Результат пошуку "100N10" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
B84243A6100N107 B84243A6100N107 EPCOS / TDK Power Line Filters 3-Line EMV-Filter 100A 520/300VDC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+25085.14 грн
10+ 24632.4 грн
BSC100N10NSF G BSC100N10NSF G Infineon Technologies Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 14539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.76 грн
10+ 131.04 грн
100+ 94.96 грн
250+ 92.24 грн
500+ 80.71 грн
1000+ 64.98 грн
2500+ 63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.74 грн
10+ 126.33 грн
100+ 100.58 грн
500+ 79.87 грн
1000+ 67.77 грн
2000+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.56 грн
10000+ 63.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di100n10pq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.33 грн
10+ 86.2 грн
16+ 53.7 грн
43+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI100N10PQ DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di100n10pq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+132.39 грн
10+ 107.41 грн
16+ 64.43 грн
43+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.64 грн
10+ 179.4 грн
100+ 93.6 грн
500+ 92.24 грн
1000+ 89.53 грн
2500+ 78.68 грн
5000+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.12 грн
10+ 94.25 грн
100+ 75.04 грн
500+ 59.59 грн
1000+ 50.56 грн
2000+ 48.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.66 грн
10+ 220.74 грн
100+ 114.63 грн
500+ 113.27 грн
1000+ 109.88 грн
2500+ 96.99 грн
5000+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.27 грн
10+ 115.87 грн
100+ 92.23 грн
500+ 73.24 грн
1000+ 62.14 грн
2000+ 59.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DIT100N10 DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit100n10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.05 грн
10+ 52.28 грн
19+ 45.22 грн
50+ 43.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT100N10 DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit100n10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.84 грн
10+ 62.74 грн
19+ 54.26 грн
50+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
DIT100N10 DIT100N10 Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
DIT100N10 DIT100N10 Diotec Semiconductor dit100n10.pdf MOSFET MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.62 грн
10+ 152.88 грн
100+ 61.72 грн
500+ 61.25 грн
1000+ 48.83 грн
2500+ 45.1 грн
5000+ 42.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DIT100N10 DIT100N10 Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.99 грн
50+ 87.11 грн
100+ 69.03 грн
500+ 54.91 грн
1000+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
ECMF4-40A100N10 ECMF4-40A100N10 STMicroelectronics ecmf2-40a100n6.pdf Description: CMC 100MA 4LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.087" L x 0.053" W (2.20mm x 1.35mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 4
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Height (Max): 0.020" (0.50mm)
Current Rating (Max): 100mA
DC Resistance (DCR) (Max): 3Ohm (Typ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ECMF4-40A100N10 ECMF4-40A100N10 STMicroelectronics ecmf2-40a100n6.pdf Description: CMC 100MA 4LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.087" L x 0.053" W (2.20mm x 1.35mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 4
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Height (Max): 0.020" (0.50mm)
Current Rating (Max): 100mA
DC Resistance (DCR) (Max): 3Ohm (Typ)
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.69 грн
10+ 39.07 грн
25+ 35.83 грн
50+ 30.57 грн
100+ 27.2 грн
250+ 25.68 грн
500+ 21.65 грн
1000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
ECMF4-40A100N10 ECMF4-40A100N10 STMicroelectronics ecmf2_40a100n6-2935932.pdf Common Mode Chokes / Filters Common mode filter with ESD protection for High Speed Serial interface
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
7+50.8 грн
10+ 42.9 грн
25+ 34.18 грн
50+ 31.06 грн
100+ 27.67 грн
250+ 26.11 грн
500+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDP100N10 FDP100N10 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 159
FDP100N10 FDP100N10 onsemi / Fairchild FDP100N10_D-2312530.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.97 грн
10+ 232.44 грн
50+ 175.67 грн
100+ 149.9 грн
500+ 132.94 грн
800+ 107.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10 FDP100N10 onsemi fdp100n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.39 грн
50+ 183.94 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.76 грн
10+ 143.92 грн
100+ 114.58 грн
500+ 90.98 грн
1000+ 77.2 грн
2000+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N10S5L040_DS_v01_00_EN-3362019.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.08 грн
10+ 158.34 грн
100+ 109.88 грн
250+ 109.2 грн
500+ 92.92 грн
1000+ 75.29 грн
5000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 15651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.76 грн
10+ 143.92 грн
100+ 114.58 грн
500+ 90.98 грн
1000+ 77.2 грн
2000+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N10S5N040_DataSheet_v01_00_EN-3361971.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.08 грн
10+ 158.34 грн
100+ 109.88 грн
500+ 92.92 грн
1000+ 75.29 грн
5000+ 72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB100N10S3-05 IPB100N10S3-05 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I100N10S3_DataSheet_v01_01_EN-3362452.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.23 грн
10+ 328.38 грн
25+ 269.95 грн
100+ 231.29 грн
250+ 218.4 грн
500+ 205.51 грн
1000+ 174.31 грн
IPB100N10S305ATMA1 IPB100N10S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+191.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB100N10S305ATMA1 IPB100N10S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.25 грн
10+ 300.2 грн
100+ 242.84 грн
500+ 202.57 грн
IPI100N10S305AKSA1 IPI100N10S305AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 160
IPP100N10S3-05 IPP100N10S3-05 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I100N10S3_DataSheet_v01_01_EN-3362452.pdf MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.84 грн
10+ 368.94 грн
25+ 294.37 грн
100+ 270.63 грн
500+ 236.03 грн
IPP100N10S305AKSA1 IPP100N10S305AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.27 грн
50+ 308.88 грн
MPEB-100N10/400 MPEB-100N10/400 SR PASSIVES mpeb.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 100nF; 400VDC; 10mm; ±10%; 13x5x11mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 400V DC
Leads dimensions: L 15mm
Capacitors series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Tolerance: ±10%
Capacitance: 0.1µF
Body dimensions: 13x5x11mm
Type of capacitor: polyester
Terminal pitch: 10mm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.86 грн
80+ 4.69 грн
100+ 4.32 грн
240+ 3.57 грн
640+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 70
MPEB-100N10/400 MPEB-100N10/400 SR PASSIVES mpeb.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 100nF; 400VDC; 10mm; ±10%; 13x5x11mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 400V DC
Leads dimensions: L 15mm
Capacitors series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Tolerance: ±10%
Capacitance: 0.1µF
Body dimensions: 13x5x11mm
Type of capacitor: polyester
Terminal pitch: 10mm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.03 грн
50+ 5.85 грн
100+ 5.18 грн
240+ 4.28 грн
640+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 40
NDBA100N10BT4H NDBA100N10BT4H onsemi NDBA100N10B_Rev1_Mar2015.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 50 V
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 310
NTY100N10G NTY100N10G onsemi nty100n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+546.14 грн
Мінімальне замовлення: 38
PG-100N-101R PG-100N-101R Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46677.72 грн
PG-100N-102R PG-100N-102R Nidec Components pg_100n-1893552.pdf Environmental Test Equipment - 10 ~ 10 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+34702.65 грн
10+ 33027.54 грн
25+ 28474.75 грн
50+ 28278.05 грн
100+ 28004.71 грн
250+ 27605.22 грн
500+ 27521.11 грн
PG-100N-102R PG-100N-102R Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33512.28 грн
5+ 31195.05 грн
PG-100N-102R-W PG-100N-102R-W Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND SELECT
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34110.24 грн
PG-100N-102R-W PG-100N-102R-W Nidec Components pg_100n-1893552.pdf Environmental Test Equipment - 100 ~ 100 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36539.27 грн
10+ 34813.74 грн
PG-100N-103R PG-100N-103R Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33512.28 грн
5+ 31195.05 грн
10+ 30119.37 грн
PG-100N-103R PG-100N-103R Nidec Components pg_100n-1893552.pdf Environmental Test Equipment - 100 ~ 100 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35897.52 грн
10+ 34203 грн
25+ 27690.68 грн
50+ 27281.69 грн
100+ 26665.15 грн
250+ 26404.7 грн
PG-100N-103R-M PG-100N-103R-M Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33512.28 грн
PG-100N-103R-W PG-100N-103R-W Nidec Components pg_100n-1893552.pdf Environmental Test Equipment - 100 ~ 1000 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35323.03 грн
10+ 33611.76 грн
25+ 28420.49 грн
50+ 28227.86 грн
100+ 27957.23 грн
250+ 27563.17 грн
500+ 27490.59 грн
PG-100N-103R-W PG-100N-103R-W Nidec Components Corporation pg-100n.pdf Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34110.24 грн
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay / Siliconix sqm100n1.pdf MOSFET 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.77 грн
10+ 183.3 грн
25+ 149.9 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.41 грн
500+ 114.63 грн
800+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.17 грн
10+ 166.74 грн
100+ 134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB100N10F7 STB100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.78 грн
10+ 164.58 грн
100+ 113.95 грн
250+ 105.13 грн
500+ 95.63 грн
1000+ 82.07 грн
2000+ 77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.33 грн
5000+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 11403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.58 грн
10+ 151.32 грн
100+ 107.17 грн
250+ 105.81 грн
500+ 90.21 грн
1000+ 80.03 грн
2500+ 75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.89 грн
10+ 147.8 грн
100+ 117.65 грн
500+ 93.42 грн
1000+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF100N10F7 STF100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.28 грн
50+ 129.66 грн
100+ 106.68 грн
500+ 84.71 грн
1000+ 71.88 грн
2000+ 68.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF100N10F7 STF100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF100N10F7 STF100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.63 грн
10+ 108.42 грн
100+ 84.78 грн
500+ 77.32 грн
1000+ 71.9 грн
2000+ 67.83 грн
5000+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics en.DM00064442.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.13 грн
6000+ 70.55 грн
9000+ 68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL100N10F7 STL100N10F7 STMicroelectronics stl100n10f7-1850931.pdf MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.42 грн
10+ 148.2 грн
100+ 102.42 грн
250+ 94.28 грн
500+ 85.46 грн
1000+ 73.25 грн
3000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
B84243A6100N107
B84243A6100N107
Виробник: EPCOS / TDK
Power Line Filters 3-Line EMV-Filter 100A 520/300VDC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+25085.14 грн
10+ 24632.4 грн
BSC100N10NSF G Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf
BSC100N10NSF G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 14539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.76 грн
10+ 131.04 грн
100+ 94.96 грн
250+ 92.24 грн
500+ 80.71 грн
1000+ 64.98 грн
2500+ 63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.74 грн
10+ 126.33 грн
100+ 100.58 грн
500+ 79.87 грн
1000+ 67.77 грн
2000+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57
BSC100N10NSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+68.56 грн
10000+ 63.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+110.33 грн
10+ 86.2 грн
16+ 53.7 грн
43+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.39 грн
10+ 107.41 грн
16+ 64.43 грн
43+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.64 грн
10+ 179.4 грн
100+ 93.6 грн
500+ 92.24 грн
1000+ 89.53 грн
2500+ 78.68 грн
5000+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.12 грн
10+ 94.25 грн
100+ 75.04 грн
500+ 59.59 грн
1000+ 50.56 грн
2000+ 48.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ-AQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.66 грн
10+ 220.74 грн
100+ 114.63 грн
500+ 113.27 грн
1000+ 109.88 грн
2500+ 96.99 грн
5000+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ-AQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ-AQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.27 грн
10+ 115.87 грн
100+ 92.23 грн
500+ 73.24 грн
1000+ 62.14 грн
2000+ 59.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
DIT100N10 dit100n10.pdf
DIT100N10
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.05 грн
10+ 52.28 грн
19+ 45.22 грн
50+ 43.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT100N10 dit100n10.pdf
DIT100N10
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.84 грн
10+ 62.74 грн
19+ 54.26 грн
50+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
DIT100N10 dit100n10.pdf
DIT100N10
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
DIT100N10 dit100n10.pdf
DIT100N10
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.62 грн
10+ 152.88 грн
100+ 61.72 грн
500+ 61.25 грн
1000+ 48.83 грн
2500+ 45.1 грн
5000+ 42.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DIT100N10 dit100n10.pdf
DIT100N10
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.99 грн
50+ 87.11 грн
100+ 69.03 грн
500+ 54.91 грн
1000+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
ECMF4-40A100N10 ecmf2-40a100n6.pdf
ECMF4-40A100N10
Виробник: STMicroelectronics
Description: CMC 100MA 4LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.087" L x 0.053" W (2.20mm x 1.35mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 4
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Height (Max): 0.020" (0.50mm)
Current Rating (Max): 100mA
DC Resistance (DCR) (Max): 3Ohm (Typ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ECMF4-40A100N10 ecmf2-40a100n6.pdf
ECMF4-40A100N10
Виробник: STMicroelectronics
Description: CMC 100MA 4LN SMD ESD
Features: TVS Diode ESD Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFDFN
Filter Type: Signal Line
Size / Dimension: 0.087" L x 0.053" W (2.20mm x 1.35mm)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Lines: 4
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Height (Max): 0.020" (0.50mm)
Current Rating (Max): 100mA
DC Resistance (DCR) (Max): 3Ohm (Typ)
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.69 грн
10+ 39.07 грн
25+ 35.83 грн
50+ 30.57 грн
100+ 27.2 грн
250+ 25.68 грн
500+ 21.65 грн
1000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
ECMF4-40A100N10 ecmf2_40a100n6-2935932.pdf
ECMF4-40A100N10
Виробник: STMicroelectronics
Common Mode Chokes / Filters Common mode filter with ESD protection for High Speed Serial interface
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.8 грн
10+ 42.9 грн
25+ 34.18 грн
50+ 31.06 грн
100+ 27.67 грн
250+ 26.11 грн
500+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDP100N10 ONSM-S-A0003585389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP100N10
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 159
FDP100N10 FDP100N10_D-2312530.pdf
FDP100N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.97 грн
10+ 232.44 грн
50+ 175.67 грн
100+ 149.9 грн
500+ 132.94 грн
800+ 107.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10 fdp100n10-d.pdf
FDP100N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.39 грн
50+ 183.94 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
IAUC100N10S5L040ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.76 грн
10+ 143.92 грн
100+ 114.58 грн
500+ 90.98 грн
1000+ 77.2 грн
2000+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon_IAUC100N10S5L040_DS_v01_00_EN-3362019.pdf
IAUC100N10S5L040ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.08 грн
10+ 158.34 грн
100+ 109.88 грн
250+ 109.2 грн
500+ 92.92 грн
1000+ 75.29 грн
5000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+78.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 15651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.76 грн
10+ 143.92 грн
100+ 114.58 грн
500+ 90.98 грн
1000+ 77.2 грн
2000+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon_IAUC100N10S5N040_DataSheet_v01_00_EN-3361971.pdf
IAUC100N10S5N040ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.08 грн
10+ 158.34 грн
100+ 109.88 грн
500+ 92.92 грн
1000+ 75.29 грн
5000+ 72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB100N10S3-05 Infineon_IPP_B_I100N10S3_DataSheet_v01_01_EN-3362452.pdf
IPB100N10S3-05
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.23 грн
10+ 328.38 грн
25+ 269.95 грн
100+ 231.29 грн
250+ 218.4 грн
500+ 205.51 грн
1000+ 174.31 грн
IPB100N10S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
IPB100N10S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+191.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB100N10S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
IPB100N10S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+371.25 грн
10+ 300.2 грн
100+ 242.84 грн
500+ 202.57 грн
IPI100N10S305AKSA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
IPI100N10S305AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 160
IPP100N10S3-05 Infineon_IPP_B_I100N10S3_DataSheet_v01_01_EN-3362452.pdf
IPP100N10S3-05
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.84 грн
10+ 368.94 грн
25+ 294.37 грн
100+ 270.63 грн
500+ 236.03 грн
IPP100N10S305AKSA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
IPP100N10S305AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.27 грн
50+ 308.88 грн
MPEB-100N10/400 mpeb.pdf
MPEB-100N10/400
Виробник: SR PASSIVES
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 100nF; 400VDC; 10mm; ±10%; 13x5x11mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 400V DC
Leads dimensions: L 15mm
Capacitors series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Tolerance: ±10%
Capacitance: 0.1µF
Body dimensions: 13x5x11mm
Type of capacitor: polyester
Terminal pitch: 10mm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.86 грн
80+ 4.69 грн
100+ 4.32 грн
240+ 3.57 грн
640+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 70
MPEB-100N10/400 mpeb.pdf
MPEB-100N10/400
Виробник: SR PASSIVES
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 100nF; 400VDC; 10mm; ±10%; 13x5x11mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 400V DC
Leads dimensions: L 15mm
Capacitors series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Tolerance: ±10%
Capacitance: 0.1µF
Body dimensions: 13x5x11mm
Type of capacitor: polyester
Terminal pitch: 10mm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.03 грн
50+ 5.85 грн
100+ 5.18 грн
240+ 4.28 грн
640+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 40
NDBA100N10BT4H NDBA100N10B_Rev1_Mar2015.pdf
NDBA100N10BT4H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 50 V
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
310+66.64 грн
Мінімальне замовлення: 310
NTY100N10G nty100n10-d.pdf
NTY100N10G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+546.14 грн
Мінімальне замовлення: 38
PG-100N-101R pg-100n.pdf
PG-100N-101R
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+46677.72 грн
PG-100N-102R pg_100n-1893552.pdf
PG-100N-102R
Виробник: Nidec Components
Environmental Test Equipment - 10 ~ 10 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+34702.65 грн
10+ 33027.54 грн
25+ 28474.75 грн
50+ 28278.05 грн
100+ 28004.71 грн
250+ 27605.22 грн
500+ 27521.11 грн
PG-100N-102R pg-100n.pdf
PG-100N-102R
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+33512.28 грн
5+ 31195.05 грн
PG-100N-102R-W pg-100n.pdf
PG-100N-102R-W
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND SELECT
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+34110.24 грн
PG-100N-102R-W pg_100n-1893552.pdf
PG-100N-102R-W
Виробник: Nidec Components
Environmental Test Equipment - 100 ~ 100 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+36539.27 грн
10+ 34813.74 грн
PG-100N-103R pg-100n.pdf
PG-100N-103R
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+33512.28 грн
5+ 31195.05 грн
10+ 30119.37 грн
PG-100N-103R pg_100n-1893552.pdf
PG-100N-103R
Виробник: Nidec Components
Environmental Test Equipment - 100 ~ 100 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+35897.52 грн
10+ 34203 грн
25+ 27690.68 грн
50+ 27281.69 грн
100+ 26665.15 грн
250+ 26404.7 грн
PG-100N-103R-M pg-100n.pdf
PG-100N-103R-M
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+33512.28 грн
PG-100N-103R-W pg_100n-1893552.pdf
PG-100N-103R-W
Виробник: Nidec Components
Environmental Test Equipment - 100 ~ 1000 kPa, gauge compound version, non-corrosive gases, M 5 female, various measuring unit options
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+35323.03 грн
10+ 33611.76 грн
25+ 28420.49 грн
50+ 28227.86 грн
100+ 27957.23 грн
250+ 27563.17 грн
500+ 27490.59 грн
PG-100N-103R-W pg-100n.pdf
PG-100N-103R-W
Виробник: Nidec Components Corporation
Description: MANOMETER GAUGE COMPOUND
Packaging: Box
Type: Manometer
Includes: Battery, Half Union, Barb Fitting
For Measuring: Pressure (Air)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+34110.24 грн
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+124.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.77 грн
10+ 183.3 грн
25+ 149.9 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.41 грн
500+ 114.63 грн
800+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.17 грн
10+ 166.74 грн
100+ 134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB100N10F7 stb100n10f7-1850220.pdf
STB100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.78 грн
10+ 164.58 грн
100+ 113.95 грн
250+ 105.13 грн
500+ 95.63 грн
1000+ 82.07 грн
2000+ 77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD100N10F7 en.DM00066568.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+83.33 грн
5000+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD100N10F7 stb100n10f7-1850220.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 11403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.58 грн
10+ 151.32 грн
100+ 107.17 грн
250+ 105.81 грн
500+ 90.21 грн
1000+ 80.03 грн
2500+ 75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD100N10F7 en.DM00066568.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 13195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.89 грн
10+ 147.8 грн
100+ 117.65 грн
500+ 93.42 грн
1000+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF100N10F7 en.DM00066568.pdf
STF100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.28 грн
50+ 129.66 грн
100+ 106.68 грн
500+ 84.71 грн
1000+ 71.88 грн
2000+ 68.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF100N10F7 stb100n10f7.pdf
STF100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF100N10F7 stb100n10f7-1850220.pdf
STF100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.63 грн
10+ 108.42 грн
100+ 84.78 грн
500+ 77.32 грн
1000+ 71.9 грн
2000+ 67.83 грн
5000+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL100N10F7 en.DM00064442.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+76.13 грн
6000+ 70.55 грн
9000+ 68.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL100N10F7 stl100n10f7-1850931.pdf
STL100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.42 грн
10+ 148.2 грн
100+ 102.42 грн
250+ 94.28 грн
500+ 85.46 грн
1000+ 73.25 грн
3000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]