Результат пошуку "irfp2" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP244 Siliconix N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+71.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY IRFP244PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.23 грн
5+ 98.95 грн
11+ 76.11 грн
29+ 71.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY IRFP244PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.07 грн
5+ 123.3 грн
11+ 91.34 грн
29+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+199.71 грн
62+ 189.31 грн
66+ 177.51 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.44 грн
10+ 175.78 грн
25+ 164.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.43 грн
25+ 184.41 грн
100+ 158.06 грн
500+ 145.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.69 грн
10+ 167.29 грн
25+ 142.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY VISH-S-A0014480882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.81 грн
10+ 190.02 грн
100+ 166.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP245 IRFP245 Harris Corporation HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRFP246 IRFP246 Harris Corporation HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250M International Rectifier N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250M Infineon N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.62 грн
5+ 116.25 грн
10+ 87.88 грн
26+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+162.74 грн
5+ 144.86 грн
10+ 105.45 грн
26+ 99.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+133.97 грн
103+ 113.12 грн
126+ 92.62 грн
250+ 83.68 грн
400+ 65.79 грн
1200+ 58.43 грн
Мінімальне замовлення: 87
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.82 грн
10+ 134.13 грн
100+ 89.42 грн
500+ 77.5 грн
1000+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+66.85 грн
183+ 63.75 грн
205+ 56.85 грн
213+ 52.77 грн
500+ 48.77 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-3363215.pdf MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.72 грн
10+ 128.33 грн
100+ 93.66 грн
250+ 93 грн
400+ 68.42 грн
1200+ 66.09 грн
2800+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.11 грн
25+ 125.99 грн
100+ 103.67 грн
500+ 82.32 грн
1000+ 69.85 грн
2000+ 66.36 грн
5000+ 62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124.38 грн
10+ 105.02 грн
100+ 85.98 грн
250+ 77.68 грн
400+ 61.07 грн
1200+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250N International Rectifier description N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.33 грн
5+ 150.84 грн
7+ 121.09 грн
19+ 114.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.39 грн
5+ 187.97 грн
7+ 145.31 грн
19+ 137 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.03 грн
67+ 176.24 грн
70+ 166.87 грн
100+ 137.94 грн
400+ 98.57 грн
1200+ 88.08 грн
2800+ 83.48 грн
5200+ 81.97 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.66 грн
127+ 91.87 грн
135+ 86.84 грн
200+ 83.08 грн
800+ 70.17 грн
1600+ 63.04 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+176.55 грн
70+ 167.13 грн
100+ 138.12 грн
400+ 98.67 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.59 грн
10+ 163.93 грн
25+ 155.19 грн
100+ 128.26 грн
400+ 91.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+129.82 грн
91+ 128.52 грн
95+ 123.11 грн
106+ 106.67 грн
400+ 82.04 грн
500+ 77.97 грн
1000+ 77.04 грн
1200+ 72.89 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.33 грн
10+ 173.62 грн
100+ 116.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.52 грн
10+ 119.31 грн
25+ 114.29 грн
100+ 99.03 грн
400+ 76.16 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 71.52 грн
1200+ 67.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.73 грн
25+ 148.27 грн
100+ 127.08 грн
500+ 106.01 грн
1000+ 90.77 грн
2000+ 85.47 грн
5000+ 80.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN-3363460.pdf description MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.39 грн
10+ 193.27 грн
25+ 140.16 грн
100+ 118.24 грн
400+ 92.33 грн
1200+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.31 грн
10+ 163.65 грн
25+ 154.95 грн
100+ 128.08 грн
400+ 91.53 грн
1200+ 81.79 грн
2800+ 77.52 грн
5200+ 76.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.25 грн
5+ 96.87 грн
11+ 77.5 грн
29+ 73.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+139.49 грн
5+ 120.72 грн
11+ 93 грн
29+ 88.01 грн
500+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+187.01 грн
400+ 171.71 грн
800+ 160.61 грн
1200+ 146.85 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.65 грн
10+ 154.67 грн
25+ 149.77 грн
100+ 134.34 грн
250+ 123.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+190.24 грн
70+ 166.56 грн
73+ 161.29 грн
100+ 144.67 грн
250+ 132.64 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.8 грн
25+ 194.99 грн
100+ 167.13 грн
500+ 139.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.66 грн
10+ 197.85 грн
25+ 157.43 грн
100+ 154.77 грн
500+ 145.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250S2453 IRFP250S2453 Harris Corporation Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP251 IRFP251 Harris Corporation HRISSD89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+136.57 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFP254B IRFP254B Fairchild Semiconductor FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+44.4 грн
Мінімальне замовлення: 452
IRFP254B ONSEMI FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 544
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY IRFP254.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.99 грн
5+ 129.39 грн
8+ 102.41 грн
22+ 96.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY IRFP254.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+185.99 грн
5+ 161.24 грн
8+ 122.89 грн
22+ 116.25 грн
500+ 115.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY VISH-S-A0014480852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.3 грн
10+ 175.11 грн
100+ 154.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.85 грн
25+ 146.44 грн
100+ 125.52 грн
500+ 115.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.04 грн
10+ 228.41 грн
25+ 163.41 грн
100+ 148.13 грн
250+ 145.47 грн
500+ 134.18 грн
1000+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+212.68 грн
59+ 200.71 грн
71+ 165.22 грн
100+ 148.83 грн
250+ 136.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+197.44 грн
10+ 186.34 грн
25+ 153.38 грн
100+ 138.17 грн
250+ 126.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+106.18 грн
111+ 105.32 грн
113+ 103.23 грн
Мінімальне замовлення: 110
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.05 грн
6+ 98.59 грн
10+ 97.8 грн
25+ 92.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP260M International Rectifier Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP244
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+71.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP244PBF IRFP244PBF.pdf
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.23 грн
5+ 98.95 грн
11+ 76.11 грн
29+ 71.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF.pdf
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.07 грн
5+ 123.3 грн
11+ 91.34 грн
29+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+199.71 грн
62+ 189.31 грн
66+ 177.51 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+185.44 грн
10+ 175.78 грн
25+ 164.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP244PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.43 грн
25+ 184.41 грн
100+ 158.06 грн
500+ 145.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP244PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.69 грн
10+ 167.29 грн
25+ 142.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF VISH-S-A0014480882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+260.81 грн
10+ 190.02 грн
100+ 166.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP245 HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP245
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+103.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRFP246 HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP246
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250M
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250M
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.62 грн
5+ 116.25 грн
10+ 87.88 грн
26+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.74 грн
5+ 144.86 грн
10+ 105.45 грн
26+ 99.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+133.97 грн
103+ 113.12 грн
126+ 92.62 грн
250+ 83.68 грн
400+ 65.79 грн
1200+ 58.43 грн
Мінімальне замовлення: 87
IRFP250MPBF INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+181.82 грн
10+ 134.13 грн
100+ 89.42 грн
500+ 77.5 грн
1000+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+66.85 грн
183+ 63.75 грн
205+ 56.85 грн
213+ 52.77 грн
500+ 48.77 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRFP250MPBF Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-3363215.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.72 грн
10+ 128.33 грн
100+ 93.66 грн
250+ 93 грн
400+ 68.42 грн
1200+ 66.09 грн
2800+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.11 грн
25+ 125.99 грн
100+ 103.67 грн
500+ 82.32 грн
1000+ 69.85 грн
2000+ 66.36 грн
5000+ 62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.38 грн
10+ 105.02 грн
100+ 85.98 грн
250+ 77.68 грн
400+ 61.07 грн
1200+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+180.33 грн
5+ 150.84 грн
7+ 121.09 грн
19+ 114.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.39 грн
5+ 187.97 грн
7+ 145.31 грн
19+ 137 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+178.03 грн
67+ 176.24 грн
70+ 166.87 грн
100+ 137.94 грн
400+ 98.57 грн
1200+ 88.08 грн
2800+ 83.48 грн
5200+ 81.97 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+108.66 грн
127+ 91.87 грн
135+ 86.84 грн
200+ 83.08 грн
800+ 70.17 грн
1600+ 63.04 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+176.55 грн
70+ 167.13 грн
100+ 138.12 грн
400+ 98.67 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+165.59 грн
10+ 163.93 грн
25+ 155.19 грн
100+ 128.26 грн
400+ 91.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+129.82 грн
91+ 128.52 грн
95+ 123.11 грн
106+ 106.67 грн
400+ 82.04 грн
500+ 77.97 грн
1000+ 77.04 грн
1200+ 72.89 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRFP250NPBF description INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+218.33 грн
10+ 173.62 грн
100+ 116.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+120.52 грн
10+ 119.31 грн
25+ 114.29 грн
100+ 99.03 грн
400+ 76.16 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 71.52 грн
1200+ 67.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.73 грн
25+ 148.27 грн
100+ 127.08 грн
500+ 106.01 грн
1000+ 90.77 грн
2000+ 85.47 грн
5000+ 80.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN-3363460.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.39 грн
10+ 193.27 грн
25+ 140.16 грн
100+ 118.24 грн
400+ 92.33 грн
1200+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+165.31 грн
10+ 163.65 грн
25+ 154.95 грн
100+ 128.08 грн
400+ 91.53 грн
1200+ 81.79 грн
2800+ 77.52 грн
5200+ 76.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.25 грн
5+ 96.87 грн
11+ 77.5 грн
29+ 73.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+139.49 грн
5+ 120.72 грн
11+ 93 грн
29+ 88.01 грн
500+ 86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+187.01 грн
400+ 171.71 грн
800+ 160.61 грн
1200+ 146.85 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+176.65 грн
10+ 154.67 грн
25+ 149.77 грн
100+ 134.34 грн
250+ 123.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+190.24 грн
70+ 166.56 грн
73+ 161.29 грн
100+ 144.67 грн
250+ 132.64 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRFP250PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.8 грн
25+ 194.99 грн
100+ 167.13 грн
500+ 139.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.66 грн
10+ 197.85 грн
25+ 157.43 грн
100+ 154.77 грн
500+ 145.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250S2453
IRFP250S2453
Виробник: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP251 HRISSD89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP251
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+136.57 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFP254B FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP254B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+44.4 грн
Мінімальне замовлення: 452
IRFP254B FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 544
IRFP254PBF IRFP254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.99 грн
5+ 129.39 грн
8+ 102.41 грн
22+ 96.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.99 грн
5+ 161.24 грн
8+ 122.89 грн
22+ 116.25 грн
500+ 115.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF VISH-S-A0014480852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+262.3 грн
10+ 175.11 грн
100+ 154.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP254PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.85 грн
25+ 146.44 грн
100+ 125.52 грн
500+ 115.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP254PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.04 грн
10+ 228.41 грн
25+ 163.41 грн
100+ 148.13 грн
250+ 145.47 грн
500+ 134.18 грн
1000+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+212.68 грн
59+ 200.71 грн
71+ 165.22 грн
100+ 148.83 грн
250+ 136.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+197.44 грн
10+ 186.34 грн
25+ 153.38 грн
100+ 138.17 грн
250+ 126.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+106.18 грн
111+ 105.32 грн
113+ 103.23 грн
Мінімальне замовлення: 110
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.05 грн
6+ 98.59 грн
10+ 97.8 грн
25+ 92.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP260M
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]