Результат пошуку "2sd16" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 668
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1231
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3562
Мінімальне замовлення: 2959
Мінімальне замовлення: 764
Мінімальне замовлення: 634
Мінімальне замовлення: 3349
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 729
Мінімальне замовлення: 642
Мінімальне замовлення: 533
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 1145
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 2290
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 1332
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 1457
Мінімальне замовлення: 1211
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 1200
Мінімальне замовлення: 1332
Мінімальне замовлення: 492
Мінімальне замовлення: 508
Мінімальне замовлення: 111
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1626-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1626-TD-E - 2SD1626 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1627-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1627-TD-E - 2SD1627-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1627-TD-E | onsemi |
Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628F-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 610304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628F-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 610304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628F-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-H - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 37625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628F-TD-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 37625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628G-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1628G-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP hFE 280-560 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1647; биполярный; NPN; 2A; 50V; 25W; Корпус: TO-220 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SD1648-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1648-TB-E - 2SD1648-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1648-TB-E | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V Packaging: Bulk |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1651C-CTV-YB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1651C-CTV-YB - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 59911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1651C-CTV-YB | onsemi |
Description: BIP NPN 6A 800V Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 59911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1664 | HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
на замовлення 3198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1664T100P | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1664T100P | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1667S | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1667S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1667S - 2SD1667S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1668R | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1668R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1668R | onsemi |
Description: Power Bipolar Transistor, 7A, 50 Packaging: Bulk |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1682S | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 12807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1682S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1682S - 2SD1682S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1682T | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1682T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1682T - 2SD1682T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1683T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1683T - 2SD1683 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 63210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1683T | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A TO126ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 63210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1684S | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1684S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1684S - 2SD1684S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1684T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1684T - 2SD1684T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 102921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1684T | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 102921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1685F | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 23858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1685F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1685F - 2SD1685F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1685G | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1685G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1685G - 2SD1685G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1691-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 8720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1694-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 26947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1695-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD16 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD160 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD160 | TO-39 |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SD1600 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1601 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1602 | HIT | 09+ |
на замовлення 11038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1603 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1604 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1605 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1606 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1607 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1608 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1609 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD161 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD161100L | PANASONIC | 09+ |
на замовлення 861 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1612 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1613 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SD1614 | KESENES | 09+ |
на замовлення 385933 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1614 | NEC |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SD1614-T | NEC | SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1614-T1 SOT89-XL | NEC |
на замовлення 176000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2SD1615 | NEC |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SD1626-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1626-TD-E - 2SD1626 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1626-TD-E - 2SD1626 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
668+ | 36.47 грн |
2SD1627-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1627-TD-E - 2SD1627-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1627-TD-E - 2SD1627-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1627-TD-E |
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.26 грн |
2SD1628F-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 610304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 16.63 грн |
2SD1628F-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 610304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1231+ | 16.23 грн |
2SD1628F-TD-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 17.23 грн |
2SD1628F-TD-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 37625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 16.23 грн |
2SD1628G-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.89 грн |
10+ | 35.05 грн |
100+ | 24.26 грн |
500+ | 19.02 грн |
2SD1628G-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP hFE 280-560
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single PCP hFE 280-560
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.94 грн |
10+ | 38 грн |
100+ | 23.17 грн |
500+ | 19.36 грн |
1000+ | 16.82 грн |
2000+ | 14.62 грн |
5000+ | 13.82 грн |
2SD1647; биполярный; NPN; 2A; 50V; 25W; Корпус: TO-220 |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 334.32 грн |
2SD1648-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1648-TB-E - 2SD1648-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1648-TB-E - 2SD1648-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3562+ | 6.74 грн |
2SD1648-TB-E |
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2959+ | 6.76 грн |
2SD1651C-CTV-YB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1651C-CTV-YB - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1651C-CTV-YB - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 59911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
764+ | 31.75 грн |
2SD1651C-CTV-YB |
на замовлення 59911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
634+ | 31.78 грн |
2SD1664 |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
NPN Transistor
на замовлення 3198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3349+ | 3.49 грн |
2SD1664T100P |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.16 грн |
13+ | 23.09 грн |
100+ | 16.07 грн |
500+ | 11.78 грн |
2SD1664T100P |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 10.59 грн |
2SD1667S |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 33.81 грн |
2SD1667S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1667S - 2SD1667S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1667S - 2SD1667S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
729+ | 33.78 грн |
2SD1668R |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1668R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1668R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
642+ | 38.72 грн |
2SD1668R |
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
533+ | 37.87 грн |
2SD1682S |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 12807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 21.64 грн |
2SD1682S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1682S - 2SD1682S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1682S - 2SD1682S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1145+ | 21.64 грн |
2SD1682T |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 10.82 грн |
2SD1682T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1682T - 2SD1682T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1682T - 2SD1682T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2290+ | 10.78 грн |
2SD1683T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1683T - 2SD1683 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1683T - 2SD1683 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 20.82 грн |
2SD1683T |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 50V 4A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 63210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1332+ | 15.55 грн |
2SD1684S |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.61 грн |
2SD1684S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1684S - 2SD1684S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1684S - 2SD1684S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 19.62 грн |
2SD1684T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1684T - 2SD1684T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1684T - 2SD1684T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1457+ | 16.93 грн |
2SD1684T |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 102921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1211+ | 16.9 грн |
2SD1685F |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 23858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 21.64 грн |
2SD1685F |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1685F - 2SD1685F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1685F - 2SD1685F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1200+ | 29.21 грн |
2SD1685G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1332+ | 15.55 грн |
2SD1685G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1685G - 2SD1685G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1685G - 2SD1685G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1691-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
492+ | 41.25 грн |
2SD1694-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 26947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
508+ | 39.89 грн |
2SD1695-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
111+ | 182.57 грн |