Результат пошуку "2sk30" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SK30A 2SK30A
Код товару: 42734 		Toshiba Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
1+14 грн
10+ 11.6 грн
100+ 9.4 грн
2SK3017(F) 2SK3017(F) Toshiba 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3018 HT Jinyu Semiconductor N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8380+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 8380
2SK3018 kuu semiconductor Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3018-ML 2SK3018-ML MOSLEADER Description: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.44 грн
1000+ 2.3 грн
3000+ 2.14 грн
6000+ 1.97 грн
15000+ 1.91 грн
30000+ 1.83 грн
75000+ 1.69 грн
150000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.84 грн
65+ 5.75 грн
100+ 5.1 грн
185+ 4.67 грн
500+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.01 грн
40+ 7.17 грн
100+ 6.12 грн
185+ 5.61 грн
500+ 5.26 грн
3000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf MOSFET N-Channel MOSFET
на замовлення 9934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
15+ 21.35 грн
100+ 7.66 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.55 грн
9000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Co 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.13 грн
30000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Co 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 49957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
15+ 19.48 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK3018-TP Micro Commercial Components Corp. 2SK3018(SOT-323).pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.84 грн
90+ 4.2 грн
100+ 3.8 грн
285+ 3 грн
775+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.01 грн
55+ 5.23 грн
100+ 4.55 грн
285+ 3.6 грн
775+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Co 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.14 грн
19+ 15.31 грн
100+ 7.48 грн
500+ 5.85 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Co 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf MOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 12711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.72 грн
19+ 16.83 грн
100+ 5.94 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SK3019A-TP 2SK3019A-TP Micro Commercial Co 2SK3019A(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
17+ 17.9 грн
100+ 9.04 грн
500+ 6.92 грн
1000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.35 грн
36+ 22.06 грн
100+ 8.36 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 42256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.89 грн
100+ 8.53 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+ 4.15 грн
9000+ 3.59 грн
30000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1633+7.33 грн
1788+ 6.69 грн
2084+ 5.74 грн
2206+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 1633
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.82 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Co 2SK3020(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf MOSFET
на замовлення 7854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.21 грн
23+ 13.81 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 3.38 грн
2500+ 2.97 грн
8000+ 2.28 грн
24000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Co 2SK3020(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 13355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.66 грн
23+ 12.58 грн
100+ 6.13 грн
500+ 4.8 грн
1000+ 3.34 грн
2000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SK303-3-TB-E onsemi Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SK303-3-TB-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 1781
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas Electronics Corporation RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2319+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 2319
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas 452d14209ej2v0ds00.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3055(1)-AZ 2SK3055(1)-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 124
2SK3055-AZ 2SK3055-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 124
2SK3057-AZ 2SK3057-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18576-1.pdf Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+156.57 грн
Мінімальне замовлення: 135
2SK3058-Z-E1-AZ 2SK3058-Z-E1-AZ NEC Corporation RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+134.2 грн
Мінімальне замовлення: 156
2SK3060-Z-E1-AZ 2SK3060-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+438.96 грн
Мінімальне замовлення: 48
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.04 грн
200+ 26.46 грн
500+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms30086-1-1742632.pdf MOSFET N-CH 60V 2A
на замовлення 73102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.95 грн
10+ 40 грн
100+ 26.78 грн
500+ 23.19 грн
1000+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.02 грн
10+ 41.98 грн
100+ 29.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.45 грн
17+ 47.92 грн
50+ 31.04 грн
200+ 26.46 грн
500+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.05 грн
5000+ 23.8 грн
10000+ 22.14 грн
15000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SK3072-TB-E ONSEMI enn7224ad.pdf Description: ONSEMI - 2SK3072-TB-E - 2SK3072 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+16.8 грн
Мінімальне замовлення: 1527
2SK3072-TB-E 2SK3072-TB-E onsemi enn7224ad.pdf Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF Toshiba 2SK3074_datasheet_en_20140301-3106875.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 172.22 грн
100+ 118.7 грн
250+ 109.73 грн
500+ 100.07 грн
1000+ 84.89 грн
2000+ 80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba 2SK3075_datasheet_en_20140301-3107003.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.68 грн
10+ 397.62 грн
25+ 326.43 грн
100+ 279.5 грн
250+ 264.32 грн
500+ 248.45 грн
1000+ 213.25 грн
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.06 грн
10+ 387.09 грн
50+ 332.13 грн
200+ 291.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.06 грн
10+ 387.09 грн
50+ 332.13 грн
200+ 291.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba docget.pdf Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.5A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 227
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba 2SK3078A_datasheet_en_20140301-3106454.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.06 грн
10+ 83.33 грн
100+ 56.73 грн
500+ 48.1 грн
1000+ 39.13 грн
2000+ 36.85 грн
5000+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3084(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+195.01 грн
64+ 187.58 грн
Мінімальне замовлення: 62
2SK3090(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+126.27 грн
100+ 120.62 грн
Мінімальне замовлення: 95
2SK3092-TL-E ONSEMI enn6788d.pdf Description: ONSEMI - 2SK3092-TL-E - 2SK3092 - N-CHANNEL 15V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
517+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 517
2SK3092-TL-E 2SK3092-TL-E onsemi enn6788d.pdf Description: NCH 15V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 430
2SK30 TOS 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300 TOSHIBA 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300 SONY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300 TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-1
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-1 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-2 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-2
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK30A
Код товару: 42734
2SK30A
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 11.6 грн
100+ 9.4 грн
2SK3017(F) 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf
2SK3017(F)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3018
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8380+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 8380
2SK3018
Виробник: kuu semiconductor
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3018-ML
2SK3018-ML
Виробник: MOSLEADER
Description: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.44 грн
1000+ 2.3 грн
3000+ 2.14 грн
6000+ 1.97 грн
15000+ 1.91 грн
30000+ 1.83 грн
75000+ 1.69 грн
150000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 200
2SK3018-TP 2SK3018.pdf
2SK3018-TP
+1
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.84 грн
65+ 5.75 грн
100+ 5.1 грн
185+ 4.67 грн
500+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SK3018-TP 2SK3018.pdf
2SK3018-TP
+1
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.01 грн
40+ 7.17 грн
100+ 6.12 грн
185+ 5.61 грн
500+ 5.26 грн
3000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3018-TP 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf
2SK3018-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-Channel MOSFET
на замовлення 9934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.68 грн
15+ 21.35 грн
100+ 7.66 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.55 грн
9000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.19 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.13 грн
30000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 49957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.37 грн
15+ 19.48 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
Виробник: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.84 грн
90+ 4.2 грн
100+ 3.8 грн
285+ 3 грн
775+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.01 грн
55+ 5.23 грн
100+ 4.55 грн
285+ 3.6 грн
775+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.14 грн
19+ 15.31 грн
100+ 7.48 грн
500+ 5.85 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3019-TP 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf
2SK3019-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 12711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.72 грн
19+ 16.83 грн
100+ 5.94 грн
1000+ 4.14 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SK3019A-TP 2SK3019A(SOT-523).pdf
2SK3019A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
17+ 17.9 грн
100+ 9.04 грн
500+ 6.92 грн
1000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.35 грн
36+ 22.06 грн
100+ 8.36 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 42256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.38 грн
18+ 16.89 грн
100+ 8.53 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.51 грн
6000+ 4.15 грн
9000+ 3.59 грн
30000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1633+7.33 грн
1788+ 6.69 грн
2084+ 5.74 грн
2206+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 1633
2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.82 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SK3020-TP 2SK3020(SOT-723).pdf
2SK3020-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3020-TP 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf
2SK3020-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
на замовлення 7854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.21 грн
23+ 13.81 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 3.38 грн
2500+ 2.97 грн
8000+ 2.28 грн
24000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SK3020-TP 2SK3020(SOT-723).pdf
2SK3020-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 13355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.66 грн
23+ 12.58 грн
100+ 6.13 грн
500+ 4.8 грн
1000+ 3.34 грн
2000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SK303-3-TB-E
Виробник: onsemi
Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SK303-3-TB-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1781+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 1781
2SK3054-T1-A RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3054-T1-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2319+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 2319
2SK3054-T1-A 452d14209ej2v0ds00.pdf
2SK3054-T1-A
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3055(1)-AZ RNCCS07170-1.pdf
2SK3055(1)-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 124
2SK3055-AZ RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3055-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 124
2SK3057-AZ RNCCS18576-1.pdf
2SK3057-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+156.57 грн
Мінімальне замовлення: 135
2SK3058-Z-E1-AZ RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3058-Z-E1-AZ
Виробник: NEC Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
156+134.2 грн
Мінімальне замовлення: 156
2SK3060-Z-E1-AZ RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3060-Z-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+438.96 грн
Мінімальне замовлення: 48
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.04 грн
200+ 26.46 грн
500+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SK3065T100 rohm_semiconductor_rohms30086-1-1742632.pdf
2SK3065T100
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A
на замовлення 73102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.95 грн
10+ 40 грн
100+ 26.78 грн
500+ 23.19 грн
1000+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.02 грн
10+ 41.98 грн
100+ 29.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.45 грн
17+ 47.92 грн
50+ 31.04 грн
200+ 26.46 грн
500+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.05 грн
5000+ 23.8 грн
10000+ 22.14 грн
15000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SK3072-TB-E enn7224ad.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3072-TB-E - 2SK3072 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1527+16.8 грн
Мінімальне замовлення: 1527
2SK3072-TB-E enn7224ad.pdf
2SK3072-TB-E
Виробник: onsemi
Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1268+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SK3074TE12LF 2SK3074_datasheet_en_20140301-3106875.pdf
2SK3074TE12LF
Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.34 грн
10+ 172.22 грн
100+ 118.7 грн
250+ 109.73 грн
500+ 100.07 грн
1000+ 84.89 грн
2000+ 80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075_datasheet_en_20140301-3107003.pdf
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.68 грн
10+ 397.62 грн
25+ 326.43 грн
100+ 279.5 грн
250+ 264.32 грн
500+ 248.45 грн
1000+ 213.25 грн
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+538.06 грн
10+ 387.09 грн
50+ 332.13 грн
200+ 291.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+538.06 грн
10+ 387.09 грн
50+ 332.13 грн
200+ 291.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3078A(TE12L,F) docget.pdf
2SK3078A(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.5A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 227
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A_datasheet_en_20140301-3106454.pdf
2SK3078A(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.06 грн
10+ 83.33 грн
100+ 56.73 грн
500+ 48.1 грн
1000+ 39.13 грн
2000+ 36.85 грн
5000+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3084(Q)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+195.01 грн
64+ 187.58 грн
Мінімальне замовлення: 62
2SK3090(Q)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+126.27 грн
100+ 120.62 грн
Мінімальне замовлення: 95
2SK3092-TL-E enn6788d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3092-TL-E - 2SK3092 - N-CHANNEL 15V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
517+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 517
2SK3092-TL-E enn6788d.pdf
2SK3092-TL-E
Виробник: onsemi
Description: NCH 15V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 48300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
430+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 430
2SK30
Виробник: TOS
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300
Виробник: TOSHIBA
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300
Виробник: SONY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-1
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-1
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-2
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK300-2
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]