Результат пошуку "irfl" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 102207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.16 грн
10+ 38.87 грн
100+ 26.91 грн
500+ 21.1 грн
1000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.31 грн
50+ 42.46 грн
100+ 32.6 грн
500+ 25.25 грн
1000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.96 грн
5000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.31 грн
5000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.7 грн
5000+ 16.14 грн
12500+ 14.95 грн
25000+ 13.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110PBF Vishay/IR sihfl110.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,5 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25; Qg, нКл = 8,3 @ 10 В; Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 3,1; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 65.86 грн
100+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL110TR FB. Vishay Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL110 TIRFL110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.97 грн
25+ 19.26 грн
54+ 14.72 грн
149+ 13.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+27.56 грн
25+ 24.01 грн
54+ 17.67 грн
149+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+62.21 грн
296+ 39.59 грн
345+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 189
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.98 грн
50+ 47.2 грн
100+ 41.35 грн
500+ 37.7 грн
1000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Semiconductors sihfl110.pdf MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 33712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.79 грн
10+ 46.56 грн
100+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.63 грн
13+ 44.98 грн
25+ 44.55 грн
100+ 35.6 грн
250+ 32.64 грн
500+ 26.89 грн
1000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 8795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.85 грн
5000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+48.44 грн
244+ 47.97 грн
295+ 39.76 грн
298+ 37.96 грн
500+ 30.17 грн
1000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 242
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.02 грн
10+ 50.16 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.35 грн
500+ 37.7 грн
1000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfl110.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 50940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.79 грн
10+ 46.56 грн
100+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+50.8 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.02 грн
10+ 50.16 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 VISHAY VISHS97177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: IRFL110 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL210 Siliconix sihfl210.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 960mA; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL210 TIRFL210
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY IRFL210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.16 грн
11+ 33.71 грн
25+ 29.31 грн
32+ 25.66 грн
86+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY IRFL210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.79 грн
7+ 42.01 грн
25+ 35.17 грн
32+ 30.8 грн
86+ 29.06 грн
2500+ 27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.44 грн
5000+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.32 грн
18+ 33.59 грн
25+ 33.43 грн
100+ 29.02 грн
250+ 26.6 грн
500+ 23.51 грн
1000+ 19.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.16 грн
10+ 44.65 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+36.17 грн
326+ 36 грн
362+ 32.4 грн
365+ 30.94 грн
500+ 26.38 грн
1000+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 324
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.98 грн
15+ 50.01 грн
100+ 42.16 грн
500+ 38.39 грн
1000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Semiconductors sihfl210.pdf MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.8 грн
10+ 48.54 грн
100+ 37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.16 грн
10+ 44.65 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfl210.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.8 грн
10+ 48.92 грн
100+ 37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay sihfl214.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 790mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.2 грн
500+ 44.31 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay sihfl214.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.03 грн
15+ 39.66 грн
25+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay Semiconductors sihfl214.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.36 грн
10+ 59.93 грн
100+ 43 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay sihfl214.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay sihfl214.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay sihfl214.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 790mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.28 грн
50+ 57.28 грн
100+ 49.2 грн
500+ 44.31 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL214TRPBF IRFL214TRPBF Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.03 грн
10+ 71.21 грн
100+ 55.37 грн
500+ 44.04 грн
1000+ 35.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL214TRPBF-BE3 IRFL214TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.03 грн
10+ 71.21 грн
100+ 55.37 грн
500+ 44.04 грн
1000+ 35.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL214TRPBF-BE3 IRFL214TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfl214.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.24 грн
10+ 75.58 грн
100+ 50.73 грн
500+ 43.07 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL4105TR International Rectifier IRFL4105.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4105 TIRFL4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.9 грн
12+ 30.96 грн
25+ 27.31 грн
36+ 22.71 грн
97+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+58.68 грн
7+ 38.58 грн
25+ 32.78 грн
36+ 27.25 грн
97+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.37 грн
5000+ 19.18 грн
10000+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
374+31.36 грн
436+ 26.88 грн
440+ 26.61 грн
526+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 374
IRFL024ZTRPBF irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 102207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.16 грн
10+ 38.87 грн
100+ 26.91 грн
500+ 21.1 грн
1000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFL024ZTRPBF 717253.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.31 грн
50+ 42.46 грн
100+ 32.6 грн
500+ 25.25 грн
1000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.96 грн
5000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.31 грн
5000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL024ZTRPBF irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2
IRFL024ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.7 грн
5000+ 16.14 грн
12500+ 14.95 грн
25000+ 13.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110PBF sihfl110.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,5 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25; Qg, нКл = 8,3 @ 10 В; Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 3,1; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 65.86 грн
100+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL110TR FB.
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL110 TIRFL110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFL110TRPBF IRFL110PBF.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+22.97 грн
25+ 19.26 грн
54+ 14.72 грн
149+ 13.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFL110TRPBF IRFL110PBF.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.56 грн
25+ 24.01 грн
54+ 17.67 грн
149+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
189+62.21 грн
296+ 39.59 грн
345+ 33.93 грн
Мінімальне замовлення: 189
IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+52.98 грн
50+ 47.2 грн
100+ 41.35 грн
500+ 37.7 грн
1000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 33712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.79 грн
10+ 46.56 грн
100+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.63 грн
13+ 44.98 грн
25+ 44.55 грн
100+ 35.6 грн
250+ 32.64 грн
500+ 26.89 грн
1000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 8795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.85 грн
5000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
242+48.44 грн
244+ 47.97 грн
295+ 39.76 грн
298+ 37.96 грн
500+ 30.17 грн
1000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 242
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.02 грн
10+ 50.16 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.35 грн
500+ 37.7 грн
1000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 50940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.79 грн
10+ 46.56 грн
100+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
231+50.8 грн
Мінімальне замовлення: 231
IRFL110TRPBF-BE3 sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.02 грн
10+ 50.16 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL110TRPBF-BE3 VISHS97177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: IRFL110 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL210 sihfl210.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 960mA; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL210 TIRFL210
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFL210TRPBF IRFL210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.16 грн
11+ 33.71 грн
25+ 29.31 грн
32+ 25.66 грн
86+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL210TRPBF IRFL210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.79 грн
7+ 42.01 грн
25+ 35.17 грн
32+ 30.8 грн
86+ 29.06 грн
2500+ 27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.44 грн
5000+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.32 грн
18+ 33.59 грн
25+ 33.43 грн
100+ 29.02 грн
250+ 26.6 грн
500+ 23.51 грн
1000+ 19.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.16 грн
10+ 44.65 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+36.17 грн
326+ 36 грн
362+ 32.4 грн
365+ 30.94 грн
500+ 26.38 грн
1000+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 324
IRFL210TRPBF VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.98 грн
15+ 50.01 грн
100+ 42.16 грн
500+ 38.39 грн
1000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.8 грн
10+ 48.54 грн
100+ 37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL210TRPBF-BE3 sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.16 грн
10+ 44.65 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL210TRPBF-BE3 sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.8 грн
10+ 48.92 грн
100+ 37.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF VISH-S-A0012362798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL214TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 790mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.2 грн
500+ 44.31 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.03 грн
15+ 39.66 грн
25+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.36 грн
10+ 59.93 грн
100+ 43 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFL214TRPBF VISH-S-A0012362798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL214TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 790mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.28 грн
50+ 57.28 грн
100+ 49.2 грн
500+ 44.31 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.03 грн
10+ 71.21 грн
100+ 55.37 грн
500+ 44.04 грн
1000+ 35.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL214TRPBF-BE3 sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.03 грн
10+ 71.21 грн
100+ 55.37 грн
500+ 44.04 грн
1000+ 35.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL214TRPBF-BE3 sihfl214.pdf
IRFL214TRPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.24 грн
10+ 75.58 грн
100+ 50.73 грн
500+ 43.07 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFL4105TR IRFL4105.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4105 TIRFL4105
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.9 грн
12+ 30.96 грн
25+ 27.31 грн
36+ 22.71 грн
97+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.68 грн
7+ 38.58 грн
25+ 32.78 грн
36+ 27.25 грн
97+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL4105TRPBF irfl4105.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF irfl4105.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL4105TRPBF irfl4105.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.37 грн
5000+ 19.18 грн
10000+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF irfl4105.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL4105TRPBF irfl4105.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
374+31.36 грн
436+ 26.88 грн
440+ 26.61 грн
526+ 21.49 грн
Мінімальне замовлення: 374
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]