Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 3300 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 3300uH±10%, Idc=0.27А, Rdc мax/typ=5.0/4.0 Ohm, радіальні виводи, d=10.5мм, h=14.4мм
Тип: RCH114
Габарити: d=10,5 mm; h=14,4 mm
Робочий струм, А: 0,27 A

Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 47 µH
Точність: -20/+25%
Характеристики: Силова, дротова в броньовому феритовому осерді, 47uH, -20%+25%, Idc=1.35А, Rdc max/typ=0.35/0.27 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=3.6mm
Габарити: 7,5x7,5мм, h=3,6мм

Виробник: ABC Taiwan
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 22 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 22uH±20%, Idc=0.75A(мax), R=0.275 Ohm, Q=20@f=2.52 мHz, SRF=20мHz(мin), -40...+105°C
Габарити: d=7,5 mm; h=5,0 mm

Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 680 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 680uH±10%, Idc=0.35A, Rdc мax=1.18 Ohm, радіальні виводи, d=8.3мм, h=9.5мм
Тип: RCH895
Габарити: d=8,3 mm; h=9,5 mm
Робочий струм, А: 0,27 A

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/135
Монтаж: THT

Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/105
Монтаж: THT

Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/105
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/120
Монтаж: THT

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT

Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT

Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/23
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT

Виробник: Shenzhen Jirui Electronic material
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
Корпус: Вивідний
Напруга макс., V: 72 V
Струм макс., А Imax: 40 A
Струм роб., мА Ihold: 1100 mA
Опір макс., Ohm: 0,27 Ohm
Опір мін., Ohm: 0,15 Ohm

Дроссель 2-х обм. х 6800 мкГн (-10% / +30%), Imax=0,82 А, Rdc-max=0,27 Ом

Виробник: Renesas
MOSFET 500V,20A,MAX 0.27 OHM VGS10V, TO-3P 2SK1518 HIT2SK1518
кількість в упаковці: 1 шт

Виробник: MICROSEMI
SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23
кількість в упаковці: 1 шт