грн
UF3C065040K4S 3750887.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1109.41 грн
5+ 1031.21 грн
10+ 952.25 грн
50+ 825.28 грн
100+ 707.38 грн
250+ 603.86 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1122.38 грн
25+ 976.19 грн
100+ 735.68 грн
250+ 623.19 грн
600+ 590.06 грн
3000+ 577.64 грн
5400+ 560.39 грн
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+904.8 грн
50+ 704.97 грн
100+ 663.51 грн
500+ 564.3 грн
1000+ 517.6 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1125.6 грн
25+ 898.41 грн
100+ 734.99 грн
250+ 733.61 грн
500+ 660.45 грн
1000+ 605.93 грн
5000+ 603.17 грн
UF3C065040T3S 3750888.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1111.73 грн
5+ 994.05 грн
10+ 876.38 грн
50+ 790.06 грн
100+ 706.72 грн
250+ 693.45 грн
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.3 грн
10+ 303.23 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+578.32 грн
5+ 527.22 грн
10+ 476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+556.36 грн
25+ 539.68 грн
100+ 394.06 грн
250+ 383.02 грн
500+ 381.64 грн
800+ 312.63 грн
2400+ 294.69 грн
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+652.98 грн
25+ 567.46 грн
100+ 427.88 грн
250+ 362.32 грн
500+ 342.99 грн
2400+ 336.78 грн
4800+ 326.43 грн
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+389.7 грн
1600+ 337.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+618.88 грн
10+ 510.34 грн
100+ 425.3 грн
UF3C065080K3S 3750890.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+617.8 грн
5+ 560.51 грн
10+ 502.45 грн
50+ 435.64 грн
100+ 373.6 грн
250+ 315.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3S da008633
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+394.17 грн
30+ 303.27 грн
120+ 281.02 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.79 грн
25+ 515.08 грн
100+ 388.54 грн
250+ 328.5 грн
600+ 311.25 грн
3000+ 305.04 грн
5400+ 296.07 грн
UF3C065080K4S 3750891.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+637.15 грн
5+ 578.32 грн
10+ 519.48 грн
50+ 450.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S da008634
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.61 грн
30+ 313.27 грн
120+ 290.27 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+611.92 грн
25+ 532.54 грн
100+ 400.97 грн
250+ 338.85 грн
600+ 322.29 грн
3000+ 315.39 грн
5400+ 305.73 грн
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.3 грн
50+ 282.39 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+648.95 грн
25+ 543.65 грн
100+ 417.53 грн
250+ 361.63 грн
500+ 306.42 грн
1000+ 289.85 грн
5000+ 275.36 грн
UF3C065080T3S 3750892.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+673.54 грн
5+ 602.32 грн
10+ 530.32 грн
50+ 463.68 грн
100+ 401.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1322.11 грн
30+ 1161.1 грн
UF3C120040K3S 3750893.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1854.39 грн
30+ 1480.35 грн
120+ 1387.85 грн
510+ 1111.42 грн
UF3C120040K4S 3750894.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1082.12 грн
25+ 941.27 грн
100+ 709.45 грн
250+ 599.72 грн
500+ 568.67 грн
2400+ 557.63 грн
4800+ 540.37 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75  [ Наступна Сторінка >> ]