Результат пошуку "2sd18" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1013
Мінімальне замовлення: 162
Мінімальне замовлення: 1211
Мінімальне замовлення: 1500
Мінімальне замовлення: 949
Мінімальне замовлення: 1500
Мінімальне замовлення: 919
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 761
Мінімальне замовлення: 766
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 879
Мінімальне замовлення: 66
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1400
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1400
Мінімальне замовлення: 740
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 1500
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 1145
Мінімальне замовлення: 1069
Мінімальне замовлення: 888
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 513
Мінімальне замовлення: 617
Мінімальне замовлення: 642
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 297
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 539
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2420
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 2420
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2420
Мінімальне замовлення: 2420
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2420
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 822
Мінімальне замовлення: 683
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1805F-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1805F-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1805F-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1805G-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 26598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1805G-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1805G-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1805G-TL-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1805G-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 20V 5A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 73160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815S-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 81165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815S-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 81165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815S-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1815S-H - 2SD1815S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815S-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815S-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815T-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815T-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 15538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815T-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 41990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1815TR-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, 100V, 3000mA, NPN, AEC-Q101 |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-E | ONSEMI |
Category: Transistors - Unclassified Description: 2SD1816S-TL-E |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 672500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 242422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-HQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-HQ - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 102798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816S-TL-HQ | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 102798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1816T-TL-H | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 8198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1817-E | onsemi |
Description: NPN 3A 60V DARLINGTON Packaging: Bulk |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1817-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1817-E - 2SD1817 - NPN 3A 60V DARLINGTON tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1825 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1825 - 2SD1825, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1825 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 23457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1825; биполярный; NPN; 4A; 60V; 20W; 20Mhz; Корпус: TO-220FP; (пара 2SB1223) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SD1827 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1827 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1827 - 2SD1827, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1828 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1828 - 2SD1828, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1830 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1830 - 2SD1830, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1834T100 | ROHM Semiconductor | Darlington Transistors DARL NPN 60V 1A |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1834T100 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1834T100 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SD1834T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1834T100 | Rohm Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1834T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835S | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 9075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1835S - 2SD1835S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835S-AA | Sanyo |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 6061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835S-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1835S-AA - 2SD1835S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 144244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835S-AA | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 144244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835T | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 8463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1835T - 2SD1835 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835T-AA | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 224274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1835T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1835T-AA - 2SD1835T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 224274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1838 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1838 - 2SD1838, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SD1838 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2.5A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 6661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2SD1805F-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 45.24 грн |
2SD1805F-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 33.92 грн |
2SD1805F-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.83 грн |
10+ | 49.58 грн |
100+ | 38.53 грн |
2SD1805G-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 26598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1013+ | 20.29 грн |
2SD1805G-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Trans GP BJT NPN 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
162+ | 3.59 грн |
2SD1805G-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805G-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1805G-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1805G-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 20V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 73160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1211+ | 16.9 грн |
2SD1815S-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 29.21 грн |
2SD1815S-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 81165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
949+ | 21.64 грн |
2SD1815S-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1815S-H - 2SD1815S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1815S-H - 2SD1815S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 30.26 грн |
2SD1815S-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
919+ | 22.31 грн |
2SD1815S-TL-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.89 грн |
10+ | 53.44 грн |
100+ | 36.12 грн |
700+ | 30.58 грн |
1400+ | 24.97 грн |
2100+ | 24.37 грн |
2SD1815T-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 26.36 грн |
2SD1815T-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 15538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
761+ | 26.37 грн |
2SD1815T-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 41990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
766+ | 26.37 грн |
2SD1815TR-AQ |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, 100V, 3000mA, NPN, AEC-Q101
Bipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, 100V, 3000mA, NPN, AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.58 грн |
10+ | 31.32 грн |
100+ | 16.36 грн |
500+ | 16.22 грн |
1000+ | 15.62 грн |
2500+ | 13.82 грн |
5000+ | 13.02 грн |
2SD1816S-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
879+ | 22.99 грн |
2SD1816S-TL-E |
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 40.59 грн |
650+ | 32.96 грн |
2SD1816S-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.72 грн |
10+ | 72.19 грн |
100+ | 56.18 грн |
2SD1816S-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 49.45 грн |
2SD1816S-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 672500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 50.93 грн |
2SD1816S-TL-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.14 грн |
10+ | 79.08 грн |
100+ | 53.54 грн |
700+ | 45.4 грн |
1400+ | 36.92 грн |
2100+ | 34.78 грн |
4900+ | 33.18 грн |
2SD1816S-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 242422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1400+ | 25.91 грн |
2SD1816S-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 57.77 грн |
10+ | 48.12 грн |
100+ | 33.3 грн |
2SD1816S-TL-HQ |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-HQ - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-HQ - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1400+ | 27.71 грн |
2SD1816S-TL-HQ |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 102798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.72 грн |
2SD1816T-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 24.34 грн |
2SD1816T-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 33.33 грн |
2SD1816T-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 56.02 грн |
500+ | 50.91 грн |
2SD1816T-TL-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.77 грн |
10+ | 55.84 грн |
2SD1816T-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 74.14 грн |
14+ | 57.14 грн |
100+ | 56.02 грн |
500+ | 50.91 грн |
2SD1816T-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 44.83 грн |
1400+ | 35.17 грн |
2100+ | 33.11 грн |
4900+ | 29.59 грн |
2SD1816T-TL-H |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.67 грн |
10+ | 57.81 грн |
100+ | 44.13 грн |
700+ | 36.45 грн |
1400+ | 33.51 грн |
2100+ | 31.51 грн |
4900+ | 30.04 грн |
2SD1816T-TL-H |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.05 грн |
10+ | 65.51 грн |
100+ | 50.93 грн |
2SD1817-E |
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 21.64 грн |
2SD1817-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1817-E - 2SD1817 - NPN 3A 60V DARLINGTON
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1817-E - 2SD1817 - NPN 3A 60V DARLINGTON
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1145+ | 21.64 грн |
2SD1825 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1825 - 2SD1825, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1825 - 2SD1825, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1069+ | 22.99 грн |
2SD1825 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 23457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
888+ | 22.99 грн |
2SD1825; биполярный; NPN; 4A; 60V; 20W; 20Mhz; Корпус: TO-220FP; (пара 2SB1223) |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 334.32 грн |
2SD1827 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
513+ | 39.89 грн |
2SD1827 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1827 - 2SD1827, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1827 - 2SD1827, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
617+ | 39.84 грн |
2SD1828 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1828 - 2SD1828, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1828 - 2SD1828, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1830 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1830 - 2SD1830, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1830 - 2SD1830, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
642+ | 37.82 грн |
2SD1834T100 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Darlington Transistors DARL NPN 60V 1A
Darlington Transistors DARL NPN 60V 1A
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.12 грн |
10+ | 40.54 грн |
100+ | 24.37 грн |
500+ | 20.36 грн |
1000+ | 15.62 грн |
2000+ | 15.15 грн |
5000+ | 14.62 грн |
2SD1834T100 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
297+ | 39.49 грн |
309+ | 37.9 грн |
500+ | 36.54 грн |
1000+ | 34.08 грн |
2500+ | 30.63 грн |
5000+ | 28.61 грн |
2SD1834T100 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1834T100 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.78 грн |
10+ | 37 грн |
100+ | 25.6 грн |
500+ | 20.07 грн |
2SD1834T100 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
539+ | 21.75 грн |
541+ | 21.65 грн |
663+ | 17.65 грн |
1000+ | 15.89 грн |
2000+ | 14.63 грн |
2SD1834T100 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.9 грн |
2000+ | 16.21 грн |
2SD1835S |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2420+ | 8.11 грн |
2SD1835S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1835S - 2SD1835S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1835S - 2SD1835S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 11.46 грн |
2SD1835S-AA |
Виробник: Sanyo
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2420+ | 8.11 грн |
2SD1835S-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1835S-AA - 2SD1835S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1835S-AA - 2SD1835S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 144244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.46 грн |
2SD1835S-AA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 144244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2420+ | 8.11 грн |
2SD1835T |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 8463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2420+ | 8.11 грн |
2SD1835T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1835T - 2SD1835 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1835T - 2SD1835 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.46 грн |
2SD1835T-AA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 50V 2A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 224274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2420+ | 8.11 грн |
2SD1835T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1835T-AA - 2SD1835T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1835T-AA - 2SD1835T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 224274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.19 грн |
2SD1838 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1838 - 2SD1838, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1838 - 2SD1838, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
822+ | 40.67 грн |
2SD1838 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2.5A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2.5A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
683+ | 29.75 грн |