Результат пошуку "2sc58" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC587M
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587M CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587N
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587N CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC588 NEC CAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC588 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5880
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5881
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5885 ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886(TE16L1Ј¬NQ) TOS 06PB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886-T6L1S
на замовлення 13283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5887 ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5888 2SA2099, 2SC5888.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589 NEC CAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5890FS-TL-E RENESAS RNCCS19492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589N
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC58A
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC58A TO-39
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CY2292SC-586T CY SOP16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE154 NTE154 NTE Electronics nte154.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 15mA; 7W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 15mA
Power dissipation: 7W
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.53 грн
7+ 116.25 грн
20+ 110.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SC5803
Код товару: 81823 		Fairchild 2sc5803.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P-ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 12 A
h21: 15
товар відсутній
2SC5825TLQ
Код товару: 81984 		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
2SC5858 (транзистор біполярний NPN) 2SC5858 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 40798 		Toshiba 2sc5858.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 2 MHz
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 1700 V
Ic,A: 22 A
h21: 60
товар відсутній
2sc5859 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36914 		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2SC5885 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36636 		Mats 2SC5885.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220H
Uceo,V: 1500 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 6 A
h21: 10
товар відсутній
2SC5888 (транзистор біполярний NPN) 2SC5888 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 31996 		Sanyo 2SC5888.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 10 А
h21: 700
товар відсутній
2SC5810(T2LPEDZF) Toshiba Toshiba
товар відсутній
2SC581300L 2SC581300L Panasonic Electronic Components 2SC5813.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
2SC581300L 2SC581300L Panasonic Electronic Components 2SC5813.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
2SC5819(TE12L,ZF) 2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819_datasheet_en_20061110.pdf?did=20758&prodName=2SC5819 Description: TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5824T100Q 2SC5824T100Q ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5824t100q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5824T100Q 2SC5824T100Q ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5824t100q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC5824T100R 2SC5824T100R ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5824t100q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5824T100R 2SC5824T100R ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5824t100q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC5824T100R 2SC5824T100R Rohm Semiconductor 2sc5824t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SC5824T100R 2SC5824T100R Rohm Semiconductor 2sc5824t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SC5826TV2Q 2SC5826TV2Q Rohm Semiconductor 2SC5826_RevB.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: ATV
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5826TV2R 2SC5826TV2R Rohm Semiconductor 2SC5826_RevB.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: ATV
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5831 ON Semiconductor 2sc5831.pdf Trans Darlington NPN 55V 2A 1500mW 3-Pin TO-126ML
товар відсутній
2SC5832-TL-E 2SC5832-TL-E ON Semiconductor 2sc5832-d.pdf Darlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
товар відсутній
2SC584500L 2SC584500L Panasonic Electronic Components 2SC5845.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC584500L 2SC584500L Panasonic Electronic Components 2SC5845.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC584600L 2SC584600L Panasonic Electronic Components 2SC5846.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC5846G0L 2SC5846G0L Panasonic Electronic Components 2SC5846G_discon.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC584800A 2SC584800A Panasonic Electronic Components 2SC5848.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC58630QL 2SC58630QL Panasonic Electronic Components 2SC5863.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC58630QL 2SC58630QL Panasonic Electronic Components 2SC5863.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC5865TLQ 2SC5865TLQ Rohm Semiconductor 2SC5865.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC5865TLQ ROHM Semiconductor rohm semiconductor_2sc5865-1201347.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товар відсутній
2SC5865TLR 2SC5865TLR Rohm Semiconductor 2SC5865.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC5865TLR ROHM Semiconductor rohm semiconductor_2sc5865-1201347.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товар відсутній
2SC5866TLQ ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5866TLQ ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SC5868TLR 2SC5868TLR ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms26116-1-1742629.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
товар відсутній
2SC5876T106Q 2SC5876T106Q ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5876t106q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товар відсутній
2SC5876T106Q 2SC5876T106Q ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5876t106q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SC5876T106Q 2SC5876T106Q Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC5876T106R 2SC5876T106R Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC587M
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587M
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587N
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC587N
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC588
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC588
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5880
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5881
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5885
Виробник: ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886(TE16L1Ј¬NQ)
Виробник: TOS
06PB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886-T6L1S
на замовлення 13283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5886A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5887
Виробник: ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5888 2SA2099, 2SC5888.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5890FS-TL-E RNCCS19492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: RENESAS
SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC589N
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC58A
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC58A
TO-39
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CY2292SC-586T
Виробник: CY
SOP16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE154 nte154.pdf
NTE154
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 15mA; 7W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 15mA
Power dissipation: 7W
Case: TO39
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.53 грн
7+ 116.25 грн
20+ 110.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SC5803
Код товару: 81823		 2sc5803.pdf
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P-ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 12 A
h21: 15
товар відсутній
2SC5825TLQ
Код товару: 81984
Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
2SC5858 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 40798		 2sc5858.pdf
2SC5858 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 2 MHz
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 1700 V
Ic,A: 22 A
h21: 60
товар відсутній
2sc5859 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36914
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2SC5885 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36636		 2SC5885.pdf
Виробник: Mats
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220H
Uceo,V: 1500 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 6 A
h21: 10
товар відсутній
2SC5888 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 31996		 2SC5888.pdf
2SC5888 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 10 А
h21: 700
товар відсутній
2SC5810(T2LPEDZF)
Виробник: Toshiba
Toshiba
товар відсутній
2SC581300L 2SC5813.pdf
2SC581300L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
2SC581300L 2SC5813.pdf
2SC581300L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
товар відсутній
2SC5819(TE12L,ZF) 2SC5819_datasheet_en_20061110.pdf?did=20758&prodName=2SC5819
2SC5819(TE12L,ZF)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5824T100Q 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100Q
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5824T100Q 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100Q
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC5824T100R 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100R
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5824T100R 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100R
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SC5824T100R 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SC5824T100R 2sc5824t100q-e.pdf
2SC5824T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SC5826TV2Q 2SC5826_RevB.pdf
2SC5826TV2Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: ATV
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5826TV2R 2SC5826_RevB.pdf
2SC5826TV2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: ATV
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SC5831 2sc5831.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 55V 2A 1500mW 3-Pin TO-126ML
товар відсутній
2SC5832-TL-E 2sc5832-d.pdf
2SC5832-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Darlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
товар відсутній
2SC584500L 2SC5845.pdf
2SC584500L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC584500L 2SC5845.pdf
2SC584500L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC584600L 2SC5846.pdf
2SC584600L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC5846G0L 2SC5846G_discon.pdf
2SC5846G0L
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC584800A 2SC5848.pdf
2SC584800A
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 50V 0.1A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC58630QL 2SC5863.pdf
2SC58630QL
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC58630QL 2SC5863.pdf
2SC58630QL
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC5865TLQ 2SC5865.pdf
2SC5865TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC5865TLQ rohm semiconductor_2sc5865-1201347.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товар відсутній
2SC5865TLR 2SC5865.pdf
2SC5865TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC5865TLR rohm semiconductor_2sc5865-1201347.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товар відсутній
2SC5866TLQ 2sc5866tlq-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SC5866TLQ 2sc5866tlq-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SC5868TLR rohm_semiconductor_rohms26116-1-1742629.pdf
2SC5868TLR
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
товар відсутній
2SC5876T106Q 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106Q
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товар відсутній
2SC5876T106Q 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106Q
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SC5876T106Q 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SC5876T106R 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]