Результат пошуку "Fr5305" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFR5305PBF IRFR5305PBF
Код товару: 2560 		IR irfr5305pbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 486 шт
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.7 грн
IRFR5305TR IRFR5305TR
Код товару: 185048 		Infineon Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 61 шт
1+40 грн
10+ 35.7 грн
FR5305 IR 04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRFR5305 AUIRFR5305 INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.2 грн
5+ 146.56 грн
8+ 117.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
AUIRFR5305 AUIRFR5305 INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.24 грн
5+ 182.63 грн
8+ 140.53 грн
20+ 132.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.88 грн
10+ 156.72 грн
100+ 124.73 грн
500+ 99.05 грн
1000+ 84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TRL Infineon/IR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+444.64 грн
10+ 387.08 грн
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.42 грн
10+ 150.76 грн
100+ 121.96 грн
500+ 101.73 грн
1000+ 87.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.76 грн
6000+ 83.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305 SLKOR Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305PBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
29+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRFR5305T HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR Infineon Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-3363412.pdf MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 18391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.46 грн
10+ 74.86 грн
100+ 51.43 грн
500+ 39.78 грн
1000+ 33.79 грн
3000+ 31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 39819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.62 грн
10+ 49.3 грн
100+ 38.38 грн
500+ 30.52 грн
1000+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.84 грн
10+ 35.06 грн
25+ 31.56 грн
35+ 24.19 грн
94+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR5305TRPBF International Rectifier/Infineon irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
29+22.25 грн
31+ 20.76 грн
100+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRFR5305TRPBF Infineon irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+69.48 грн
10+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+59.81 грн
6+ 43.69 грн
25+ 37.87 грн
35+ 29.03 грн
94+ 27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 19475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.57 грн
10+ 70.19 грн
100+ 54.58 грн
500+ 43.42 грн
1000+ 35.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-3363412.pdf description MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 30388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.32 грн
10+ 72.69 грн
100+ 52.04 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 35.95 грн
2000+ 33.79 грн
4000+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff description Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.85 грн
6000+ 33.79 грн
10000+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
7+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
AUIRFR5305 Infineon auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRFR5305 IR TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305 IR 07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305 IR 08+ SOD-323
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HYG450P06LA1D HUAYI Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177 		IR irfr5305.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies 3676569643764097auirfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Infineon Technologies 3676569643764097auirfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305 IR - ASA only Supplier irfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR5305 IRFR5305 Infineon Technologies irfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305CPBF IRFR5305CPBF Infineon Technologies IRFR%20U5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305HR International Rectifier HiRel Products nods.pdf HEXFET POWER MOSFET
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Infineon Technologies irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF International Rectifier HiRel Products infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Infineon Technologies infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305TRL IR - ASA only Supplier irfr5305.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRL IRFR5305TRL Infineon Technologies IRFR%2CU5305.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305PBF
Код товару: 2560		 irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 486 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.7 грн
IRFR5305TR
Код товару: 185048		 Infineon-IRFR5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 61 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 35.7 грн
FR5305
Виробник: IR
04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf
AUIRFR5305
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+175.2 грн
5+ 146.56 грн
8+ 117.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf
AUIRFR5305
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.24 грн
5+ 182.63 грн
8+ 140.53 грн
20+ 132.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.88 грн
10+ 156.72 грн
100+ 124.73 грн
500+ 99.05 грн
1000+ 84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: Infineon/IR
ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.64 грн
10+ 387.08 грн
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.42 грн
10+ 150.76 грн
100+ 121.96 грн
500+ 101.73 грн
1000+ 87.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+90.76 грн
6000+ 83.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRFR5305T
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR5305TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFR5305TRLPBF infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRFR5305TRLPBF Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-3363412.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 18391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.46 грн
10+ 74.86 грн
100+ 51.43 грн
500+ 39.78 грн
1000+ 33.79 грн
3000+ 31.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 39819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.62 грн
10+ 49.3 грн
100+ 38.38 грн
500+ 30.52 грн
1000+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.84 грн
10+ 35.06 грн
25+ 31.56 грн
35+ 24.19 грн
94+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+22.25 грн
31+ 20.76 грн
100+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.48 грн
10+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8668 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.81 грн
6+ 43.69 грн
25+ 37.87 грн
35+ 29.03 грн
94+ 27.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 19475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.57 грн
10+ 70.19 грн
100+ 54.58 грн
500+ 43.42 грн
1000+ 35.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF description Infineon_IRFR5305_DataSheet_v01_01_EN-3363412.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 30388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.32 грн
10+ 72.69 грн
100+ 52.04 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 35.95 грн
2000+ 33.79 грн
4000+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+36.85 грн
6000+ 33.79 грн
10000+ 32.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRFR5305
Виробник: IR
TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305
Виробник: IR
07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305
Виробник: IR
08+ SOD-323
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HYG450P06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177		 description irfr5305.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRFR5305 3676569643764097auirfr5305.pdf
AUIRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
AUIRFR5305 auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TRL 3676569643764097auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305 irfr5305.pdf
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR5305 irfr5305.pdf
IRFR5305
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305CPBF IRFR%20U5305.pdf
IRFR5305CPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305HR nods.pdf
Виробник: International Rectifier HiRel Products
HEXFET POWER MOSFET
товар відсутній
IRFR5305PBF irfr5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632522820ff
IRFR5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR5305PBF infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF infineon-irfr5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305TRL irfr5305.pdf
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRL IRFR%2CU5305.pdf
IRFR5305TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]