Результат пошуку "4N25" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
4N25XG 4N25XG Isocom Components 343903797105994284n25_26_27_28.pdf DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP
на замовлення 49920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2080+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 2080
4N25XG 4N25XG Isocom Components 2004 LTD 4N25_26_27_28.pdf Description: 6PIN TRANSISTOR OUTPUT, SINGLE,
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.68 грн
10+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N25XSM 4N25XSM Isocom Components 2004 LTD db91028.pdf Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.09 грн
65+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N25XSM 4N25XSM Isocom Components 343903797105994284n25_26_27_28.pdf DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD
на замовлення 49400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1300+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1300
4N25XSMT&R 4N25XSMT&R Isocom Components 343903797105994284n25_26_27_28.pdf DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
4N25XSMT&R 4N25XSMT&R Isocom Components 2004 LTD 4N25_26_27_28.pdf Description: 6PIN TRANSISTOR OUTPUT, SINGLE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.55 грн
10+ 35.04 грн
25+ 32.73 грн
100+ 24.58 грн
250+ 22.82 грн
500+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
4N25(SOP)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X001 VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X006 VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X007 VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X007T VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009 VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009T VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009T INFINEON 4n25x000.pdf 09+ SMD6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X016 VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X017 VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X017T VishaySemico 4n25x000.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X019 VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X019T VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.300 FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.300W FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.3S FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.3SD FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25300 Fairchi 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf 05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N253S Fairchi 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf 05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N253SD Fairchi 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf 05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25A
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FM FAIRCHILD 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FR2M FAIRCHILD 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FR2VM FAIRCHILD 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FVM FAIRCHILD 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25GV VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25V VishaySemico 4N25V%2CGV_4N35V%2CGV.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25W Fairchi 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf 05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
10C24-N250-I10-AQ-DA 10C24-N250-I10-AQ-DA ULTRAVOLT / Advanced Energy en-hv-ultravolt-high-power-8c-30c-series-data-sheet.pdf Description: DC DC CONVERTER 10000V 60W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Size / Dimension: 9.25" L x 4.50" W x 2.03" H (235.0mm x 114.3mm x 51.6mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 10000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 60 W
Number of Outputs: 1
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+151258.7 грн
10C24-N250-I5 10C24-N250-I5 ULTRAVOLT / Advanced Energy en-hv-ultravolt-high-power-8c-30c-series-data-sheet.pdf Description: DC DC CONVERTER 10000V 60W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Size / Dimension: 9.25" L x 4.50" W x 2.03" H (235.0mm x 114.3mm x 51.6mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 10000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 60 W
Number of Outputs: 1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+153494.27 грн
1C24-N250-I5-DAR 1C24-N250-I5-DAR ULTRAVOLT / Advanced Energy en-hv-high-power-1.8c-6c-series-data-sheet.pdf Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Bulk
Power (Watts): 250W
Size / Dimension: 8.00" L x 4.50" W x 1.06" H (203.2mm x 114.3mm x 27.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 0 ~ 1000V
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+140609.1 грн
40C24-N250-I5-H 40C24-N250-I5-H ULTRAVOLT / Advanced Energy en-hv-high-power-40c-60c-series-data-sheet.pdf Description: DC/DC CONVERTER
Features: Adjustable Output, Heat Sink, Remote On/Off
Packaging: Bulk
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cUL, cURus, UL
Current - Output (Max): 6.25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 40000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 250 W
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+188770.36 грн
413-K34-N2-50A 413-K34-N2-50A E-T-A 413_Series.pdf Description: CIR BRKR THRM 50A 115VAC 28VDC
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Panel Mount
Illumination: None
Actuator Type: Push-Pull Plunger
Approval Agency: CSA C22.2 No 235, UL1077
Breaker Type: Thermal
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 115 V
Voltage Rating - DC: 28 V
Number of Poles: 1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4989.86 грн
413-K34-N2-50A 413-K34-N2-50A E-T-A D_413_e_A-844007.pdf Circuit Breakers Single pole high performance thermal circuit breaker with tease-free, trip-free, snap action mechanism and push/pull on/off manual actuation (M-type TO CBE to EN 60934). An indicator band on the push button clearly shows the tripped/off p
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5346.05 грн
5+ 5005.26 грн
10+ 4123.15 грн
50+ 3436.07 грн
100+ 3405.55 грн
413-K54-N2-50A 413-K54-N2-50A E-T-A D_413_ENG-1387290.pdf Circuit Breakers Single pole high performance thermal circuit breaker with tease-free, trip-free, snap action mechanism and push/pull on/off manual actuation (M-type TO CBE to EN 60934). An indicator band on the push button clearly shows the tripped/off p
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7741.33 грн
25+ 7529.34 грн
50+ 6222.37 грн
100+ 6010.75 грн
250+ 5898.16 грн
500+ 5850 грн
1000+ 5847.29 грн
CAT28LV64N-25T CAT28LV64N-25T onsemi ONSMS15478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC EEPROM 64KBIT 32PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 32-PLCC (13.97x11.43)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 155
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.11 грн
8+ 106.68 грн
22+ 101.03 грн
250+ 97.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 434 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.13 грн
8+ 132.95 грн
22+ 121.24 грн
250+ 117 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi / Fairchild FDB44N25_D-2311869.pdf MOSFET 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.81 грн
10+ 129.48 грн
100+ 99.7 грн
500+ 98.35 грн
800+ 76.64 грн
2400+ 73.25 грн
4800+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi fdb44n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.12 грн
1600+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi fdb44n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.55 грн
10+ 141.73 грн
100+ 112.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF44N25T FDPF44N25T onsemi fdpf44n25trdtu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.82 грн
50+ 136.57 грн
100+ 112.37 грн
500+ 89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF44N25T FDPF44N25T onsemi / Fairchild FDPF44N25TRDTU_D-2313056.pdf MOSFET 250V N-Chan MOSFET
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.3 грн
10+ 129.48 грн
100+ 94.96 грн
250+ 94.28 грн
500+ 82.07 грн
1000+ 72.57 грн
3000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF44N25TRDTU FDPF44N25TRDTU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584276-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F (LG-Formed)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 235
FQA34N25 FQA34N25 Fairchild Semiconductor FAIRS26835-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 112
FQAF34N25 FQAF34N25 Fairchild Semiconductor FAIRS34595-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQD4N25TM FQD4N25TM Fairchild Semiconductor FAIRS17734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 1158
FQD4N25TM-WS FQD4N25TM-WS onsemi fqd4n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
992+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 992
FQP4N25 FQP4N25 Fairchild Semiconductor FAIRS05666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 1025
FQT4N25TF FQT4N25TF onsemi fqt4n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQU4N25TU FQU4N25TU Fairchild Semiconductor FAIRS38850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 606
IPB64N25S3-20 IPB64N25S3-20 Infineon Technologies Infineon_IPB64N25S3_20_DS_v01_01_EN-1731686.pdf MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.78 грн
10+ 392.34 грн
25+ 322.17 грн
100+ 276.05 грн
250+ 260.45 грн
500+ 245.53 грн
1000+ 210.26 грн
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.15 грн
10+ 358.49 грн
100+ 290 грн
500+ 241.92 грн
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.21 грн
2000+ 207.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
4N25XG 343903797105994284n25_26_27_28.pdf
4N25XG
Виробник: Isocom Components
DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP
на замовлення 49920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2080+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 2080
4N25XG 4N25_26_27_28.pdf
4N25XG
Виробник: Isocom Components 2004 LTD
Description: 6PIN TRANSISTOR OUTPUT, SINGLE,
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.68 грн
10+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N25XSM db91028.pdf
4N25XSM
Виробник: Isocom Components 2004 LTD
Description: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.09 грн
65+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N25XSM 343903797105994284n25_26_27_28.pdf
4N25XSM
Виробник: Isocom Components
DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD
на замовлення 49400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1300+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1300
4N25XSMT&R 343903797105994284n25_26_27_28.pdf
4N25XSMT&R
Виробник: Isocom Components
DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
4N25XSMT&R 4N25_26_27_28.pdf
4N25XSMT&R
Виробник: Isocom Components 2004 LTD
Description: 6PIN TRANSISTOR OUTPUT, SINGLE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.55 грн
10+ 35.04 грн
25+ 32.73 грн
100+ 24.58 грн
250+ 22.82 грн
500+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
4N25(SOP)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X001 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X006 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X007
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X007T 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009T 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X009T 4n25x000.pdf
Виробник: INFINEON
09+ SMD6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X016 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X017 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X017T 4n25x000.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X019
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25-X019T
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.300
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.300W
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.3S
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25.3SD
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25300 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: Fairchi
05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N253S 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: Fairchi
05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N253SD 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: Fairchi
05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25A
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FM 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FR2M 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FR2VM 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25FVM 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25GV
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25V 4N25V%2CGV_4N35V%2CGV.pdf
Виробник: VishaySemico
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
4N25W 4N25-28_35-37,%20H11A1-A5.pdf
Виробник: Fairchi
05+
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
10C24-N250-I10-AQ-DA en-hv-ultravolt-high-power-8c-30c-series-data-sheet.pdf
10C24-N250-I10-AQ-DA
Виробник: ULTRAVOLT / Advanced Energy
Description: DC DC CONVERTER 10000V 60W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Size / Dimension: 9.25" L x 4.50" W x 2.03" H (235.0mm x 114.3mm x 51.6mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 10000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 60 W
Number of Outputs: 1
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+151258.7 грн
10C24-N250-I5 en-hv-ultravolt-high-power-8c-30c-series-data-sheet.pdf
10C24-N250-I5
Виробник: ULTRAVOLT / Advanced Energy
Description: DC DC CONVERTER 10000V 60W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Size / Dimension: 9.25" L x 4.50" W x 2.03" H (235.0mm x 114.3mm x 51.6mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 10000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 60 W
Number of Outputs: 1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+153494.27 грн
1C24-N250-I5-DAR en-hv-high-power-1.8c-6c-series-data-sheet.pdf
1C24-N250-I5-DAR
Виробник: ULTRAVOLT / Advanced Energy
Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Bulk
Power (Watts): 250W
Size / Dimension: 8.00" L x 4.50" W x 1.06" H (203.2mm x 114.3mm x 27.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cURus
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 0 ~ 1000V
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+140609.1 грн
40C24-N250-I5-H en-hv-high-power-40c-60c-series-data-sheet.pdf
40C24-N250-I5-H
Виробник: ULTRAVOLT / Advanced Energy
Description: DC/DC CONVERTER
Features: Adjustable Output, Heat Sink, Remote On/Off
Packaging: Bulk
Type: High Voltage - Non-Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 65°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 30V
Approval Agency: CE, cUL, cURus, UL
Current - Output (Max): 6.25mA
Voltage - Input (Min): 23V
Voltage - Output 1: 40000V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Power (Watts): 250 W
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+188770.36 грн
413-K34-N2-50A 413_Series.pdf
413-K34-N2-50A
Виробник: E-T-A
Description: CIR BRKR THRM 50A 115VAC 28VDC
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Panel Mount
Illumination: None
Actuator Type: Push-Pull Plunger
Approval Agency: CSA C22.2 No 235, UL1077
Breaker Type: Thermal
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 115 V
Voltage Rating - DC: 28 V
Number of Poles: 1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4989.86 грн
413-K34-N2-50A D_413_e_A-844007.pdf
413-K34-N2-50A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers Single pole high performance thermal circuit breaker with tease-free, trip-free, snap action mechanism and push/pull on/off manual actuation (M-type TO CBE to EN 60934). An indicator band on the push button clearly shows the tripped/off p
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5346.05 грн
5+ 5005.26 грн
10+ 4123.15 грн
50+ 3436.07 грн
100+ 3405.55 грн
413-K54-N2-50A D_413_ENG-1387290.pdf
413-K54-N2-50A
Виробник: E-T-A
Circuit Breakers Single pole high performance thermal circuit breaker with tease-free, trip-free, snap action mechanism and push/pull on/off manual actuation (M-type TO CBE to EN 60934). An indicator band on the push button clearly shows the tripped/off p
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7741.33 грн
25+ 7529.34 грн
50+ 6222.37 грн
100+ 6010.75 грн
250+ 5898.16 грн
500+ 5850 грн
1000+ 5847.29 грн
CAT28LV64N-25T ONSMS15478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CAT28LV64N-25T
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT 32PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 32-PLCC (13.97x11.43)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Access Time: 250 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
155+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 155
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+165.11 грн
8+ 106.68 грн
22+ 101.03 грн
250+ 97.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 434 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.13 грн
8+ 132.95 грн
22+ 121.24 грн
250+ 117 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB44N25TM FDB44N25_D-2311869.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.81 грн
10+ 129.48 грн
100+ 99.7 грн
500+ 98.35 грн
800+ 76.64 грн
2400+ 73.25 грн
4800+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB44N25TM fdb44n25-d.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+99.12 грн
1600+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB44N25TM fdb44n25-d.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.55 грн
10+ 141.73 грн
100+ 112.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF44N25T fdpf44n25trdtu-d.pdf
FDPF44N25T
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.82 грн
50+ 136.57 грн
100+ 112.37 грн
500+ 89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF44N25T FDPF44N25TRDTU_D-2313056.pdf
FDPF44N25T
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V N-Chan MOSFET
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.3 грн
10+ 129.48 грн
100+ 94.96 грн
250+ 94.28 грн
500+ 82.07 грн
1000+ 72.57 грн
3000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF44N25TRDTU ONSM-S-A0003584276-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF44N25TRDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F (LG-Formed)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 235
FQA34N25 FAIRS26835-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA34N25
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+184.79 грн
Мінімальне замовлення: 112
FQAF34N25 FAIRS34595-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF34N25
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQD4N25TM FAIRS17734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD4N25TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1158+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 1158
FQD4N25TM-WS fqd4n25-d.pdf
FQD4N25TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
992+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 992
FQP4N25 FAIRS05666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP4N25
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 1025
FQT4N25TF fqt4n25-d.pdf
FQT4N25TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQU4N25TU FAIRS38850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQU4N25TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 606
IPB64N25S3-20 Infineon_IPB64N25S3_20_DS_v01_01_EN-1731686.pdf
IPB64N25S3-20
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.78 грн
10+ 392.34 грн
25+ 322.17 грн
100+ 276.05 грн
250+ 260.45 грн
500+ 245.53 грн
1000+ 210.26 грн
IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.15 грн
10+ 358.49 грн
100+ 290 грн
500+ 241.92 грн
IPB64N25S320ATMA1 Infineon-IPB64N25S3-20-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937af6620149&ack=t
IPB64N25S320ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+229.21 грн
2000+ 207.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]