Результат пошуку "f731" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 202
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FMP300JTF73-18K | YAGEO | Metal Film Resistors - Through Hole 18 kOhms 3 W 5 % Axial |
на замовлення 6310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF731 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 4153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311 | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=20V; Id=6,6A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311 | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311PBF; 6,6A; 20V; 2W; 29MR; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7311TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313PBF | International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7313TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7313 smd TIRF7313 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7313TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
на замовлення 6698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7314TR | IR | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TR | Infineon |
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TR | Infineon |
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TR | Infineon |
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7314TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316PBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 136 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
на замовлення 331 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316PBF; -4,9A; -30V; 2W; 0,058R; P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7316TR | Infineon |
2xP-MOSFET 4.9A 30V 2W 0.058Ω IRF7316 smd TIRF7316 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | 2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8 |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3552 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 35663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7317 | IR | Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
на замовлення 80 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7317TR | International Rectifier |
N/P-MOSFET 6.6/5.3A 20V 2W 0.029/0.058Ω IRF7317 IRF7317TR IRF7317 smd TIRF7317 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm |
на замовлення 170 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TR | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TR | JGSEMI |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TRBBF | Infineon |
N/P-MOSFET 6.5/4.9A 30V 2W 0.029/0.058Ω IRF7319 smd TIRF7319 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 17803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7319TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A |
на замовлення 21019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FRF73-107K | YAGEO | Metal Film Resistors - Through Hole |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FRF73-1K | YAGEO |
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 1W Tolerance: ±1% Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm) Composition: Metal Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Resistance: 1 kOhms |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FRF73-1K | YAGEO |
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 1W Tolerance: ±1% Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm) Composition: Metal Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Resistance: 1 kOhms |
на замовлення 5740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FRF73-1K | Yageo | Metal Film Resistors - Through Hole |
на замовлення 4471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FTF73-10K | YAGEO | Metal Film Resistors - Through Hole |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR100FTF73-12R | Yageo | Metal Film Resistors - Through Hole |
на замовлення 4416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR200FRF73-100K | YAGEO | Metal Film Resistors - Through Hole |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MFR200FRF73-1K | YAGEO | Metal Film Resistors - Through Hole 1K OHM 2W 1% Normal Length |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PNP3WVFTF73-120R | YAGEO |
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL Power (Watts): 3W Tolerance: ±1% Features: Flame Retardant Coating, Safety Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 200°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Resistance: 120 Ohms |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PNP3WVFTF73-120R | YAGEO |
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL Power (Watts): 3W Tolerance: ±1% Features: Flame Retardant Coating, Safety Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 200°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Resistance: 120 Ohms |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TWF7-3-13D | TAKACHI | TKC-TWF7-3-13D Multipurpose Enclosures |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TWF7-3-13W | TAKACHI | TKC-TWF7-3-13W Multipurpose Enclosures |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7316_подвійний -4.9A -30V P-ch SOP-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7319PBF_подвійний 6.5/-4.9A 30/-30V N-ch/P-ch SOP-8 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
FMP300JTF73-18K |
Виробник: YAGEO
Metal Film Resistors - Through Hole 18 kOhms 3 W 5 % Axial
Metal Film Resistors - Through Hole 18 kOhms 3 W 5 % Axial
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.17 грн |
12+ | 27.73 грн |
100+ | 9.37 грн |
1000+ | 3.99 грн |
5000+ | 3.59 грн |
10000+ | 3.06 грн |
25000+ | 2.92 грн |
IRF731 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
202+ | 100.24 грн |
IRF7311 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=20V; Id=6,6A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=20V; Id=6,6A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.52 грн |
10+ | 30.83 грн |
IRF7311 |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.22 грн |
IRF7311PBF; 6,6A; 20V; 2W; 29MR; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 665.28 грн |
IRF7311TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm; 6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311 TIRF7311
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.95 грн |
IRF7311TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7311; IRF7311TR; SP001572034; SP001574720; IRF7311TR UMW TIRF7311 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.38 грн |
IRF7313PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 0; Qg, нКл = 22 @ 5,8 A; Rds = 0,032 Ом @ 4,7 A, 4,5 B; Ugs(th) = 1 В; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 20.92 грн |
IRF7313PBF; 6,5A; 30V; 2W; 0,029R; N-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 37.14 грн |
IRF7313TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.71 грн |
IRF7313TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 22.49 грн |
8000+ | 20.52 грн |
12000+ | 19 грн |
IRF7313TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.92 грн |
10+ | 49.4 грн |
100+ | 34.2 грн |
500+ | 26.82 грн |
1000+ | 22.82 грн |
2000+ | 20.33 грн |
IRF7313TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR 40<-<100V
MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.39 грн |
10+ | 55 грн |
100+ | 32.62 грн |
500+ | 27.3 грн |
1000+ | 23.25 грн |
2000+ | 21.99 грн |
4000+ | 18.67 грн |
IRF7313TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 22.49 грн |
IRF7313TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.92 грн |
10+ | 49.4 грн |
100+ | 34.2 грн |
500+ | 26.82 грн |
1000+ | 22.82 грн |
2000+ | 20.33 грн |
IRF7314TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.03 грн |
10+ | 29.61 грн |
IRF7314TR |
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.42 грн |
IRF7314TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.66 грн |
IRF7314TR |
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.42 грн |
IRF7314TR |
на замовлення 6980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.42 грн |
IRF7314TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.2 грн |
10+ | 45.67 грн |
100+ | 35.54 грн |
IRF7314TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62 грн |
10+ | 47.29 грн |
100+ | 31.02 грн |
500+ | 30.49 грн |
1000+ | 25.04 грн |
4000+ | 21.99 грн |
8000+ | 20.79 грн |
IRF7316GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.27 грн |
10+ | 35.7 грн |
100+ | 31.28 грн |
500+ | 27.57 грн |
1000+ | 27.17 грн |
IRF7316PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 136 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.39 грн |
33+ | 19.03 грн |
100+ | 17.67 грн |
IRF7316PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
на замовлення 331 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.83 грн |
12+ | 23.17 грн |
IRF7316PBF; -4,9A; -30V; 2W; 0,058R; P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 26 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 29.94 грн |
IRF7316TR |
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.42 грн |
IRF7316TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.18 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 55.89 грн |
10+ | 42.69 грн |
36+ | 22.83 грн |
98+ | 21.59 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 23.17 грн |
29+ | 21.62 грн |
100+ | 20.08 грн |
IRF7316TRPBF |
2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 47.92 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.06 грн |
10+ | 53.2 грн |
36+ | 27.4 грн |
98+ | 25.91 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 35663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.54 грн |
10+ | 53.14 грн |
100+ | 41.31 грн |
500+ | 32.86 грн |
1000+ | 26.77 грн |
2000+ | 25.2 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 27.88 грн |
8000+ | 25.57 грн |
12000+ | 24.39 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.17 грн |
10+ | 52.17 грн |
100+ | 34.94 грн |
500+ | 32.95 грн |
1000+ | 26.64 грн |
2000+ | 25.64 грн |
4000+ | 25.24 грн |
IRF7317 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.19 грн |
10+ | 55.22 грн |
IRF7317TR |
Виробник: International Rectifier
N/P-MOSFET 6.6/5.3A 20V 2W 0.029/0.058Ω IRF7317 IRF7317TR IRF7317 smd TIRF7317
кількість в упаковці: 10 шт
N/P-MOSFET 6.6/5.3A 20V 2W 0.029/0.058Ω IRF7317 IRF7317TR IRF7317 smd TIRF7317
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.19 грн |
IRF7317TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.94 грн |
10+ | 52.25 грн |
100+ | 39.12 грн |
500+ | 34.08 грн |
1000+ | 28.83 грн |
2000+ | 28.56 грн |
4000+ | 26.24 грн |
IRF7319PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
Транз. Пол. ММ 1N-1P-MOSFET SO8 Udss=+-30V; Id=6,5A; Id=-5,2A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
на замовлення 170 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.81 грн |
10+ | 32.43 грн |
IRF7319TR |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.5 грн |
IRF7319TR |
Виробник: JGSEMI
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.77 грн |
IRF7319TRBBF |
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 6.5/4.9A 30V 2W 0.029/0.058Ω IRF7319 smd TIRF7319
кількість в упаковці: 10 шт
N/P-MOSFET 6.5/4.9A 30V 2W 0.029/0.058Ω IRF7319 smd TIRF7319
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 76.59 грн |
IRF7319TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.76 грн |
10+ | 63.17 грн |
100+ | 49.13 грн |
500+ | 39.08 грн |
1000+ | 31.84 грн |
2000+ | 29.97 грн |
IRF7319TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 33.17 грн |
8000+ | 30.42 грн |
12000+ | 29.01 грн |
IRF7319TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 21019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
10+ | 53.17 грн |
100+ | 38.86 грн |
500+ | 34.21 грн |
1000+ | 30.16 грн |
2000+ | 29.49 грн |
4000+ | 29.16 грн |
MFR100FRF73-107K |
Виробник: YAGEO
Metal Film Resistors - Through Hole
Metal Film Resistors - Through Hole
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.49 грн |
15+ | 20.55 грн |
100+ | 6.97 грн |
1000+ | 2.99 грн |
2500+ | 2.46 грн |
6000+ | 2.19 грн |
MFR100FRF73-1K |
Виробник: YAGEO
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 1 kOhms
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.92 грн |
MFR100FRF73-1K |
Виробник: YAGEO
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 1 kOhms
Description: RES 1K OHM 1% 1W AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm)
Composition: Metal Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.99 грн |
16+ | 17.78 грн |
25+ | 13.62 грн |
50+ | 9.26 грн |
100+ | 6.53 грн |
250+ | 5.28 грн |
500+ | 4.09 грн |
1000+ | 2.83 грн |
MFR100FRF73-1K |
Виробник: Yageo
Metal Film Resistors - Through Hole
Metal Film Resistors - Through Hole
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.26 грн |
24+ | 12.91 грн |
100+ | 5.05 грн |
1000+ | 2.92 грн |
2500+ | 2.66 грн |
10000+ | 2.19 грн |
MFR100FTF73-10K |
Виробник: YAGEO
Metal Film Resistors - Through Hole
Metal Film Resistors - Through Hole
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.79 грн |
15+ | 20.47 грн |
100+ | 6.84 грн |
1000+ | 2.92 грн |
2500+ | 2.39 грн |
10000+ | 2.19 грн |
MFR100FTF73-12R |
Виробник: Yageo
Metal Film Resistors - Through Hole
Metal Film Resistors - Through Hole
на замовлення 4416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.79 грн |
15+ | 20.47 грн |
100+ | 6.84 грн |
1000+ | 2.92 грн |
2500+ | 2.66 грн |
10000+ | 2.19 грн |
MFR200FRF73-100K |
Виробник: YAGEO
Metal Film Resistors - Through Hole
Metal Film Resistors - Through Hole
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.04 грн |
10+ | 30.71 грн |
100+ | 10.3 грн |
1000+ | 4.32 грн |
2500+ | 3.99 грн |
10000+ | 3.39 грн |
25000+ | 3.25 грн |
MFR200FRF73-1K |
Виробник: YAGEO
Metal Film Resistors - Through Hole 1K OHM 2W 1% Normal Length
Metal Film Resistors - Through Hole 1K OHM 2W 1% Normal Length
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.73 грн |
10+ | 30.79 грн |
100+ | 10.36 грн |
1000+ | 4.32 грн |
2000+ | 3.99 грн |
10000+ | 3.39 грн |
25000+ | 3.25 грн |
PNP3WVFTF73-120R |
Виробник: YAGEO
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 120 Ohms
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.92 грн |
10+ | 47.12 грн |
25+ | 43.65 грн |
PNP3WVFTF73-120R |
Виробник: YAGEO
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 120 Ohms
Description: RES 120 OHM 1% 3W AXIAL
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±1%
Features: Flame Retardant Coating, Safety
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.512" L (5.50mm x 13.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 200°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 25.94 грн |
1000+ | 20.32 грн |
TWF7-3-13D |
Виробник: TAKACHI
TKC-TWF7-3-13D Multipurpose Enclosures
TKC-TWF7-3-13D Multipurpose Enclosures
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 633.98 грн |
3+ | 404.37 грн |
7+ | 382.78 грн |
TWF7-3-13W |
Виробник: TAKACHI
TKC-TWF7-3-13W Multipurpose Enclosures
TKC-TWF7-3-13W Multipurpose Enclosures
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 633.98 грн |
3+ | 404.37 грн |
7+ | 382.78 грн |
Транзистор польовий IRF7316_подвійний -4.9A -30V P-ch SOP-8 |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 160.38 грн |
Транзистор польовий IRF7319PBF_подвійний 6.5/-4.9A 30/-30V N-ch/P-ch SOP-8 |
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 26.2 грн |