| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CIGW201610GL4R7MLE | SAMSUNGEM |
 Metal Composite Power Inductor |
товар відсутній |
|
|
|
CIGW201610GLR47MLE | SAMSUNGEM |
Metal Composite Power Inductor |
товар відсутній |
|
| CIGW201612EC6R8MLE | SAMSUNGEM | Inductor Power Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
||
| CIGW252008EH4R7SLE | SAMSUNGEM | Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
||
| CIGW252010EH4R7SNE | SAMSUNGEM | Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
||
 |
CIGW252010GL1R0MNE | SAMSUNGEM |
Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
товар відсутній |
|
 |
CIH03T68NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 0.05A 3Ohm DCR 0201 T/R |
товар відсутній |
|
 |
CIH05T12NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.5Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T15NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.55Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T18NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.65Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T1N2SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.12Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T22NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.8Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T27NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.9Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T33NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.033uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T3N9SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0039uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.22Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T5N6SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0056uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.27Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH05T68NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.18A 1.4Ohm DCR 0402 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T10NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.26Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T12NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.28Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T15NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.32Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T18NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.35Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T1N0SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.001uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T1N2SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T1N5SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0015uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T1N8SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0018uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T22NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.4Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T2N2SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T2N7SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T3N3SNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0033uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.12Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T68NJNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 0.85Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10T6N8JNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.7A 0.22Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10TR10JNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.1uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10TR12JNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.12uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 1.2Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIH10TR18JNC | SAMSUNGEM |
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.18uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1.3Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
 |
CIL10J1R0KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.6Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10J1R2KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.8Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10J2R2KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.15Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10J2R7KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.35Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10J4R7KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 2.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10NR33KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 0.85Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10NR56KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 1.55Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
 |
CIL10NR68JNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.68uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.07A 1.25Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10S220KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.1Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10S330KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 33uH 10% 400KHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.95Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10Y100KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 10uH 10% 2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 2.55Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL10Y6R8KNC | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 1.7Ohm DCR 0603 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21J1R0KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.3Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21J1R5KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.5uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21J1R8KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
CIL21J2R2KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.5Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21J4R7KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.9Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21N47NMNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.047uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21N82NMNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.082uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR10KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.1uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.2Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR22KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.22uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR27MNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.27uH 20% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR33KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR39KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.39uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR47KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.47uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
CIL21NR56KNE | SAMSUNGEM |
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.5Ohm DCR 0805 T/R |
товар відсутній |
| CIGW201612EC6R8MLE |
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
Inductor Power Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIGW252008EH4R7SLE |
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R
Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
| CIGW252010EH4R7SNE |
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R
Inductor Power Wirewound 4.7uH 0.3nH 1MHz Metal DCR 1008 T/R
товар відсутній
| CIGW252010GL1R0MNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній
| CIH03T68NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 0.05A 3Ohm DCR 0201 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 0.05A 3Ohm DCR 0201 T/R
товар відсутній
| CIH05T12NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.5Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.5Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T15NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.55Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.55Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T18NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.65Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.65Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T1N2SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.12Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.12Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T22NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.8Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.8Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T27NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.9Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 0.9Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T33NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.033uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.033uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T3N9SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0039uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.22Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0039uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.22Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T5N6SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0056uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.27Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0056uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 0.27Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH05T68NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.18A 1.4Ohm DCR 0402 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.18A 1.4Ohm DCR 0402 T/R
товар відсутній
| CIH10T10NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.26Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.01uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.26Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T12NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.28Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.012uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.6A 0.28Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T15NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.32Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.015uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.32Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T18NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.35Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.018uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.35Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T1N0SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.001uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.001uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T1N2SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T1N5SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0015uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0015uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T1N8SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0018uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0018uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T22NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.4Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.022uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.5A 0.4Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T2N2SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T2N7SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T3N3SNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0033uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.12Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0033uH 0.3nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.8A 0.12Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T68NJNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 0.85Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.068uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 0.85Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10T6N8JNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.7A 0.22Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0068uH 5% 100MHz 10Q-Factor Ceramic 0.7A 0.22Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10TR10JNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.1uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.1uH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.35A 1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10TR12JNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.12uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 1.2Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.12uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.3A 1.2Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIH10TR18JNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.18uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1.3Ohm DCR 0603 T/R
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.18uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.25A 1.3Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10J1R0KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.6Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.6Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10J1R2KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.8Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.025A 0.8Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10J2R2KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.15Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.15Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10J2R7KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.35Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 1.35Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10J4R7KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 2.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 0.015A 2.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10NR33KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 0.85Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 0.85Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10NR56KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 1.55Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.035A 1.55Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10NR68JNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.68uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.07A 1.25Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.68uH 5% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 0.07A 1.25Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10S220KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.1Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.1Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10S330KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 33uH 10% 400KHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.95Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 33uH 10% 400KHz 20Q-Factor Ferrite 0.001A 2.95Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10Y100KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 10uH 10% 2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 2.55Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 10uH 10% 2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 2.55Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL10Y6R8KNC |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 1.7Ohm DCR 0603 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 6.8uH 10% 4MHz 35Q-Factor Ferrite 0.005A 1.7Ohm DCR 0603 T/R
товар відсутній
| CIL21J1R0KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21J1R5KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.5uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.5uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21J1R8KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.05A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| CIL21J2R2KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.5Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.5Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21J4R7KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.9Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 0.03A 0.9Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21N47NMNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.047uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.047uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21N82NMNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.082uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.082uH 20% 50MHz 15Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR10KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.1uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.1uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR22KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.22uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.22uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR27MNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.27uH 20% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.27uH 20% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR33KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.33uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.25A 0.3Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR39KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.39uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.39uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR47KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.47uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.47uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.2A 0.4Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
| CIL21NR56KNE |
|
Виробник: SAMSUNGEM
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.5Ohm DCR 0805 T/R
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.56uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.5Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній