Результат пошуку "2N700" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 80
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2266
Мінімальне замовлення: 42000
Мінімальне замовлення: 42000
Мінімальне замовлення: 480
Мінімальне замовлення: 175
Мінімальне замовлення: 84
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3247
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 60
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 4532
Мінімальне замовлення: 4984
Мінімальне замовлення: 2174
Мінімальне замовлення: 35
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3 Mounting: SMD Case: SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 7.5Ω Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 0.5A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 671 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-G | Microchip Technology | MOSFET 60V 7.5Ohm |
на замовлення 22020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9590 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.115A 0.2W |
на замовлення 577947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
+1 |
2N7002-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
+1 |
2N7002-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
2N7002-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V |
на замовлення 601022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 54150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 54150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 23737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 22775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002.215 | n-канальний польовий транзистор SOT-23 |
на замовлення 14670 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 52258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002/HAMR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC |
на замовлення 688 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A | KEC | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3 |
на замовлення 84 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 11825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A | Diotec Semiconductor | 2N7002A |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
на замовлення 182414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
на замовлення 120625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002A-7 | DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry |
на замовлення 6380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6380 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2754000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family |
на замовлення 99926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002AQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 15127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NXP | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1550366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N7002BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2N7002-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.5Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.5Ω
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.02 грн |
6+ | 44.23 грн |
10+ | 38.11 грн |
29+ | 34.04 грн |
79+ | 32.38 грн |
2N7002-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 7.5Ohm
MOSFET 60V 7.5Ohm
на замовлення 22020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.55 грн |
10+ | 37.28 грн |
25+ | 28.43 грн |
100+ | 26.37 грн |
500+ | 26.3 грн |
1000+ | 26.24 грн |
3000+ | 26.04 грн |
2N7002-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 5.51 грн |
90+ | 3.93 грн |
100+ | 3.46 грн |
305+ | 2.67 грн |
830+ | 2.53 грн |
2N7002-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.62 грн |
55+ | 4.9 грн |
100+ | 4.15 грн |
305+ | 3.21 грн |
830+ | 3.03 грн |
2N7002-T1-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
на замовлення 577947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.56 грн |
12+ | 25.59 грн |
100+ | 15.21 грн |
1000+ | 10.16 грн |
2N7002-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.81 грн |
2N7002-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.81 грн |
2N7002-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 17.66 грн |
50+ | 9.41 грн |
125+ | 6.49 грн |
345+ | 6.13 грн |
2N7002-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.19 грн |
50+ | 11.73 грн |
125+ | 7.79 грн |
345+ | 7.36 грн |
2N7002-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
на замовлення 601022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.83 грн |
13+ | 23.68 грн |
100+ | 10.36 грн |
1000+ | 7.31 грн |
3000+ | 6.91 грн |
99000+ | 6.71 грн |
2N7002-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 54150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 5.22 грн |
100+ | 3.53 грн |
250+ | 3.11 грн |
280+ | 2.92 грн |
760+ | 2.76 грн |
3000+ | 2.64 грн |
2N7002-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 6.26 грн |
60+ | 4.4 грн |
250+ | 3.73 грн |
280+ | 3.51 грн |
760+ | 3.31 грн |
3000+ | 3.17 грн |
2N7002-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 23737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.5 грн |
35+ | 8.03 грн |
100+ | 4.32 грн |
500+ | 3.18 грн |
1000+ | 2.21 грн |
2N7002-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.03 грн |
6000+ | 1.85 грн |
9000+ | 1.57 грн |
2N7002-TP |
Виробник: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.2 грн |
2N7002-TP |
Виробник: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.2 грн |
2N7002.215 |
n-канальний польовий транзистор SOT-23
на замовлення 14670 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 3.48 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.82 грн |
6000+ | 2.52 грн |
9000+ | 2.09 грн |
30000+ | 1.93 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 15.35 грн |
55+ | 10.67 грн |
121+ | 4.77 грн |
1000+ | 2.73 грн |
3000+ | 2.15 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 52258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 16.53 грн |
25+ | 11.07 грн |
100+ | 5.41 грн |
500+ | 4.24 грн |
1000+ | 2.94 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2266+ | 5.14 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42000+ | 2.17 грн |
45000+ | 2.03 грн |
75000+ | 1.96 грн |
99000+ | 1.62 грн |
150000+ | 1.46 грн |
2N7002/HAMR |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42000+ | 2.01 грн |
45000+ | 1.88 грн |
75000+ | 1.82 грн |
99000+ | 1.5 грн |
150000+ | 1.35 грн |
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC |
на замовлення 688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
480+ | 1.39 грн |
2N7002A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 2.27 грн |
275+ | 1.38 грн |
500+ | 1.25 грн |
850+ | 0.95 грн |
2325+ | 0.91 грн |
2N7002A |
Виробник: KEC
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
84+ | 7.43 грн |
100+ | 6.24 грн |
2N7002A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 2.72 грн |
175+ | 1.72 грн |
500+ | 1.49 грн |
850+ | 1.15 грн |
2325+ | 1.09 грн |
2N7002A |
Виробник: Diotec Semiconductor
2N7002A
2N7002A
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.79 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 5.74 грн |
110+ | 3.18 грн |
250+ | 2.86 грн |
370+ | 2.2 грн |
1010+ | 2.08 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 6.89 грн |
70+ | 3.97 грн |
250+ | 3.44 грн |
370+ | 2.64 грн |
1010+ | 2.49 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.26 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 182414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.84 грн |
21+ | 13.63 грн |
100+ | 6.66 грн |
500+ | 5.21 грн |
1000+ | 3.62 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 12.99 грн |
64+ | 9.02 грн |
107+ | 5.43 грн |
250+ | 4.98 грн |
500+ | 4.36 грн |
1000+ | 2.51 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.79 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 120625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.06 грн |
27+ | 11.69 грн |
100+ | 5.25 грн |
1000+ | 3.65 грн |
3000+ | 2.19 грн |
9000+ | 2.13 грн |
24000+ | 1.86 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3 грн |
6000+ | 2.68 грн |
9000+ | 2.22 грн |
30000+ | 2.05 грн |
75000+ | 1.84 грн |
150000+ | 1.6 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3247+ | 3.59 грн |
2N7002A-7 |
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.03 грн |
2N7002AQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 5.96 грн |
120+ | 2.89 грн |
350+ | 2.29 грн |
970+ | 2.17 грн |
2N7002AQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.15 грн |
100+ | 3.6 грн |
350+ | 2.75 грн |
970+ | 2.6 грн |
10000+ | 2.57 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 6.33 грн |
115+ | 3.11 грн |
250+ | 2.75 грн |
340+ | 2.39 грн |
925+ | 2.26 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.6 грн |
70+ | 3.88 грн |
250+ | 3.3 грн |
340+ | 2.87 грн |
925+ | 2.72 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.78 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2754000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 2.17 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.4 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 2N7002 Family
MOSFET 2N7002 Family
на замовлення 99926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 20.92 грн |
23+ | 13.37 грн |
100+ | 3.92 грн |
1000+ | 3.32 грн |
3000+ | 2.46 грн |
9000+ | 2.06 грн |
24000+ | 1.93 грн |
2N7002AQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 18.39 грн |
45+ | 12.94 грн |
48+ | 12.23 грн |
134+ | 4.16 грн |
250+ | 3.82 грн |
500+ | 3.63 грн |
1000+ | 2.17 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 14.16 грн |
38+ | 9.2 грн |
55+ | 6.34 грн |
100+ | 4.06 грн |
250+ | 3.55 грн |
419+ | 1.92 грн |
1151+ | 1.81 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: NXP
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 3.05 грн |
110+ | 2.34 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 16.99 грн |
23+ | 11.47 грн |
33+ | 7.61 грн |
100+ | 4.87 грн |
250+ | 4.26 грн |
419+ | 2.3 грн |
1151+ | 2.18 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1550366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.06 грн |
29+ | 10.62 грн |
100+ | 4.58 грн |
1000+ | 2.79 грн |
3000+ | 1.99 грн |
9000+ | 1.79 грн |
24000+ | 1.73 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.09 грн |
9000+ | 1.84 грн |
24000+ | 1.49 грн |
45000+ | 1.42 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.17 грн |
9000+ | 1.92 грн |
24000+ | 1.56 грн |
45000+ | 1.48 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4532+ | 2.57 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4984+ | 2.34 грн |
9000+ | 2.06 грн |
24000+ | 1.68 грн |
45000+ | 1.59 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2174+ | 5.36 грн |
2200+ | 5.29 грн |
3598+ | 3.24 грн |
3948+ | 2.84 грн |
6000+ | 2.37 грн |
15000+ | 2.02 грн |
2N7002BK,215 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 16.5 грн |
54+ | 10.74 грн |
55+ | 10.63 грн |
116+ | 4.83 грн |
250+ | 4.44 грн |
500+ | 4.21 грн |
1000+ | 2.58 грн |
3000+ | 2.35 грн |
6000+ | 2.11 грн |