Результат пошуку "IRLR" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 304
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 293
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 326
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 207
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 222
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 163
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 237
Мінімальне замовлення: 236
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR024NTRPBF Код товару: 22061 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 480/15 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 725 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR120NPBF Код товару: 32182 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 65 шт
|
|
||||||||||||||||||
IRLR2705TRPBF Код товару: 122892 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 880/25 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 72 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR2905 Код товару: 30677 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 1143 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 4029 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF Код товару: 181683 |
Китай |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR2905Z Код товару: 4031 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 35 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR3110ZPBF (DPAK) Код товару: 48508 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 63 A Rds(on), Ohm: 14 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 136 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR3114ZTRPBF Код товару: 122894 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 49 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR3410PBF Код товару: 105980 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 800/34 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 57 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR3636PBF Код товару: 105188 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,054 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3779/33 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 118 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR7833TRPBF Код товару: 35240 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 1474 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR8743PBF Код товару: 31850 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 113 A Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4880/39 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 124 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLR014 | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014N TIRLR014n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014 | Siliconix |
N-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 Vishay TIRLR014 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014 |
на замовлення 33952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR014TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014TR |
на замовлення 5204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTR | JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTR | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 18407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK |
на замовлення 520 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18407 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 66756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC |
на замовлення 24653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 2208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024 |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024TR |
на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR024TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLR110 | Siliconix |
N-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω IRLR110 smd TIRLR110 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRLR024NTRPBF Код товару: 22061 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 725 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
IRLR120NPBF Код товару: 32182 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 65 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 15.9 грн |
IRLR2705TRPBF Код товару: 122892 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 72 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
IRLR2905 Код товару: 30677 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 1143 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4029 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
100+ | 19.3 грн |
IRLR2905TRPBF Код товару: 181683 |
Виробник: Китай
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27.5 грн |
IRLR2905Z Код товару: 4031 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46.5 грн |
10+ | 37.4 грн |
IRLR3110ZPBF (DPAK) Код товару: 48508 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 63 A
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 63 A
Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 136 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 143 грн |
10+ | 126.5 грн |
IRLR3114ZTRPBF Код товару: 122894 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 4,9 mOhm
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 49 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
10+ | 38 грн |
IRLR3410PBF Код товару: 105980 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 24.3 грн |
IRLR3636PBF Код товару: 105188 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,054 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3779/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,054 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3779/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 118 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 78 грн |
IRLR7833TRPBF Код товару: 35240 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1474 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49.5 грн |
10+ | 45.4 грн |
100+ | 41.3 грн |
1000+ | 36.5 грн |
IRLR8743PBF Код товару: 31850 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 113 A
Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4880/39
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 113 A
Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4880/39
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 124 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53 грн |
100+ | 48 грн |
IRLR014 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014N TIRLR014n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 55V 10A 28W 0.14Ω IRLR014N TIRLR014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.35 грн |
IRLR014 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 Vishay TIRLR014
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 60V 7.7A 200mΩ 2.5W IRLR014 Vishay TIRLR014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.15 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 46.06 грн |
14+ | 25.52 грн |
44+ | 18.86 грн |
121+ | 17.81 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 55.28 грн |
10+ | 31.81 грн |
44+ | 22.64 грн |
121+ | 21.37 грн |
3000+ | 20.53 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 38.44 грн |
360+ | 32.48 грн |
500+ | 31.21 грн |
1000+ | 25.66 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 46.15 грн |
17+ | 35.96 грн |
100+ | 30.37 грн |
500+ | 28.14 грн |
1000+ | 22.21 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.18 грн |
75+ | 53.35 грн |
150+ | 42.28 грн |
525+ | 33.63 грн |
1050+ | 27.4 грн |
2025+ | 25.79 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014
на замовлення 33952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.23 грн |
10+ | 45.06 грн |
100+ | 37.9 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.26 грн |
IRLR014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
293+ | 39.9 грн |
450+ | 36.46 грн |
900+ | 33.93 грн |
1350+ | 30.85 грн |
IRLR014TRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 28.54 грн |
IRLR014TRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.18 грн |
10+ | 54.34 грн |
100+ | 42.28 грн |
500+ | 33.63 грн |
1000+ | 27.4 грн |
IRLR014TRPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 42.59 грн |
500+ | 35.2 грн |
1000+ | 30.55 грн |
IRLR014TRPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRLR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 59.58 грн |
50+ | 51.12 грн |
100+ | 42.59 грн |
500+ | 35.2 грн |
1000+ | 30.55 грн |
IRLR014TRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014TR
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR014TR
на замовлення 5204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.64 грн |
10+ | 55.51 грн |
100+ | 37.56 грн |
500+ | 33.12 грн |
1000+ | 31.17 грн |
IRLR024NTR |
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR024; IRLR024TR; IRLR024TRL; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024NTR JGSEMI TIRLR024n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.8 грн |
IRLR024NTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.25 грн |
IRLR024NTR |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; SP001550522; SP001568558; SP001578872; SP001553142; IRLR024N TIRLR024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.25 грн |
IRLR024NTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.03 грн |
100+ | 74.86 грн |
1000+ | 61.33 грн |
3000+ | 23.22 грн |
6000+ | 22.08 грн |
9000+ | 21.47 грн |
IRLR024NTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 44.63 грн |
50+ | 39.65 грн |
100+ | 34.66 грн |
500+ | 23.28 грн |
IRLR024NTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
326+ | 35.91 грн |
327+ | 35.79 грн |
349+ | 33.49 грн |
353+ | 31.97 грн |
IRLR024NTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 34.66 грн |
500+ | 23.28 грн |
IRLR024NTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 32.9 грн |
25+ | 32.57 грн |
100+ | 30.4 грн |
250+ | 27.87 грн |
500+ | 17.12 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 18407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.64 грн |
47+ | 17.67 грн |
129+ | 16.69 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK
N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 23.82 грн |
29+ | 22.23 грн |
100+ | 20.64 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18407 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.96 грн |
47+ | 22.02 грн |
129+ | 20.03 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 38.44 грн |
500+ | 29.87 грн |
1000+ | 23.43 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 66756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.9 грн |
10+ | 51.61 грн |
100+ | 35.73 грн |
500+ | 28.02 грн |
1000+ | 23.85 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 60.26 грн |
50+ | 49.39 грн |
100+ | 38.44 грн |
500+ | 29.87 грн |
1000+ | 23.43 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
207+ | 56.41 грн |
311+ | 37.65 грн |
334+ | 35.02 грн |
335+ | 33.67 грн |
500+ | 26.32 грн |
1000+ | 23.84 грн |
2000+ | 23.76 грн |
4000+ | 22.6 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
на замовлення 24653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.03 грн |
10+ | 55.2 грн |
100+ | 33.52 грн |
500+ | 27.47 грн |
1000+ | 22.96 грн |
2000+ | 20.94 грн |
4000+ | 19.52 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.7 грн |
12+ | 48.84 грн |
25+ | 48.37 грн |
100+ | 33.88 грн |
250+ | 31.06 грн |
500+ | 24.7 грн |
1000+ | 15.85 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
222+ | 52.59 грн |
225+ | 52.09 грн |
309+ | 37.84 грн |
312+ | 36.12 грн |
500+ | 27.71 грн |
1000+ | 17.07 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 11.86 грн |
IRLR024NTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 23.5 грн |
6000+ | 21.44 грн |
10000+ | 19.85 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.96 грн |
75+ | 85.18 грн |
150+ | 70.09 грн |
525+ | 55.65 грн |
1050+ | 47.22 грн |
2025+ | 44.86 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
163+ | 71.65 грн |
191+ | 61.15 грн |
500+ | 56.3 грн |
1000+ | 48.8 грн |
3000+ | 43.99 грн |
6000+ | 40.19 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 87.62 грн |
10+ | 66.53 грн |
100+ | 56.78 грн |
500+ | 50.42 грн |
1000+ | 41.96 грн |
3000+ | 39.22 грн |
6000+ | 37.32 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.86 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 104.45 грн |
10+ | 74.16 грн |
100+ | 54.12 грн |
500+ | 48.2 грн |
1000+ | 42.48 грн |
3000+ | 42.41 грн |
6000+ | 39.92 грн |
IRLR024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
237+ | 49.39 грн |
IRLR024TRPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
236+ | 49.47 грн |
238+ | 49.22 грн |
IRLR024TRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024TR
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR024TR
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.54 грн |
10+ | 64.18 грн |
100+ | 42.81 грн |
500+ | 41.8 грн |
1000+ | 39.92 грн |
IRLR024TRPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 50.6 грн |
13+ | 45.94 грн |
25+ | 45.71 грн |
100+ | 37.98 грн |
250+ | 29.2 грн |
IRLR024TRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.47 грн |
10+ | 66.48 грн |
100+ | 51.7 грн |
500+ | 41.13 грн |
1000+ | 33.5 грн |
IRLR024TRPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 34.9 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]