Результат пошуку "2sa13" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1909
Мінімальне замовлення: 1909
Мінімальне замовлення: 2104
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 987
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 5323
Мінімальне замовлення: 807
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 7500
Мінімальне замовлення: 1567
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 987
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 987
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 1707
Мінімальне замовлення: 684
Мінімальне замовлення: 1665
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 2664
Мінімальне замовлення: 1211
Мінімальне замовлення: 105
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 82
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 2219
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1300 Код товару: 152639 |
Secos |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 140 MHz Uке, В: 10 V Uкб, В: 20 V Iк, А: 2 А |
у наявності: 7 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1307 Код товару: 152640 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220F fT: 60 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 5 А |
у наявності: 12 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1309 Код товару: 152641 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-33 fT: 80 MHz Uке, В: 25 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 0,1 A |
у наявності: 35 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1317S Код товару: 152643 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92S fT: 200 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,2 A h21,max: 560 |
у наявності: 10 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1318 Код товару: 152644 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,2 A h21,max: 560 |
у наявності: 12 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1319 Код товару: 152645 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 120 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 0,7 A h21,max: 100 |
у наявності: 70 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1321 Код товару: 152646 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92MOD fT: 80 MHz Uке, В: 250 V Uкб, В: 250 V Iк, А: 0,05 A h21,max: 50 |
у наявності: 7 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1348 Код товару: 152647 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні PNP fT: 250 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V |
у наявності: 8 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1359 Код товару: 152648 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 fT: 100 MHz Uке, В: 40 V Uкб, В: 40 V Iк, А: 3 А |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1371 Код товару: 89484 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 150 MHz Uке, В: 300 V Uкб, В: 300 V Iк, А: 0,1 A |
у наявності: 21 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1372 Код товару: 152649 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Uкб, В: 400 V Iк, А: 0,1 A |
у наявності: 3 шт
|
|
||||||||||||||||
2SA1376 Код товару: 152650 |
NEC |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 fT: 120 MHz Uке, В: 200 V Uкб, В: 200 V Iк, А: 0,1 A |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1313-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 9191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1313-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz |
на замовлення 16216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1313-Y,LF(B |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1313-Y,LF(B |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1313-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 4179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1317S-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1317T-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 257800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1318S-AA | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: 3-NP Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Frequency - Transition: 200MHz Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1318T | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1319S-AA | Fairchild Semiconductor |
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1319S-AA | onsemi |
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1319S-AA | Sanyo |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1331-4-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1331-5-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1338-5-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1273250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1338-6-TB-E | onsemi |
Description: 0.5A, 50V, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 199205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1339S-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 41250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1339T-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 33800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1341-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1342-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1344-TB-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 60777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1345 | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 9420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1345-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1346-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1346-SSH-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1347-AC | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Supplier Device Package: 3-SPA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1348 | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 9705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1352E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1360 | ISC |
PNP 50mA 150V 5W 200MHz 2SA1360 T2SA1360 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1362-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTO |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1362-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1362-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 7311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1362-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 15V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 5031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1362-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1362-Y,LF(B |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1370D-AE | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1371D | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 16250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1371D-AE | onsemi |
Description: TRANS Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1380E | onsemi |
Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 5086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1386 | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1386 | Sanken |
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1386 | PMC-Sierra |
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1386A | Sanken Electric USA Inc. |
Description: TRANS PNP 180V 15A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 3442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1386A | Sanken Electric Company, Ltd. | Trans GP BJT PNP 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1391S | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 27800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1392S-AA | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2SA1300 Код товару: 152639 |
Виробник: Secos
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 А
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 А
у наявності: 7 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
2SA1309 Код товару: 152641 |
у наявності: 35 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
2SA1317S Код товару: 152643 |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92S
fT: 200 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,2 A
h21,max: 560
Корпус: TO-92S
fT: 200 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,2 A
h21,max: 560
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
2SA1319 Код товару: 152645 |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,7 A
h21,max: 100
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,7 A
h21,max: 100
у наявності: 70 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 7.7 грн |
2SA1321 Код товару: 152646 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 80 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 50
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 80 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 50
у наявності: 7 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
2SA1348 Код товару: 152647 |
у наявності: 8 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
2SA1371 Код товару: 89484 |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,1 A
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,1 A
у наявності: 21 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.4 грн |
2SA1376 Код товару: 152650 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 0,1 A
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 0,1 A
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
2SA1313-O(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.84 грн |
100+ | 11.25 грн |
1000+ | 6.56 грн |
3000+ | 3.24 грн |
9000+ | 2.62 грн |
24000+ | 2.55 грн |
2SA1313-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.4 грн |
20+ | 14.67 грн |
100+ | 7.15 грн |
500+ | 5.6 грн |
1000+ | 3.89 грн |
2SA1313-Y,LF |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1313-Y,LF |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
на замовлення 16216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.46 грн |
20+ | 16.35 грн |
100+ | 5.8 грн |
1000+ | 4.07 грн |
3000+ | 3.17 грн |
9000+ | 2.55 грн |
45000+ | 2.28 грн |
2SA1313-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.73 грн |
6000+ | 3.33 грн |
2SA1313-Y,LF(B |
Виробник: Toshiba
2SA1313-Y,LF(B
2SA1313-Y,LF(B
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1909+ | 6.27 грн |
1974+ | 6.06 грн |
2500+ | 5.89 грн |
5000+ | 5.52 грн |
10000+ | 4.99 грн |
2SA1313-Y,LF(B |
Виробник: Toshiba
2SA1313-Y,LF(B
2SA1313-Y,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1909+ | 6.27 грн |
1974+ | 6.06 грн |
2500+ | 5.89 грн |
2SA1313-Y,LF(T |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 4179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2104+ | 5.69 грн |
2308+ | 5.19 грн |
2698+ | 4.44 грн |
2841+ | 4.06 грн |
3000+ | 3.73 грн |
2SA1317S-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.45 грн |
2SA1317T-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 257800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
987+ | 20.68 грн |
2SA1318S-AA |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 3-NP
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Frequency - Transition: 200MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 3-NP
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Frequency - Transition: 200MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.07 грн |
2SA1318T |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4438+ | 4.82 грн |
2SA1319S-AA |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.58 грн |
2SA1319S-AA |
Виробник: onsemi
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: 2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.58 грн |
2SA1319S-AA |
Виробник: Sanyo
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.58 грн |
2SA1331-4-TB-E |
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.51 грн |
2SA1331-5-TB-E |
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5323+ | 4.14 грн |
2SA1338-5-TB-E |
на замовлення 1273250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
807+ | 25.5 грн |
2SA1338-6-TB-E |
на замовлення 199205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 16.54 грн |
2SA1339S-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 41250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.51 грн |
2SA1339T-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 33800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.51 грн |
2SA1341-TB-E |
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 22.05 грн |
2SA1342-TB-E |
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 22.05 грн |
2SA1344-TB-E |
на замовлення 60777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4438+ | 4.82 грн |
2SA1345 |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.51 грн |
2SA1345-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 3.45 грн |
2SA1346-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 13.09 грн |
2SA1346-SSH-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 11.03 грн |
2SA1347-AC |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Supplier Device Package: 3-SPA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Supplier Device Package: 3-SPA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
987+ | 20.68 грн |
2SA1348 |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2SA1352E |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
987+ | 20.68 грн |
2SA1360 |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.05 грн |
2SA1362-GR,LF |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTO
Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTO
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.42 грн |
17+ | 19.52 грн |
100+ | 7.04 грн |
1000+ | 5.24 грн |
3000+ | 4.14 грн |
9000+ | 3.52 грн |
24000+ | 3.45 грн |
2SA1362-GR,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.7 грн |
2SA1362-GR,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 15V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.13 грн |
17+ | 17.61 грн |
100+ | 8.9 грн |
500+ | 6.81 грн |
1000+ | 5.05 грн |
2SA1362-GR,LF(T |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 15V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT PNP 15V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1707+ | 7.01 грн |
1871+ | 6.4 грн |
2178+ | 5.5 грн |
2305+ | 5.01 грн |
3000+ | 4.34 грн |
2SA1362-Y,LF(B |
Виробник: Toshiba
2SA1362-Y,LF(B
2SA1362-Y,LF(B
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
684+ | 17.5 грн |
710+ | 16.87 грн |
1000+ | 16.32 грн |
2500+ | 15.28 грн |
2SA1370D-AE |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1665+ | 12.41 грн |
2SA1371D |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 16250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.58 грн |
2SA1371D-AE |
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2664+ | 7.58 грн |
2SA1380E |
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1211+ | 17.23 грн |
2SA1386 |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
105+ | 114.67 грн |
110+ | 109.69 грн |
112+ | 107.69 грн |
200+ | 102.88 грн |
2SA1386 |
Виробник: Sanken
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386
кількість в упаковці: 10 шт
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 50.84 грн |
2SA1386 |
Виробник: PMC-Sierra
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386
кількість в упаковці: 10 шт
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 2SA1386 T2SA1386
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 54.7 грн |
2SA1386A |
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS PNP 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
Description: TRANS PNP 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 304.59 грн |
10+ | 246.07 грн |
100+ | 199.08 грн |
1000+ | 142.2 грн |
2SA1386A |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT PNP 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Trans GP BJT PNP 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
82+ | 146.58 грн |
89+ | 134.62 грн |
100+ | 130.63 грн |
200+ | 125 грн |
2SA1391S |
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 27800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.51 грн |
2SA1392S-AA |
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]