Результат пошуку "F540" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 740
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 43
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1400
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 1400
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 35
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 3919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 25015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 27581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 26400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540STRRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540Z | International Rectifier |
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg |
на замовлення 14168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 40708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KPAL03F540J | MIFLEX |
Category: Audio polypropylene capacitors Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper Capacitance: 4µF Operating voltage: 250V DC Tolerance: ±5% Capacitor application: audio equipment Body dimensions: Ø76x70mm Climate class: 25/70/21 Operating temperature: -25...70°C Leads: axial Mounting: THT Dissipation: 0.0035 Capacitors series: KPAL03 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KPAL04F540J | MIFLEX |
Category: Audio polypropylene capacitors Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper Capacitance: 4µF Operating voltage: 250V DC Tolerance: ±5% Capacitor application: audio equipment Body dimensions: Ø76x70mm Climate class: 25/70/21 Operating temperature: -25...70°C Leads: radial Mounting: THT Dissipation: 0.0035 Capacitors series: KPAL04 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
N74F540N,602 | NXP USA Inc. |
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP Packaging: Tube Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: 3-State Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Inverting Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 15mA, 64mA Supplier Device Package: 20-DIP |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMA SF540E/11SK/11SK/24in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMA SF540E/11SK/11SK/36in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMA SF540S/11SK/11SK/24in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMA SF540S/11SK/11SK/36in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5406-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5406-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 150 Amp IFSM |
на замовлення 7262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5406-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 12437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM |
на замовлення 13393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM |
на замовлення 24990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 11996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF5408-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF540E/11SK/11SK/24in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF540E/11SK/11SK/36in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF540S/11SK/11SK/24in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SF540S/11SK/11SK/36in | HUBER+SUHNER | RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIHF540S-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SNJ54F540J | Texas Instruments |
Description: BUS DRIVER, 8-BIT, TTL Packaging: Bulk |
на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Max. load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Max. load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers Vr/50V Io/3A |
на замовлення 3199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5400-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM |
на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Max. load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401 | Diotec Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 100; Io, А = 3; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD |
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Max. load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 12972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers Vr/100V Io/3A |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5401-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5402 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Max. load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 9445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
UF5402 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
+1 |
UF5402 | DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward impulse current: 150A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
UF5402 | Diotec Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 200; Io, А = 3; Uf (max), В = 1; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD |
на замовлення 35 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
IRF540SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.74 грн |
10+ | 107.22 грн |
100+ | 78.58 грн |
250+ | 77.25 грн |
500+ | 74.58 грн |
1000+ | 69.92 грн |
IRF540STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
на замовлення 25015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.98 грн |
10+ | 94.2 грн |
100+ | 71.92 грн |
250+ | 69.92 грн |
IRF540STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 27581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.89 грн |
10+ | 84.56 грн |
100+ | 67.29 грн |
IRF540STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 63.09 грн |
IRF540STRRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 106.31 грн |
IRF540STRRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.12 грн |
10+ | 158.53 грн |
100+ | 111.88 грн |
250+ | 107.88 грн |
500+ | 95.89 грн |
800+ | 84.57 грн |
IRF540STRRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.18 грн |
10+ | 151.99 грн |
100+ | 120.99 грн |
IRF540Z |
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 45.49 грн |
IRF540ZLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.69 грн |
10+ | 65.86 грн |
100+ | 54.74 грн |
500+ | 54.67 грн |
1000+ | 44.75 грн |
2000+ | 38.69 грн |
10000+ | 37.43 грн |
IRF540ZLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.29 грн |
50+ | 79.37 грн |
100+ | 62.9 грн |
IRF540ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.99 грн |
7+ | 50.15 грн |
10+ | 42.18 грн |
23+ | 35.72 грн |
62+ | 33.78 грн |
250+ | 32.46 грн |
IRF540ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.99 грн |
5+ | 62.5 грн |
10+ | 50.61 грн |
23+ | 42.87 грн |
62+ | 40.54 грн |
250+ | 38.96 грн |
IRF540ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
на замовлення 14168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.5 грн |
10+ | 56.75 грн |
100+ | 40.69 грн |
500+ | 36.09 грн |
1000+ | 31.37 грн |
IRF540ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 40708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.44 грн |
50+ | 66.76 грн |
100+ | 52.9 грн |
500+ | 42.08 грн |
1000+ | 34.28 грн |
2000+ | 32.27 грн |
5000+ | 30.23 грн |
10000+ | 28.84 грн |
KPAL03F540J |
Виробник: MIFLEX
Category: Audio polypropylene capacitors
Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT
Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper
Capacitance: 4µF
Operating voltage: 250V DC
Tolerance: ±5%
Capacitor application: audio equipment
Body dimensions: Ø76x70mm
Climate class: 25/70/21
Operating temperature: -25...70°C
Leads: axial
Mounting: THT
Dissipation: 0.0035
Capacitors series: KPAL03
кількість в упаковці: 2 шт
Category: Audio polypropylene capacitors
Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT
Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper
Capacitance: 4µF
Operating voltage: 250V DC
Tolerance: ±5%
Capacitor application: audio equipment
Body dimensions: Ø76x70mm
Climate class: 25/70/21
Operating temperature: -25...70°C
Leads: axial
Mounting: THT
Dissipation: 0.0035
Capacitors series: KPAL03
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 6039.39 грн |
KPAL04F540J |
Виробник: MIFLEX
Category: Audio polypropylene capacitors
Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT
Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper
Capacitance: 4µF
Operating voltage: 250V DC
Tolerance: ±5%
Capacitor application: audio equipment
Body dimensions: Ø76x70mm
Climate class: 25/70/21
Operating temperature: -25...70°C
Leads: radial
Mounting: THT
Dissipation: 0.0035
Capacitors series: KPAL04
кількість в упаковці: 2 шт
Category: Audio polypropylene capacitors
Description: Capacitor: aluminum-polypropylene-paper; 4uF; 250VDC; ±5%; THT
Type of capacitor: aluminum-polypropylene-paper
Capacitance: 4µF
Operating voltage: 250V DC
Tolerance: ±5%
Capacitor application: audio equipment
Body dimensions: Ø76x70mm
Climate class: 25/70/21
Operating temperature: -25...70°C
Leads: radial
Mounting: THT
Dissipation: 0.0035
Capacitors series: KPAL04
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 6391.7 грн |
N74F540N,602 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.27 грн |
PMA SF540E/11SK/11SK/24in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly
RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33224.41 грн |
PMA SF540E/11SK/11SK/36in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly
RF Cable Assemblies PMA SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 37276.07 грн |
PMA SF540S/11SK/11SK/24in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly
RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58117.85 грн |
10+ | 54208.21 грн |
PMA SF540S/11SK/11SK/36in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly
RF Cable Assemblies PMA SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 59132.52 грн |
SF5406-TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 33.01 грн |
5000+ | 30.28 грн |
SF5406-TR |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 150 Amp IFSM
Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 150 Amp IFSM
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.02 грн |
10+ | 69.92 грн |
100+ | 47.35 грн |
500+ | 40.16 грн |
1000+ | 32.7 грн |
2500+ | 29.7 грн |
5000+ | 29.03 грн |
SF5406-TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.96 грн |
10+ | 62.92 грн |
100+ | 48.91 грн |
500+ | 38.9 грн |
1000+ | 31.69 грн |
SF5408-TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.22 грн |
10+ | 59.31 грн |
23+ | 35.31 грн |
63+ | 33.37 грн |
1000+ | 32.12 грн |
SF5408-TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; SOD64; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 50µA
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.54 грн |
10+ | 71.17 грн |
23+ | 42.37 грн |
63+ | 40.04 грн |
1000+ | 38.54 грн |
SF5408-TAP |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM
Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM
на замовлення 13393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.02 грн |
10+ | 69.92 грн |
100+ | 47.35 грн |
500+ | 40.16 грн |
1000+ | 32.7 грн |
2500+ | 29.03 грн |
SF5408-TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.93 грн |
SF5408-TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.96 грн |
10+ | 62.92 грн |
100+ | 48.91 грн |
SF5408-TR |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM
Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt 150 Amp IFSM
на замовлення 24990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.47 грн |
10+ | 64.41 грн |
100+ | 43.55 грн |
500+ | 39.69 грн |
1000+ | 32.7 грн |
2500+ | 30.17 грн |
5000+ | 29.5 грн |
SF5408-TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 11996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.96 грн |
10+ | 62.92 грн |
100+ | 48.91 грн |
500+ | 38.9 грн |
1000+ | 31.69 грн |
SF5408-TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 33.01 грн |
5000+ | 30.28 грн |
SF540E/11SK/11SK/24in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly
RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/24in Cable Assembly
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27686.49 грн |
SF540E/11SK/11SK/36in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly
RF Cable Assemblies SF540E/11SK/11SK/36in Cable Assembly
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 31063 грн |
SF540S/11SK/11SK/24in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly
RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/24in Cable Assembly
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 50103.1 грн |
10+ | 45764.98 грн |
SF540S/11SK/11SK/36in |
Виробник: HUBER+SUHNER
RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly
RF Cable Assemblies SF540S/11SK/11SK/36in Cable Assembly
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 53873.51 грн |
10+ | 49208.9 грн |
SIHF540S-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.32 грн |
10+ | 94.96 грн |
100+ | 64.4 грн |
500+ | 54.14 грн |
1000+ | 44.02 грн |
2000+ | 43.82 грн |
5000+ | 43.15 грн |
SNJ54F540J |
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 472.94 грн |
UF5400 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.7 грн |
UF5400 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.61 грн |
90+ | 3.86 грн |
105+ | 3.39 грн |
250+ | 3.05 грн |
270+ | 2.98 грн |
UF5400 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 53.79 грн |
25+ | 10.37 грн |
100+ | 5.11 грн |
225+ | 4.35 грн |
610+ | 4.11 грн |
UF5400 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.73 грн |
55+ | 4.81 грн |
100+ | 4.06 грн |
250+ | 3.65 грн |
270+ | 3.57 грн |
745+ | 3.37 грн |
UF5400-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.06 грн |
10+ | 34.34 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.64 грн |
UF5400-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1400+ | 17.55 грн |
2800+ | 15.05 грн |
UF5400-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers Vr/50V Io/3A
Rectifiers Vr/50V Io/3A
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.83 грн |
10+ | 38.14 грн |
100+ | 23.04 грн |
500+ | 19.25 грн |
1400+ | 16.38 грн |
2800+ | 14.52 грн |
UF5400-E3/73 |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 50 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM
Rectifiers 50 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.23 грн |
10+ | 45.11 грн |
1000+ | 33.5 грн |
10000+ | 12.12 грн |
25000+ | 11.85 грн |
50000+ | 11.72 грн |
UF5401 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 11.36 грн |
70+ | 5.27 грн |
100+ | 4.72 грн |
200+ | 4.09 грн |
545+ | 3.82 грн |
UF5401 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.61 грн |
90+ | 3.86 грн |
105+ | 3.39 грн |
250+ | 3.05 грн |
275+ | 2.93 грн |
UF5401 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 100; Io, А = 3; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 100; Io, А = 3; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.79 грн |
100+ | 6.24 грн |
UF5401 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.63 грн |
40+ | 6.57 грн |
100+ | 5.66 грн |
200+ | 4.91 грн |
545+ | 4.58 грн |
UF5401 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.73 грн |
55+ | 4.81 грн |
100+ | 4.06 грн |
250+ | 3.65 грн |
275+ | 3.52 грн |
755+ | 3.32 грн |
UF5401-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 12972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.06 грн |
10+ | 34.34 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.64 грн |
UF5401-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers Vr/100V Io/3A
Rectifiers Vr/100V Io/3A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.83 грн |
10+ | 38.14 грн |
100+ | 23.04 грн |
500+ | 19.25 грн |
1400+ | 16.38 грн |
2800+ | 14.52 грн |
UF5401-E3/54 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1400+ | 13.58 грн |
UF5401-E3/73 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.62 грн |
10+ | 32.95 грн |
100+ | 22.89 грн |
500+ | 16.77 грн |
UF5401-E3/73 |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 100 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM
Rectifiers 100 Volt 3.0A 50ns 150 Amp IFSM
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.83 грн |
10+ | 36.61 грн |
100+ | 24.31 грн |
500+ | 19.11 грн |
1000+ | 14.78 грн |
2000+ | 12.65 грн |
10000+ | 12.05 грн |
UF5402 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 9445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.31 грн |
70+ | 5.11 грн |
100+ | 4.59 грн |
210+ | 3.91 грн |
565+ | 3.7 грн |
UF5402 |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 14.94 грн |
65+ | 5.34 грн |
100+ | 4.72 грн |
180+ | 4.44 грн |
250+ | 4.23 грн |
1250+ | 4.09 грн |
UF5402 |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ifsm: 150A; DO27; Ufmax: 1V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 5.6 грн |
89+ | 3.94 грн |
100+ | 3.55 грн |
285+ | 2.82 грн |
784+ | 2.66 грн |
UF5402 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 200; Io, А = 3; Uf (max), В = 1; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 200; Io, А = 3; Uf (max), В = 1; trr, нс = 50; Тексп, °C = -50...+175; DO-201AD
на замовлення 35 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 17.83 грн |
100+ | 6.24 грн |