Результат пошуку "2N7002 SOT-23" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 140
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 80
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 140
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 160
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 145
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 120
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 101
Мінімальне замовлення: 124
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 177
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 56
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 42
Мінімальне замовлення: 26
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 18
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002E-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002E-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel |
на замовлення 31046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002E-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.24A |
на замовлення 422165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.3A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V |
на замовлення 175464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002EQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET1G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms |
на замовлення 675704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET7G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET7G | ONS | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd. |
на замовлення 3633 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002ET7G | onsemi | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm |
на замовлення 462659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 11700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA |
на замовлення 58731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 |
на замовлення 34878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 |
на замовлення 626187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002HR | Nexperia | MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 63166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V, 300mA N-Chan |
на замовлення 35507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel |
на замовлення 137400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-AU_R1_000A2 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-AU_R1_000A2 | Panjit | MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
на замовлення 11085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 5439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 823254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 9070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 872137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K |
на замовлення 8296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
на замовлення 15618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KT1G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms |
на замовлення 288925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002KT7G | onsemi | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 380mA 1.6 ohm |
на замовлення 71972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002K_R1_00001 | Panjit | MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
на замовлення 262939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 ohm N-Channel MOSFET 60V 115mA 7.5 ? |
на замовлення 3039936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 10389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 124 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT1G | onsemi | MOSFET 60V 115mA N-Channel |
на замовлення 244391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT3G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 466 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT3G | onsemi | MOSFET 60V 115mA N-Channel |
на замовлення 87244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002LT7G | onsemi | MOSFET SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O |
на замовлення 60514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002NXAKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 7209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002NXAKR | Nexperia | MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1788755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 6110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002NXBKR | Nexperia | MOSFET 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 345046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002P,215 | Nexperia | MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1318201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002P,235 | Nexperia | MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 311953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002Q-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
на замовлення 246699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7002 | PanJit International | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002 | Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. | MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23 |
на замовлення 91143 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002 | DIOTEC | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 2N7002-DIO; 2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR T2N7002 DIOTEC |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002(12P) | PHILIPS | SOT-23 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7002-LT/R | PANJIT | SOT-23 08+ |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2N7002E-7-F |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 2.5 грн |
420+ | 1.91 грн |
1160+ | 1.81 грн |
2N7002E-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Channel
MOSFET N-Channel
на замовлення 31046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.19 грн |
30+ | 10.29 грн |
100+ | 3.87 грн |
1000+ | 3.27 грн |
3000+ | 2.34 грн |
45000+ | 1.87 грн |
2N7002E-T1-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 0.24A
MOSFET 60V 0.24A
на замовлення 422165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.34 грн |
12+ | 25.64 грн |
100+ | 13.82 грн |
1000+ | 10.21 грн |
2N7002E-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 24.71 грн |
18+ | 19.82 грн |
25+ | 14.05 грн |
99+ | 8.14 грн |
272+ | 7.65 грн |
3000+ | 7.37 грн |
2N7002E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
на замовлення 175464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.97 грн |
13+ | 24.26 грн |
100+ | 11.48 грн |
1000+ | 7.08 грн |
3000+ | 6.94 грн |
9000+ | 6.61 грн |
2N7002EQ-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.39 грн |
18+ | 17.12 грн |
100+ | 9.41 грн |
1000+ | 4.21 грн |
3000+ | 3.61 грн |
9000+ | 2.8 грн |
24000+ | 2.6 грн |
2N7002ET1G |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 6.07 грн |
110+ | 3.2 грн |
250+ | 2.88 грн |
370+ | 2.2 грн |
2N7002ET1G |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.2 грн |
100+ | 6.24 грн |
2N7002ET1G |
Виробник: onsemi
MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
на замовлення 675704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 14.49 грн |
33+ | 9.37 грн |
100+ | 3.74 грн |
1000+ | 2.8 грн |
3000+ | 1.94 грн |
9000+ | 1.87 грн |
24000+ | 1.74 грн |
2N7002ET7G |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 4.94 грн |
145+ | 2.43 грн |
250+ | 2.19 грн |
480+ | 1.68 грн |
1320+ | 1.58 грн |
2N7002ET7G |
Виробник: ONS
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd.
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd.
на замовлення 3633 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 8.92 грн |
36+ | 7.24 грн |
2N7002ET7G |
Виробник: onsemi
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm
на замовлення 462659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 14.49 грн |
31+ | 9.98 грн |
100+ | 3.61 грн |
1000+ | 2.4 грн |
3500+ | 1.6 грн |
7000+ | 1.34 грн |
49000+ | 1.2 грн |
2N7002H-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 2.85 грн |
160+ | 2.37 грн |
420+ | 1.94 грн |
1140+ | 1.84 грн |
2N7002H-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
на замовлення 58731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 19.55 грн |
27+ | 11.75 грн |
100+ | 4.61 грн |
1000+ | 2.94 грн |
3000+ | 2.2 грн |
9000+ | 1.54 грн |
24000+ | 1.47 грн |
2N7002H6327XT |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 34878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.03 грн |
22+ | 14.05 грн |
100+ | 7.74 грн |
1000+ | 3.47 грн |
3000+ | 3 грн |
9000+ | 2.27 грн |
24000+ | 2.14 грн |
2N7002H6327XTSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
на замовлення 626187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.03 грн |
24+ | 13.13 грн |
100+ | 5.01 грн |
1000+ | 3.47 грн |
3000+ | 2.74 грн |
9000+ | 2.27 грн |
24000+ | 2.14 грн |
2N7002HR |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 63166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.15 грн |
26+ | 12.21 грн |
100+ | 6.74 грн |
1000+ | 3.07 грн |
3000+ | 2.54 грн |
9000+ | 2 грн |
24000+ | 1.87 грн |
2N7002K |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 10.78 грн |
70+ | 5.29 грн |
100+ | 4.74 грн |
225+ | 3.63 грн |
610+ | 3.44 грн |
2N7002K |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V, 300mA N-Chan
MOSFET 60V, 300mA N-Chan
на замовлення 35507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.25 грн |
23+ | 13.67 грн |
100+ | 5.74 грн |
1000+ | 4.34 грн |
3000+ | 3.61 грн |
9000+ | 3.14 грн |
24000+ | 2.94 грн |
2N7002K |
Виробник: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.67 грн |
2N7002K-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
160+ | 2.2 грн |
480+ | 1.68 грн |
1320+ | 1.59 грн |
2N7002K-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Channel
MOSFET N-Channel
на замовлення 137400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 10.9 грн |
50+ | 6.14 грн |
100+ | 3.54 грн |
1000+ | 2.8 грн |
3000+ | 2.2 грн |
9000+ | 1.94 грн |
24000+ | 1.87 грн |
2N7002K-AU_R1_000A2 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 2.58 грн |
175+ | 2.02 грн |
500+ | 1.91 грн |
515+ | 1.57 грн |
1410+ | 1.48 грн |
2N7002K-AU_R1_000A2 |
Виробник: Panjit
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 14.49 грн |
31+ | 10.06 грн |
100+ | 4.01 грн |
1000+ | 2.34 грн |
3000+ | 2 грн |
9000+ | 1.8 грн |
45000+ | 1.34 грн |
2N7002K-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 14.98 грн |
37+ | 9.53 грн |
61+ | 5.73 грн |
100+ | 4.3 грн |
250+ | 3.6 грн |
290+ | 2.77 грн |
797+ | 2.62 грн |
3000+ | 2.51 грн |
2N7002K-T1-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 823254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.25 грн |
23+ | 13.51 грн |
100+ | 4.87 грн |
1000+ | 3.4 грн |
3000+ | 2.74 грн |
9000+ | 2.27 грн |
2N7002K-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 10.86 грн |
75+ | 4.77 грн |
220+ | 3.66 грн |
605+ | 3.46 грн |
2N7002K-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 872137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.25 грн |
23+ | 13.82 грн |
100+ | 4.87 грн |
1000+ | 4.54 грн |
3000+ | 4.41 грн |
2N7002K-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 5.24 грн |
110+ | 3.3 грн |
250+ | 2.96 грн |
355+ | 2.28 грн |
970+ | 2.16 грн |
2N7002KQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 3.26 грн |
140+ | 2.75 грн |
400+ | 2.1 грн |
1060+ | 1.99 грн |
2N7002KQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.43 грн |
21+ | 15.28 грн |
100+ | 8.41 грн |
1000+ | 3.81 грн |
2500+ | 3.27 грн |
10000+ | 2.47 грн |
20000+ | 2.14 грн |
2N7002KQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 15618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
26+ | 12.13 грн |
100+ | 6.88 грн |
1000+ | 6.68 грн |
3000+ | 3.2 грн |
9000+ | 2.67 грн |
24000+ | 2.34 грн |
2N7002KT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 3 грн |
350+ | 2.3 грн |
2N7002KT1G |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 38.24 грн |
2N7002KT1G |
Виробник: onsemi
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
на замовлення 288925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.19 грн |
31+ | 10.13 грн |
100+ | 3.81 грн |
1000+ | 2.54 грн |
3000+ | 2.2 грн |
9000+ | 1.94 грн |
24000+ | 1.87 грн |
2N7002KT7G |
Виробник: onsemi
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 380mA 1.6 ohm
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 380mA 1.6 ohm
на замовлення 71972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.19 грн |
29+ | 10.6 грн |
100+ | 5.74 грн |
1000+ | 2.54 грн |
3500+ | 2.2 грн |
7000+ | 1.67 грн |
24500+ | 1.6 грн |
2N7002K_R1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 16.48 грн |
46+ | 7.65 грн |
65+ | 5.37 грн |
100+ | 3.83 грн |
250+ | 2.68 грн |
500+ | 2.15 грн |
699+ | 1.15 грн |
1921+ | 1.08 грн |
2N7002K_R1_00001 |
Виробник: Panjit
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
на замовлення 262939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 13.01 грн |
34+ | 9.29 грн |
100+ | 5.07 грн |
1000+ | 2.27 грн |
3000+ | 2 грн |
9000+ | 1.47 грн |
24000+ | 1.4 грн |
2N7002L |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 ohm N-Channel MOSFET 60V 115mA 7.5 ?
MOSFET N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 ohm N-Channel MOSFET 60V 115mA 7.5 ?
на замовлення 3039936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.37 грн |
34+ | 9.21 грн |
100+ | 4.47 грн |
1000+ | 3.34 грн |
3000+ | 2.2 грн |
9000+ | 1.94 грн |
24000+ | 1.87 грн |
2N7002LT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
101+ | 3.71 грн |
112+ | 3.12 грн |
336+ | 2.39 грн |
924+ | 2.26 грн |
2N7002LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 124 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
124+ | 5.04 грн |
2N7002LT1G |
Виробник: onsemi
MOSFET 60V 115mA N-Channel
MOSFET 60V 115mA N-Channel
на замовлення 244391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.85 грн |
26+ | 12.05 грн |
100+ | 4.61 грн |
1000+ | 3.2 грн |
3000+ | 2.2 грн |
9000+ | 2.14 грн |
24000+ | 2 грн |
2N7002LT3G |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,225; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 466 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
177+ | 3.53 грн |
190+ | 3.29 грн |
205+ | 3.06 грн |
2N7002LT3G |
Виробник: onsemi
MOSFET 60V 115mA N-Channel
MOSFET 60V 115mA N-Channel
на замовлення 87244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.67 грн |
28+ | 11.36 грн |
100+ | 4.47 грн |
1000+ | 2.87 грн |
2500+ | 2.6 грн |
10000+ | 2.34 грн |
20000+ | 2.2 грн |
2N7002LT7G |
Виробник: onsemi
MOSFET SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
MOSFET SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
на замовлення 60514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.37 грн |
26+ | 11.9 грн |
100+ | 4.27 грн |
1000+ | 2.94 грн |
3500+ | 2.54 грн |
7000+ | 1.94 грн |
24500+ | 1.8 грн |
2N7002NXAKR |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 7209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 3.95 грн |
120+ | 2.98 грн |
250+ | 2.09 грн |
560+ | 1.43 грн |
1540+ | 1.36 грн |
2N7002NXAKR |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1788755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 10.13 грн |
44+ | 7.14 грн |
100+ | 3.14 грн |
1000+ | 1.74 грн |
3000+ | 1.4 грн |
9000+ | 1.13 грн |
24000+ | 1.07 грн |
2N7002NXBKR |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 6.74 грн |
72+ | 4.87 грн |
84+ | 4.17 грн |
115+ | 3.05 грн |
250+ | 2.41 грн |
500+ | 1.94 грн |
599+ | 1.34 грн |
1648+ | 1.27 грн |
2N7002NXBKR |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 345046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 13.01 грн |
36+ | 8.68 грн |
100+ | 3.74 грн |
1000+ | 2.47 грн |
3000+ | 2 грн |
9000+ | 1.67 грн |
24000+ | 1.27 грн |
2N7002P,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42+ | 8.99 грн |
60+ | 5.84 грн |
76+ | 4.62 грн |
100+ | 3.96 грн |
250+ | 2.89 грн |
413+ | 1.94 грн |
1136+ | 1.84 грн |
3000+ | 1.77 грн |
2N7002P,215 |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1318201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 12.31 грн |
36+ | 8.6 грн |
100+ | 4.21 грн |
1000+ | 2.87 грн |
3000+ | 1.47 грн |
9000+ | 1.4 грн |
2N7002P,235 |
Виробник: Nexperia
MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB
MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 311953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.97 грн |
29+ | 10.83 грн |
100+ | 4.14 грн |
1000+ | 2.54 грн |
2500+ | 2.2 грн |
10000+ | 1.6 грн |
20000+ | 1.4 грн |
2N7002Q-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 246699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.37 грн |
27+ | 11.67 грн |
100+ | 4.14 грн |
1000+ | 2.87 грн |
3000+ | 2.27 грн |
9000+ | 1.87 грн |
24000+ | 1.8 грн |
2N7002 |
Виробник: PanJit International
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)2N7002 |
Виробник: Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, SOT-23
на замовлення 91143 шт:
термін постачання 5 дні (днів)2N7002 |
Виробник: DIOTEC
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 2N7002-DIO; 2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR T2N7002 DIOTEC
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 2N7002-DIO; 2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR T2N7002 DIOTEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)2N7002-F2-0000HF |
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD)
2N7002 N-кан. MOSFET 60V, 0.34A, 0.35Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 5 дні (днів)2N7002-F2-0000HF |
Виробник: YY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)