Результат пошуку "IR210" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 192
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 141
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 132
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 111
Мінімальне замовлення: 111
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 77
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 428
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2101PBF Код товару: 22631 |
IR |
  Мікросхеми > Драйвери транзисторівКорпус: DIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 198 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101S Код товару: 14591 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 184 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF Код товару: 92069 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 mA V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Роб.темп.,°С: -55…+150°C |
у наявності: 470 шт
очікується:
30 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2103S Код товару: 22633 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Примітка: Напівміст |
у наявності: 102 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104PBF Код товару: 61916 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: PDIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 A V out, V: 10-20V V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 19 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104SPBF Код товару: 67108 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SOIC-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 147 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104STRPBF Код товару: 11413 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 167 шт
очікується:
7 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2109SPBF Код товару: 12255 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SOIC-8 Uc, V: 20 V I o +/-, A: 0,12/0,25 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 750/200 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 7 шт
|
|
||||||||||||||||
| IR2101 | International Rectifier |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 8790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | International Rectifier |
Description: IR2101 - GATE DRIVER Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101SPBF | International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 555 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 4823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101STR | Infineon |
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101STR | Infineon |
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101STR | JSMicro Semiconductor |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 17634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 32278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102PBF | International Rectifier |
Description: IR2102 - GATE DRIVER Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 33854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 4039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2102SPBF; (SO-8); Driver; high-/low-side switch; 270mA; 10-20V; Каналы:2; INFINEON (IRF) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | International Rectifier |
Description: IR2102S - GATE DRIVER Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IR2101PBF Код товару: 22631 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 198 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 74 грн |
| 10+ | 67.5 грн |
| IR2101S Код товару: 14591 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 184 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38 грн |
| 10+ | 34.2 грн |
| IR2101SPBF Код товару: 92069 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
у наявності: 470 шт
очікується:
30 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 31 грн |
| 10+ | 27.8 грн |
| 100+ | 24.8 грн |
| IR2103S Код товару: 22633 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Примітка: Напівміст
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Примітка: Напівміст
у наявності: 102 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.5 грн |
| 10+ | 31.7 грн |
| IR2104PBF Код товару: 61916 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: PDIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20V V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: PDIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20V V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 19 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145 грн |
| 10+ | 133 грн |
| IR2104SPBF Код товару: 67108 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 147 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68 грн |
| 10+ | 62.5 грн |
| IR2104STRPBF Код товару: 11413 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 167 шт
очікується:
7 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68.5 грн |
| 10+ | 61.4 грн |
| IR2109SPBF Код товару: 12255 |
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 0,12/0,25 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 750/200 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 0,12/0,25 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 750/200 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 7 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52 грн |
| IR2101 |
|
Виробник: International Rectifier
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 65.96 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.99 грн |
| 10+ | 121.31 грн |
| 14+ | 59.94 грн |
| 38+ | 56.37 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.02 грн |
| 3+ | 189.41 грн |
| 10+ | 145.57 грн |
| 14+ | 71.93 грн |
| 38+ | 67.65 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.95 грн |
| 10+ | 213.49 грн |
| 100+ | 159.62 грн |
| 250+ | 151.39 грн |
| 500+ | 136.32 грн |
| 1000+ | 110.98 грн |
| 3000+ | 107.55 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.87 грн |
| 10+ | 205.66 грн |
| 50+ | 194.42 грн |
| 100+ | 158.14 грн |
| 250+ | 150.03 грн |
| 500+ | 134.62 грн |
| 1000+ | 111.67 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 171.24 грн |
| 80+ | 148.47 грн |
| 100+ | 141.54 грн |
| 200+ | 135.53 грн |
| 500+ | 115.77 грн |
| 1000+ | 106.05 грн |
| 2000+ | 103.5 грн |
| 3000+ | 101.81 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IR2101 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR2101 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 192+ | 127.93 грн |
| IR2101S | |
|
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 202.5 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 109.89 грн |
| 5+ | 92.77 грн |
| 13+ | 67.08 грн |
| 34+ | 63.51 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8
на замовлення 55 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 37.94 грн |
| 18+ | 35.41 грн |
| 100+ | 32.87 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.87 грн |
| 5+ | 115.6 грн |
| 13+ | 80.49 грн |
| 34+ | 76.21 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 110.61 грн |
| 121+ | 98.82 грн |
| 133+ | 89.59 грн |
| 250+ | 81.93 грн |
| 500+ | 73.77 грн |
| 1000+ | 64.7 грн |
| 2500+ | 64.29 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 125.47 грн |
| 100+ | 119.86 грн |
| 250+ | 115.05 грн |
| 500+ | 106.94 грн |
| 1000+ | 95.79 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.85 грн |
| 10+ | 153.99 грн |
| 95+ | 123.8 грн |
| 285+ | 109.09 грн |
| 570+ | 95.45 грн |
| 1045+ | 79.09 грн |
| 2565+ | 72.43 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 63.78 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 101.87 грн |
| 10+ | 91.01 грн |
| 100+ | 82.51 грн |
| 250+ | 75.45 грн |
| 500+ | 67.94 грн |
| 1000+ | 59.59 грн |
| 2500+ | 59.21 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 84.83 грн |
| 144+ | 82.65 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.05 грн |
| 10+ | 120.53 грн |
| 100+ | 83.58 грн |
| 250+ | 80.15 грн |
| 500+ | 72.61 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: Infineon
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 56.04 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: Infineon
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 56.04 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 27.67 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 82.23 грн |
| 6+ | 69.93 грн |
| 16+ | 54.95 грн |
| 42+ | 52.09 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 98.67 грн |
| 5+ | 87.15 грн |
| 16+ | 65.94 грн |
| 42+ | 62.51 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 80.64 грн |
| 250+ | 69.82 грн |
| 500+ | 60.86 грн |
| 1000+ | 50.46 грн |
| 2500+ | 50 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.94 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 90.07 грн |
| 139+ | 85.91 грн |
| 156+ | 76.52 грн |
| 200+ | 70.92 грн |
| 500+ | 64.34 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.15 грн |
| 10+ | 95.26 грн |
| 25+ | 90.43 грн |
| 100+ | 69.71 грн |
| 250+ | 65.16 грн |
| 500+ | 57.59 грн |
| 1000+ | 44.72 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.68 грн |
| 10+ | 100.84 грн |
| 100+ | 71.93 грн |
| 250+ | 67.55 грн |
| 500+ | 59.39 грн |
| 1000+ | 46.86 грн |
| 2500+ | 43.71 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.91 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.41 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.95 грн |
| 5000+ | 42.96 грн |
| 12500+ | 41.34 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 136.02 грн |
| 10+ | 106.05 грн |
| 50+ | 96.83 грн |
| 100+ | 80.64 грн |
| 250+ | 69.82 грн |
| 500+ | 60.86 грн |
| 1000+ | 50.46 грн |
| 2500+ | 50 грн |
| IR2102PBF | |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IR2102 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR2102 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 184.71 грн |
| IR2102PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 184.71 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 144.48 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 63.78 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 155.6 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 125.08 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.83 грн |
| 10+ | 129.99 грн |
| 100+ | 111.66 грн |
| 250+ | 106.18 грн |
| 500+ | 87 грн |
| 1000+ | 78.78 грн |
| 2500+ | 76.72 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 171.24 грн |
| 71+ | 168.27 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.33 грн |
| 10+ | 167.53 грн |
| 25+ | 163.69 грн |
| 50+ | 149.14 грн |
| 100+ | 134.37 грн |
| 250+ | 128.45 грн |
| 500+ | 121.2 грн |
| 1000+ | 111.32 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.85 грн |
| 10+ | 153.99 грн |
| 95+ | 123.8 грн |
| 285+ | 109.09 грн |
| 570+ | 95.45 грн |
| 1045+ | 79.09 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 98.21 грн |
| 10+ | 91.24 грн |
| 95+ | 88.85 грн |
| 285+ | 78.74 грн |
| 570+ | 67.65 грн |
| 1045+ | 61.95 грн |
| 2565+ | 59.38 грн |
| IR2102SPBF; (SO-8); Driver; high-/low-side switch; 270mA; 10-20V; Каналы:2; INFINEON (IRF) |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 226.24 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.06 грн |
| 5+ | 80.64 грн |
| 13+ | 67.79 грн |
| 34+ | 64.22 грн |
| 500+ | 61.37 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.27 грн |
| 5+ | 100.48 грн |
| 13+ | 81.35 грн |
| 34+ | 77.07 грн |
| 500+ | 73.64 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.41 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.95 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.87 грн |
| 10+ | 153.7 грн |
| 25+ | 149.08 грн |
| 50+ | 134.15 грн |
| 100+ | 119.88 грн |
| 250+ | 118.57 грн |
| 500+ | 117.91 грн |
| 1000+ | 116.59 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 86.75 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IR2102S - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR2102S - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 428+ | 47.89 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]