Результат пошуку "irfp4" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 101
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 81
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 59
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 77
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - MOSFET, N-KANAL, 75V, 350A, TO-247AC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440 | Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 97A 100V 230W 0.009Ω IRFP4410Z TIRFP4410z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4410ZPBF | IR | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | SP005732695 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP4468PBFXKMA1 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFP4468PBFXKMA1 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP448PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP448PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450 | Siliconix |
N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450 | Siliconix |
N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450A | Siliconix |
N-MOSFET 14A 500V 190W 0.4Ohm IRFP450A TIRFP450a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 855 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 2251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450LC | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450LC | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP450LCPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 607.16 грн |
3+ | 341.45 грн |
9+ | 310.54 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 277.41 грн |
10+ | 259.98 грн |
25+ | 257.99 грн |
50+ | 240.65 грн |
100+ | 212.54 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 375.82 грн |
34+ | 350.36 грн |
40+ | 297.81 грн |
50+ | 277.6 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 347.53 грн |
10+ | 324.4 грн |
25+ | 276.54 грн |
50+ | 257.77 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - MOSFET, N-KANAL, 75V, 350A, TO-247AC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - MOSFET, N-KANAL, 75V, 350A, TO-247AC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 637.86 грн |
5+ | 558.13 грн |
10+ | 462.75 грн |
50+ | 384.72 грн |
100+ | 328.3 грн |
250+ | 305.94 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 298.05 грн |
42+ | 278.59 грн |
43+ | 276.3 грн |
50+ | 257.73 грн |
100+ | 227.63 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel Power MOSFET
N-Channel Power MOSFET
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.64 грн |
IRFP440 |
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
101+ | 199.81 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 119.23 грн |
5+ | 99.64 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 143.07 грн |
5+ | 124.17 грн |
10+ | 99.64 грн |
27+ | 94.66 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 64.86 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP440PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 217.72 грн |
25+ | 166.29 грн |
100+ | 142.53 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 128.47 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.09 грн |
10+ | 184.1 грн |
25+ | 146.8 грн |
100+ | 128.87 грн |
250+ | 125.54 грн |
500+ | 120.23 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 248.14 грн |
10+ | 171.39 грн |
100+ | 146.8 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
81+ | 144.56 грн |
86+ | 135.83 грн |
IRFP440PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 121.41 грн |
IRFP4410Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 97A 100V 230W 0.009Ω IRFP4410Z TIRFP4410z
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 97A 100V 230W 0.009Ω IRFP4410Z TIRFP4410z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 95.87 грн |
IRFP4410ZPBF |
Виробник: IR
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.51 грн |
10+ | 101.42 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 602.09 грн |
2+ | 428.31 грн |
6+ | 404.78 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 502.01 грн |
10+ | 412.51 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 722.51 грн |
2+ | 533.74 грн |
6+ | 485.74 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 565.63 грн |
27+ | 431.74 грн |
50+ | 383.23 грн |
100+ | 352.7 грн |
200+ | 313.58 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 579.15 грн |
25+ | 445.44 грн |
100+ | 398.56 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 592.79 грн |
27+ | 431.74 грн |
50+ | 383.23 грн |
100+ | 347.09 грн |
200+ | 303.19 грн |
800+ | 271.1 грн |
1600+ | 253.64 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 503.73 грн |
5+ | 448.59 грн |
10+ | 392.7 грн |
50+ | 350.81 грн |
100+ | 311.05 грн |
250+ | 293.17 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 551 грн |
10+ | 533.2 грн |
25+ | 380.62 грн |
100+ | 350.73 грн |
250+ | 350.06 грн |
400+ | 314.19 грн |
1200+ | 294.27 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.11 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 497.94 грн |
25+ | 483.78 грн |
29+ | 404.12 грн |
100+ | 366.96 грн |
250+ | 308.77 грн |
400+ | 267.47 грн |
IRFP4468PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 465.59 грн |
10+ | 450.98 грн |
25+ | 377.85 грн |
100+ | 343.06 грн |
250+ | 288.64 грн |
400+ | 250 грн |
IRFP4468PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005732695
SP005732695
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.32 грн |
IRFP4468PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4468PBFXKMA1
IRFP4468PBFXKMA1
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 525.31 грн |
25+ | 469.62 грн |
27+ | 434.02 грн |
100+ | 384.65 грн |
250+ | 345.14 грн |
IRFP4468PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 621.52 грн |
10+ | 524.8 грн |
25+ | 413.83 грн |
100+ | 380.62 грн |
250+ | 357.37 грн |
400+ | 334.79 грн |
1200+ | 301.57 грн |
IRFP4468PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 579.15 грн |
25+ | 445.44 грн |
100+ | 398.56 грн |
IRFP4468PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4468PBFXKMA1
IRFP4468PBFXKMA1
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 490.48 грн |
10+ | 438.49 грн |
25+ | 405.25 грн |
100+ | 359.16 грн |
250+ | 322.26 грн |
IRFP448PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 385.93 грн |
10+ | 320.07 грн |
25+ | 217.88 грн |
100+ | 196.62 грн |
250+ | 188.65 грн |
500+ | 185.33 грн |
1000+ | 176.03 грн |
IRFP448PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 410.58 грн |
10+ | 245.16 грн |
100+ | 213.12 грн |
IRFP450 |
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.61 грн |
IRFP450 |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.61 грн |
IRFP450 |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.24 грн |
IRFP450A |
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 92.97 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193 грн |
8+ | 104.48 грн |
22+ | 98.95 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 231.6 грн |
8+ | 130.2 грн |
22+ | 118.74 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 285.4 грн |
10+ | 190.76 грн |
100+ | 169.9 грн |
500+ | 143.92 грн |
1000+ | 132.21 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 241.01 грн |
10+ | 217.51 грн |
25+ | 178.52 грн |
100+ | 148.03 грн |
250+ | 135.71 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.89 грн |
10+ | 219.24 грн |
25+ | 165.4 грн |
100+ | 142.82 грн |
250+ | 138.83 грн |
500+ | 132.85 грн |
2500+ | 126.21 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 187.44 грн |
66+ | 177.66 грн |
73+ | 159.81 грн |
100+ | 140.93 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 174.05 грн |
10+ | 164.97 грн |
25+ | 147.68 грн |
100+ | 130.03 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 188.17 грн |
10+ | 174.4 грн |
25+ | 150.71 грн |
100+ | 129.79 грн |
250+ | 118.98 грн |
500+ | 101.7 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 198.01 грн |
65+ | 181.82 грн |
100+ | 170.06 грн |
150+ | 155.49 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 263.37 грн |
49+ | 239.35 грн |
57+ | 207.59 грн |
100+ | 172.55 грн |
250+ | 155.61 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.72 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
77+ | 151.87 грн |
IRFP450APBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 252.93 грн |
25+ | 192.97 грн |
IRFP450LC |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 91.78 грн |
IRFP450LC |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 91.78 грн |
IRFP450LCPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.42 грн |
5+ | 104.48 грн |
9+ | 90.64 грн |
25+ | 85.8 грн |
IRFP450LCPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.57 грн |
10+ | 272.99 грн |
25+ | 257.59 грн |
100+ | 230.84 грн |
500+ | 201.52 грн |
1000+ | 166.54 грн |
IRFP450LCPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 465.73 грн |
10+ | 336.81 грн |
100+ | 304.03 грн |