Результат пошуку "15n6" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP15N65F5_DS_v02_01_EN-1731657.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.71 грн
10+ 150.48 грн
100+ 106.15 грн
500+ 86.79 грн
1000+ 70.77 грн
2500+ 70.1 грн
5000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP15N65H5_DS_v02_01_EN-1731658.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.71 грн
10+ 150.48 грн
100+ 106.15 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 70.77 грн
2500+ 70.1 грн
5000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKU15N60R IKU15N60R Infineon Technologies INFNS16888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 320
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+212.1 грн
3+ 184.59 грн
7+ 141.03 грн
19+ 132.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
MG15N680J500CT MG15N680J500CT WALSIN Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+0.52 грн
2000+ 0.18 грн
5000+ 0.15 грн
6300+ 0.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
MG15N680J500CT MG15N680J500CT WALSIN Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
500+0.63 грн
1200+ 0.23 грн
5000+ 0.18 грн
6300+ 0.16 грн
10000+ 0.15 грн
20000+ 0.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
MGP15N60U MGP15N60U onsemi ONSM-S-A0005942401-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 26A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 360
MPEB-15N/630 SR PASSIVES MPEB-15N/630 THT Film Capacitors
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
24+11.72 грн
131+ 7.48 грн
358+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
RF15N620J500CT RF15N620J500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 62pF 5% 50V
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.76 грн
41+ 7.52 грн
100+ 3.34 грн
1000+ 2.14 грн
2500+ 2 грн
10000+ 1.6 грн
20000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
RF15N680J250CT RF15N680J250CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 68pF 5% 25V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.41 грн
63+ 4.91 грн
125+ 2.14 грн
1000+ 1.4 грн
2500+ 1.27 грн
10000+ 1 грн
20000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N6R2B500CT Walsin Конденсатор керамический C-0402 6,2 пФ ±0,1 пФ 50 В C0G (NP0) RF Microwave / High Q
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
67+4.18 грн
77+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 67
RF15N6R2B500CT Walsin Конденсатор керамічний C-0603 6,2 пФ ±0,25 пФ 50 В C0G (NP0)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
500+0.56 грн
556+ 0.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
RF15N6R2C500CT RF15N6R2C500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 6.2 pF, +/- 0.25pF 50 V T&R RF
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.41 грн
122+ 2.53 грн
236+ 1.13 грн
1000+ 0.73 грн
10000+ 0.53 грн
100000+ 0.4 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N6R8B250CT RF15N6R8B250CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1pF 25V
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.62 грн
39+ 8.06 грн
100+ 3.61 грн
1000+ 2.34 грн
2500+ 2.14 грн
10000+ 1.74 грн
20000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
RF15N6R8B500CT RF15N6R8B500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1% 50V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.41 грн
63+ 4.91 грн
125+ 2.14 грн
1000+ 1.4 грн
2500+ 1.27 грн
10000+ 1 грн
20000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
SGB15N60 SGB15N60 Infineon Technologies INFNS10027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 268
SGB15N60HSATMA1 SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies INFNS10027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 268
SGP15N60RUFTU SGP15N60RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/44ns
Switching Energy: 320µJ (on), 356µJ (off)
Test Condition: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+221.79 грн
Мінімальне замовлення: 92
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.79 грн
5+ 187.19 грн
7+ 137.7 грн
20+ 130.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.41 грн
10+ 175.05 грн
100+ 120.84 грн
250+ 111.49 грн
500+ 102.14 грн
1000+ 86.12 грн
2000+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 SIHA15N60E-GE3 Vishay Siliconix siha15n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N60E-GE3 SIHA15N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.41 грн
10+ 175.05 грн
100+ 120.84 грн
250+ 111.49 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 88.79 грн
2000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 SIHA15N60E-GE3 Vishay Siliconix siha15n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.32 грн
10+ 159.53 грн
100+ 126.96 грн
500+ 100.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.93 грн
10+ 163.91 грн
100+ 132.58 грн
1000+ 94.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.31 грн
10+ 179.65 грн
25+ 147.54 грн
100+ 126.85 грн
250+ 119.5 грн
500+ 112.16 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.77 грн
50+ 153.3 грн
100+ 131.4 грн
500+ 109.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.97 грн
10+ 178.89 грн
25+ 126.85 грн
100+ 112.83 грн
250+ 110.82 грн
500+ 103.48 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+296.57 грн
5+ 256.52 грн
6+ 189.44 грн
14+ 178.59 грн
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.11 грн
10+ 191.94 грн
100+ 134.86 грн
500+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-BE3 SIHP15N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp15n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 139.53 грн
100+ 119.5 грн
250+ 112.83 грн
500+ 106.82 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-BE3 SIHP15N60E-BE3 Vishay Siliconix sihp15n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.1 грн
50+ 146.39 грн
100+ 125.48 грн
500+ 104.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Vishay Semiconductors sihp15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.48 грн
10+ 98.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
10+ 124.38 грн
25+ 90.8 грн
100+ 88.12 грн
2000+ 86.12 грн
5000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 16563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.32 грн
50+ 102.91 грн
100+ 88.21 грн
500+ 80.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.44 грн
10+ 194.24 грн
50+ 158.89 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
1000+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SKB15N60ATMA1 SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies SKB15N60.pdf Description: IGBT 600V 31A 139W TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 201
SKB15N60E8151 SKB15N60E8151 Infineon Technologies INFNS11148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 204
SPA15N60C3 SPA15N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A15N60C3_DataSheet_v03_03_EN-3363666.pdf MOSFET N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.72 грн
10+ 189.64 грн
25+ 143.54 грн
100+ 129.52 грн
250+ 128.85 грн
500+ 108.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60C3; 15A; 650V; 34W; 0,28R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Infineon
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+222.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.85 грн
3+ 234.36 грн
5+ 179.42 грн
13+ 169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+337.02 грн
3+ 292.05 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies spp_i_a15n60c3_rev1.3.2new.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.37 грн
50+ 185.86 грн
100+ 159.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60CFD SPA15N60CFD Infineon Technologies Infineon_SPA15N60CFD_DS_v01_00_en-3360324.pdf MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.46 грн
10+ 266.41 грн
25+ 172.91 грн
100+ 168.91 грн
500+ 166.24 грн
1000+ 146.21 грн
2500+ 137.53 грн
SPI15N60C3 SPI15N60C3 Infineon Technologies INFN-S-A0004583382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+109.54 грн
Мінімальне замовлення: 185
SPI15N60CFD SPI15N60CFD Infineon Technologies spi15n60cfd_rev1.0_b.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 173
SPI15N65C3XKSA1 SPI15N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPI15N65C3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.03 грн
Мінімальне замовлення: 168
SPP15N60C3XKSA1 SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.32 грн
50+ 201.49 грн
100+ 172.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP15N60C3XKSA1 SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A15N60C3_DS_v03_03_EN-3167159.pdf MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.51 грн
10+ 265.64 грн
25+ 192.27 грн
100+ 164.9 грн
250+ 164.23 грн
500+ 146.21 грн
1000+ 118.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP15N60C3XKSA1 SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP15N65C3XKSA1 SPP15N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW15N60C3FKSA1 SPW15N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW15N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42de9484914 Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.48 грн
30+ 242.89 грн
120+ 208.2 грн
SPW15N60CFDFKSA1 SPW15N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW15N60CFD_rev1.2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431936bc4b01195b5b2944324b Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+144.7 грн
Мінімальне замовлення: 141
STD15N60DM6 STD15N60DM6 STMicroelectronics std15n60dm6-1927859.pdf MOSFET N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.56 грн
10+ 128.22 грн
100+ 88.79 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 63.96 грн
2500+ 60.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD15N60DM6 STD15N60DM6 STMicroelectronics std15n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N60DM6 STD15N60DM6 STMicroelectronics std15n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.88 грн
10+ 116.62 грн
100+ 92.79 грн
500+ 73.69 грн
1000+ 62.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD15N60M2-EP STD15N60M2-EP STMicroelectronics std15n60m2_ep-1850320.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.17 грн
10+ 97.5 грн
100+ 67.43 грн
250+ 62.09 грн
500+ 56.75 грн
1000+ 48.6 грн
2500+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N65M5 STD15N65M5 STMicroelectronics en.DM00055373.pdf Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.59 грн
10+ 265.58 грн
100+ 214.85 грн
500+ 179.23 грн
1000+ 153.46 грн
IKP15N60TXKSA1 infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKP15N65F5XKSA1 Infineon_IKP15N65F5_DS_v02_01_EN-1731657.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.71 грн
10+ 150.48 грн
100+ 106.15 грн
500+ 86.79 грн
1000+ 70.77 грн
2500+ 70.1 грн
5000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N65H5XKSA1 Infineon_IKP15N65H5_DS_v02_01_EN-1731658.pdf
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.71 грн
10+ 150.48 грн
100+ 106.15 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 70.77 грн
2500+ 70.1 грн
5000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKU15N60R INFNS16888-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKU15N60R
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO251-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
320+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 320
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.1 грн
3+ 184.59 грн
7+ 141.03 грн
19+ 132.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
MG15N680J500CT
MG15N680J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+0.52 грн
2000+ 0.18 грн
5000+ 0.15 грн
6300+ 0.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
MG15N680J500CT
MG15N680J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 68pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Type of capacitor: ceramic
Tolerance: ±5%
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 68pF
Kind of capacitor: MLCC
Operating voltage: 50V
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+0.63 грн
1200+ 0.23 грн
5000+ 0.18 грн
6300+ 0.16 грн
10000+ 0.15 грн
20000+ 0.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
MGP15N60U ONSM-S-A0005942401-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MGP15N60U
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 26A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
360+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 360
MPEB-15N/630
Виробник: SR PASSIVES
MPEB-15N/630 THT Film Capacitors
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+11.72 грн
131+ 7.48 грн
358+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
RF15N620J500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N620J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 62pF 5% 50V
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.76 грн
41+ 7.52 грн
100+ 3.34 грн
1000+ 2.14 грн
2500+ 2 грн
10000+ 1.6 грн
20000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
RF15N680J250CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N680J250CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 68pF 5% 25V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.41 грн
63+ 4.91 грн
125+ 2.14 грн
1000+ 1.4 грн
2500+ 1.27 грн
10000+ 1 грн
20000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N6R2B500CT
Виробник: Walsin
Конденсатор керамический C-0402 6,2 пФ ±0,1 пФ 50 В C0G (NP0) RF Microwave / High Q
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+4.18 грн
77+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 67
RF15N6R2B500CT
Виробник: Walsin
Конденсатор керамічний C-0603 6,2 пФ ±0,25 пФ 50 В C0G (NP0)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+0.56 грн
556+ 0.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
RF15N6R2C500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N6R2C500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 6.2 pF, +/- 0.25pF 50 V T&R RF
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.41 грн
122+ 2.53 грн
236+ 1.13 грн
1000+ 0.73 грн
10000+ 0.53 грн
100000+ 0.4 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N6R8B250CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N6R8B250CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1pF 25V
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.62 грн
39+ 8.06 грн
100+ 3.61 грн
1000+ 2.34 грн
2500+ 2.14 грн
10000+ 1.74 грн
20000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
RF15N6R8B500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N6R8B500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6.8pF +-0.1% 50V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.41 грн
63+ 4.91 грн
125+ 2.14 грн
1000+ 1.4 грн
2500+ 1.27 грн
10000+ 1 грн
20000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 38
SGB15N60 INFNS10027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGB15N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
268+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 268
SGB15N60HSATMA1 INFNS10027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGB15N60HSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
268+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 268
SGP15N60RUFTU FAIRS17580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP15N60RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/44ns
Switching Energy: 320µJ (on), 356µJ (off)
Test Condition: 300V, 15A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
92+221.79 грн
Мінімальне замовлення: 92
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.79 грн
5+ 187.19 грн
7+ 137.7 грн
20+ 130.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.41 грн
10+ 175.05 грн
100+ 120.84 грн
250+ 111.49 грн
500+ 102.14 грн
1000+ 86.12 грн
2000+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+94.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N60E-GE3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.41 грн
10+ 175.05 грн
100+ 120.84 грн
250+ 111.49 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 88.79 грн
2000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-GE3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.32 грн
10+ 159.53 грн
100+ 126.96 грн
500+ 100.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 sihb15n60e.pdf
SIHB15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.93 грн
10+ 163.91 грн
100+ 132.58 грн
1000+ 94.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 sihb15n60e.pdf
SIHB15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.31 грн
10+ 179.65 грн
25+ 147.54 грн
100+ 126.85 грн
250+ 119.5 грн
500+ 112.16 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.77 грн
50+ 153.3 грн
100+ 131.4 грн
500+ 109.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.97 грн
10+ 178.89 грн
25+ 126.85 грн
100+ 112.83 грн
250+ 110.82 грн
500+ 103.48 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.57 грн
5+ 256.52 грн
6+ 189.44 грн
14+ 178.59 грн
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.11 грн
10+ 191.94 грн
100+ 134.86 грн
500+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-BE3 sihp15n60e.pdf
SIHP15N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.62 грн
10+ 170.44 грн
25+ 139.53 грн
100+ 119.5 грн
250+ 112.83 грн
500+ 106.82 грн
1000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-BE3 sihp15n60e.pdf
SIHP15N60E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.1 грн
50+ 146.39 грн
100+ 125.48 грн
500+ 104.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N60E-E3 sihp15n60e.pdf
SIHP15N60E-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.48 грн
10+ 98.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP15N60E-GE3 sihp15n60e.pdf
SIHP15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.09 грн
10+ 124.38 грн
25+ 90.8 грн
100+ 88.12 грн
2000+ 86.12 грн
5000+ 85.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N60E-GE3 sihp15n60e.pdf
SIHP15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 16563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.32 грн
50+ 102.91 грн
100+ 88.21 грн
500+ 80.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.44 грн
10+ 194.24 грн
50+ 158.89 грн
100+ 136.19 грн
250+ 128.85 грн
500+ 120.84 грн
1000+ 99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SKB15N60ATMA1 SKB15N60.pdf
SKB15N60ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 31A 139W TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 6373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 201
SKB15N60E8151 INFNS11148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SKB15N60E8151
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 31A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 204
SPA15N60C3 Infineon_SPP_I_A15N60C3_DataSheet_v03_03_EN-3363666.pdf
SPA15N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.72 грн
10+ 189.64 грн
25+ 143.54 грн
100+ 129.52 грн
250+ 128.85 грн
500+ 108.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60C3; 15A; 650V; 34W; 0,28R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Infineon
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+222.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA15N60C3XKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.85 грн
3+ 234.36 грн
5+ 179.42 грн
13+ 169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60C3XKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.02 грн
3+ 292.05 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
SPA15N60C3XKSA1 spp_i_a15n60c3_rev1.3.2new.pdf
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA15N60C3XKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.37 грн
50+ 185.86 грн
100+ 159.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA15N60CFD Infineon_SPA15N60CFD_DS_v01_00_en-3360324.pdf
SPA15N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.46 грн
10+ 266.41 грн
25+ 172.91 грн
100+ 168.91 грн
500+ 166.24 грн
1000+ 146.21 грн
2500+ 137.53 грн
SPI15N60C3 INFN-S-A0004583382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI15N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+109.54 грн
Мінімальне замовлення: 185
SPI15N60CFD spi15n60cfd_rev1.0_b.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI15N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 173
SPI15N65C3XKSA1 SPI15N65C3.pdf
SPI15N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
168+121.03 грн
Мінімальне замовлення: 168
SPP15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPP15N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.32 грн
50+ 201.49 грн
100+ 172.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP15N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A15N60C3_DS_v03_03_EN-3167159.pdf
SPP15N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.51 грн
10+ 265.64 грн
25+ 192.27 грн
100+ 164.9 грн
250+ 164.23 грн
500+ 146.21 грн
1000+ 118.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP15N60C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP15N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP15N65C3XKSA1 INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP15N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 166
SPW15N60C3FKSA1 SPW15N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42de9484914
SPW15N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.48 грн
30+ 242.89 грн
120+ 208.2 грн
SPW15N60CFDFKSA1 SPW15N60CFD_rev1.2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431936bc4b01195b5b2944324b
SPW15N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+144.7 грн
Мінімальне замовлення: 141
STD15N60DM6 std15n60dm6-1927859.pdf
STD15N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.56 грн
10+ 128.22 грн
100+ 88.79 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 63.96 грн
2500+ 60.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD15N60DM6 std15n60dm6.pdf
STD15N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N60DM6 std15n60dm6.pdf
STD15N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 338mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.88 грн
10+ 116.62 грн
100+ 92.79 грн
500+ 73.69 грн
1000+ 62.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD15N60M2-EP std15n60m2_ep-1850320.pdf
STD15N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 97.5 грн
100+ 67.43 грн
250+ 62.09 грн
500+ 56.75 грн
1000+ 48.6 грн
2500+ 46.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N65M5 en.DM00055373.pdf
STD15N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.59 грн
10+ 265.58 грн
100+ 214.85 грн
500+ 179.23 грн
1000+ 153.46 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]