Результат пошуку "IR210" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 192
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 141
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 132
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 111
Мінімальне замовлення: 111
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 77
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 79
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2101PBF Код товару: 22631 |
IR |
  Мікросхеми > Драйвери транзисторівКорпус: DIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 198 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101S Код товару: 14591 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 185 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF Код товару: 92069 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 mA V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 160/150 ns Роб.темп.,°С: -55…+150°C |
очікується:
500 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2103S Код товару: 22633 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Примітка: Напівміст |
у наявності: 102 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104PBF Код товару: 61916 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: PDIP-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 A V out, V: 10-20V V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 28 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104SPBF Код товару: 67108 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SOIC-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 130/270 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 155 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2104STRPBF Код товару: 11413 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Uc, V: 600 V I o +/-, A: 0,13/0,27 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 680/150 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 167 шт
очікується:
7 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IR2109SPBF Код товару: 12255 |
IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SOIC-8 Uc, V: 20 V I o +/-, A: 0,12/0,25 A V out, V: 10-20 V T on/T off, ns: 750/200 ns Роб.темп.,°С: -40…+125°C |
у наявності: 9 шт
|
|
||||||||||||||||
| IR2101 | International Rectifier |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 8790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | International Rectifier |
Description: IR2101 - GATE DRIVER Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101S | INTERNATIONAL RECTIFIER |
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101SPBF | International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 564 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2101STR | Infineon |
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101STR | Infineon |
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101STR | JSMicro Semiconductor |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3362 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 6166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 32304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 17634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 33854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102PBF | International Rectifier |
Description: IR2102 - GATE DRIVER Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 4043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2102SPBF; (SO-8); Driver; high-/low-side switch; 270mA; 10-20V; Каналы:2; INFINEON (IRF) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2102STRPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IR2101PBF Код товару: 22631 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Примітка: драйвер для потужних польових транзисторів
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 198 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 74 грн |
| 10+ | 67.5 грн |
| IR2101S Код товару: 14591 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 185 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38 грн |
| 10+ | 34.2 грн |
| IR2101SPBF Код товару: 92069 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
очікується:
500 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 31 грн |
| 10+ | 27.8 грн |
| 100+ | 24.8 грн |
| IR2103S Код товару: 22633 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Примітка: Напівміст
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Примітка: Напівміст
у наявності: 102 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.5 грн |
| 10+ | 31.7 грн |
| IR2104PBF Код товару: 61916 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: PDIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20V V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: PDIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20V V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 28 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 145 грн |
| 10+ | 133 грн |
| IR2104SPBF Код товару: 67108 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 155 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68 грн |
| 10+ | 62.5 грн |
| IR2104STRPBF Код товару: 11413 |
|
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,13/0,27 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 167 шт
очікується:
7 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68.5 грн |
| 10+ | 61.4 грн |
| IR2109SPBF Код товару: 12255 |
|
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 0,12/0,25 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 750/200 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 20 V
I o +/-, A: 0,12/0,25 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 750/200 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 9 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52 грн |
| IR2101 |
|
Виробник: International Rectifier
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 600V; Io+/Io- 130mA/270mA; tON/OFF 160/150ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101; IR2101 UIIR2101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 66.45 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.12 грн |
| 10+ | 122.21 грн |
| 14+ | 61.11 грн |
| 38+ | 57.51 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.6 грн |
| 3+ | 190.81 грн |
| 10+ | 146.65 грн |
| 14+ | 73.33 грн |
| 38+ | 69.01 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 8790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 172.51 грн |
| 80+ | 149.57 грн |
| 100+ | 142.59 грн |
| 200+ | 136.54 грн |
| 500+ | 116.63 грн |
| 1000+ | 106.84 грн |
| 2000+ | 104.27 грн |
| 3000+ | 102.56 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IR2101 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR2101 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 192+ | 128.88 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.82 грн |
| 10+ | 215.08 грн |
| 100+ | 160.8 грн |
| 250+ | 152.52 грн |
| 500+ | 137.34 грн |
| 1000+ | 111.8 грн |
| 3000+ | 108.35 грн |
| IR2101PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.64 грн |
| 10+ | 207.18 грн |
| 50+ | 195.87 грн |
| 100+ | 159.31 грн |
| 250+ | 151.14 грн |
| 500+ | 135.62 грн |
| 1000+ | 112.5 грн |
| IR2101S | |
|
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 202.5 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 110.71 грн |
| 5+ | 93.46 грн |
| 13+ | 68.29 грн |
| 35+ | 64.7 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8
на замовлення 55 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 37.94 грн |
| 18+ | 35.41 грн |
| 100+ | 32.87 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.85 грн |
| 5+ | 116.46 грн |
| 13+ | 81.95 грн |
| 35+ | 77.64 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.17 грн |
| 10+ | 155.14 грн |
| 95+ | 124.72 грн |
| 285+ | 109.9 грн |
| 570+ | 96.16 грн |
| 1045+ | 79.68 грн |
| 2565+ | 72.96 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 111.43 грн |
| 121+ | 99.56 грн |
| 133+ | 90.25 грн |
| 250+ | 82.54 грн |
| 500+ | 74.32 грн |
| 1000+ | 65.18 грн |
| 2500+ | 64.77 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 126.41 грн |
| 100+ | 120.75 грн |
| 250+ | 115.91 грн |
| 500+ | 107.74 грн |
| 1000+ | 96.5 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 103.37 грн |
| 10+ | 92.36 грн |
| 100+ | 83.73 грн |
| 250+ | 76.56 грн |
| 500+ | 68.94 грн |
| 1000+ | 60.47 грн |
| 2500+ | 60.08 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 64.25 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.13 грн |
| 10+ | 134.92 грн |
| 100+ | 96.62 грн |
| 250+ | 92.48 грн |
| 500+ | 82.82 грн |
| 1000+ | 73.15 грн |
| IR2101SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 85.46 грн |
| 144+ | 83.27 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: Infineon
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 56.45 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: Infineon
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 56.45 грн |
| IR2101STR |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 27.88 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 82.84 грн |
| 6+ | 70.45 грн |
| 16+ | 55.35 грн |
| 42+ | 52.48 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 99.41 грн |
| 5+ | 87.79 грн |
| 16+ | 66.43 грн |
| 42+ | 62.97 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 51.32 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.3 грн |
| 5000+ | 43.27 грн |
| 12500+ | 41.65 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.67 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.61 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns
на замовлення 6166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.58 грн |
| 10+ | 101.59 грн |
| 100+ | 72.46 грн |
| 250+ | 68.05 грн |
| 500+ | 59.83 грн |
| 1000+ | 47.2 грн |
| 2500+ | 44.03 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 137.03 грн |
| 10+ | 106.84 грн |
| 50+ | 97.55 грн |
| 100+ | 81.23 грн |
| 250+ | 70.34 грн |
| 500+ | 61.32 грн |
| 1000+ | 50.83 грн |
| 2500+ | 50.37 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.98 грн |
| 10+ | 95.97 грн |
| 25+ | 91.1 грн |
| 100+ | 70.23 грн |
| 250+ | 65.65 грн |
| 500+ | 58.02 грн |
| 1000+ | 45.05 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 90.74 грн |
| 139+ | 86.55 грн |
| 156+ | 77.08 грн |
| 200+ | 71.45 грн |
| 500+ | 64.81 грн |
| IR2101STRPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 81.23 грн |
| 250+ | 70.34 грн |
| 500+ | 61.32 грн |
| 1000+ | 50.83 грн |
| 2500+ | 50.37 грн |
| IR2102PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 186.08 грн |
| IR2102PBF | |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IR2102 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR2102 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 186.08 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2102SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.9 грн |
| 10+ | 168.77 грн |
| 25+ | 164.9 грн |
| 50+ | 150.25 грн |
| 100+ | 135.37 грн |
| 250+ | 129.4 грн |
| 500+ | 122.1 грн |
| 1000+ | 112.15 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 145.56 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 99.66 грн |
| 10+ | 92.59 грн |
| 95+ | 90.16 грн |
| 285+ | 79.9 грн |
| 570+ | 68.65 грн |
| 1045+ | 62.86 грн |
| 2565+ | 60.25 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 156.75 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 160ns
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.47 грн |
| 10+ | 131.75 грн |
| 100+ | 113.87 грн |
| 250+ | 108.35 грн |
| 500+ | 89.03 грн |
| 1000+ | 80.06 грн |
| 2500+ | 77.29 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 64.25 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.17 грн |
| 10+ | 155.14 грн |
| 95+ | 124.72 грн |
| 285+ | 109.9 грн |
| 570+ | 96.16 грн |
| 1045+ | 79.68 грн |
| IR2102SPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 172.51 грн |
| 71+ | 169.52 грн |
| IR2102SPBF; (SO-8); Driver; high-/low-side switch; 270mA; 10-20V; Каналы:2; INFINEON (IRF) |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 227.92 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.77 грн |
| 5+ | 81.23 грн |
| 13+ | 69.01 грн |
| 34+ | 65.42 грн |
| 100+ | 64.7 грн |
| 500+ | 63.26 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.13 грн |
| 5+ | 101.23 грн |
| 13+ | 82.82 грн |
| 34+ | 78.5 грн |
| 100+ | 77.64 грн |
| 500+ | 75.91 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 127.77 грн |
| 10+ | 126.34 грн |
| 25+ | 124.9 грн |
| 100+ | 119.06 грн |
| 250+ | 108.97 грн |
| 500+ | 103.38 грн |
| 1000+ | 102.15 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 118 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 152.56 грн |
| 81+ | 148.58 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 120.77 грн |
| 250+ | 119.45 грн |
| 500+ | 118.78 грн |
| 1000+ | 117.45 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.3 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.67 грн |
| IR2102STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 53.3 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]