Результат пошуку "2N22" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 312
Мінімальне замовлення: 61
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box |
на замовлення 5727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box |
на замовлення 5727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222A; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz; CDIL |
на замовлення 36 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology | NPN Silicon Switching Transistor |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology | NPN Silicon Switching Transistor |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology | NPN Silicon Switching Transistor |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology | NPN Silicon Switching Transistor |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 212 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AP; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-92; 300Mhz; CDIL |
на замовлення 312 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222AUA | Optek / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 200 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB | Optek / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB | Optek Technology (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB | TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 150 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
Description: RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model |
на замовлення 25 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2222AUBC | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2243A BK PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN AMPL/SWITCH Small Signal |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N2270 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Spd SW |
на замовлення 996 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N22 | MOTOROLA |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N220 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N220 | MOT | CAN |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2200 | MOT | CAN |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2202 | MOT | CAN |
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2203 | MOT | CAN |
на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2204 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2205 | MOT | CAN |
на замовлення 827 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2205 | MOTOROLA |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2206 | MOT | CAN |
на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2208 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2209 | MOT | CAN |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N220A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N221 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2210 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N2214 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2216 | MOT | CAN |
на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2217 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2217A | MOT | CAN |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2218 | MOTOROLA |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2218A | MOT | CAN |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2218A | MOTOROLA |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2219A-B | MCC | 2004 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2219AJAN | MICROSEMI |
TO-39NPN Transistor 2N2219A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2219N | MOT | 95+ |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N221A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N222 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2220 | ST |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2220A | MOT | CAN |
на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N2220A | ST |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N2221 | ST |
на замовлення 89500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 141.82 грн |
5+ | 131.59 грн |
25+ | 113.47 грн |
100+ | 101.87 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 130.45 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 158.4 грн |
10+ | 126.65 грн |
100+ | 100.8 грн |
500+ | 80.04 грн |
1000+ | 67.92 грн |
2000+ | 64.52 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 156.2 грн |
102+ | 114.83 грн |
106+ | 109.8 грн |
500+ | 93.59 грн |
1000+ | 73.6 грн |
2000+ | 67.76 грн |
2N2222A PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 145.05 грн |
10+ | 106.63 грн |
100+ | 101.95 грн |
500+ | 86.9 грн |
1000+ | 68.35 грн |
2000+ | 62.92 грн |
2N2222A TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.8 грн |
10+ | 160.01 грн |
100+ | 110.65 грн |
250+ | 102.04 грн |
500+ | 92.76 грн |
2000+ | 78.18 грн |
2N2222A; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz; CDIL |
на замовлення 36 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 18.25 грн |
2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
NPN Silicon Switching Transistor
NPN Silicon Switching Transistor
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 302.46 грн |
100+ | 270.77 грн |
2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
NPN Silicon Switching Transistor
NPN Silicon Switching Transistor
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 289.93 грн |
2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
NPN Silicon Switching Transistor
NPN Silicon Switching Transistor
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
NPN Silicon Switching Transistor
NPN Silicon Switching Transistor
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 501.43 грн |
50+ | 450.02 грн |
100+ | 424.18 грн |
2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 212 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 323.89 грн |
100+ | 297.17 грн |
2N2222AP; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-92; 300Mhz; CDIL |
на замовлення 312 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
312+ | 2.21 грн |
2N2222AUA |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1834.35 грн |
2N2222AUA |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1947.99 грн |
100+ | 1783.77 грн |
2N2222AUB |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2701.67 грн |
120+ | 2479.44 грн |
2N2222AUB |
Виробник: Optek Technology (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 3367.28 грн |
2N2222AUB |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 384.96 грн |
2N2222AUB |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2565.91 грн |
100+ | 2281.11 грн |
2N2222AUB |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 387.04 грн |
100+ | 346.38 грн |
2N2222AUB/TR |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.7 грн |
100+ | 390.13 грн |
2N2222AUB1 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 6585.35 грн |
10+ | 6258.63 грн |
25+ | 6036.44 грн |
2N2222AUB1 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6335.21 грн |
10+ | 5785.43 грн |
2N2222AUB1 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6114.96 грн |
10+ | 5811.59 грн |
25+ | 5605.26 грн |
2N2222AUB1 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 25 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7028.21 грн |
10+ | 6479.77 грн |
25+ | 5394.73 грн |
50+ | 5328.47 грн |
100+ | 5239.03 грн |
250+ | 5147.59 грн |
500+ | 5146.26 грн |
2N2222AUBC |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1925.57 грн |
100+ | 1762.43 грн |
2N2243A BK PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN AMPL/SWITCH Small Signal
Bipolar Transistors - BJT NPN AMPL/SWITCH Small Signal
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 514.83 грн |
10+ | 435.08 грн |
25+ | 343.22 грн |
100+ | 315.39 грн |
250+ | 296.84 грн |
500+ | 238.53 грн |
2N2270 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Spd SW
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Spd SW
на замовлення 996 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.01 грн |
10+ | 131.82 грн |
100+ | 107.34 грн |
500+ | 76.2 грн |
1000+ | 63.48 грн |
2500+ | 62.88 грн |
5000+ | 59.96 грн |