Результат пошуку "irlz" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 156
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 193
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 235
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 119
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 318
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 298
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 109
Мінімальне замовлення: 135
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 82
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 211
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 800
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 36800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 36800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 29814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 6456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 3254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ34SPBF | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44N | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44N | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 100070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
на замовлення 28744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 13181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NPBF; 41A; 55V; 83W; 22MR; N-канальный; HEXFET, logic level; Корпус: TO-220; IR |
на замовлення 45 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRL | Infineon |
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
на замовлення 5088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44Z | International Rectifier |
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 35 грн |
1600+ | 33.34 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
156+ | 74.81 грн |
168+ | 69.47 грн |
200+ | 58.5 грн |
211+ | 53.33 грн |
500+ | 49.29 грн |
1000+ | 42.74 грн |
1600+ | 41.75 грн |
3200+ | 40.08 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 68.12 грн |
11+ | 56.24 грн |
25+ | 55.68 грн |
100+ | 42.33 грн |
250+ | 37.68 грн |
500+ | 31.64 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 103.58 грн |
10+ | 80.48 грн |
50+ | 69.75 грн |
100+ | 54.73 грн |
250+ | 49.5 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 60.56 грн |
195+ | 59.96 грн |
246+ | 47.34 грн |
256+ | 43.9 грн |
500+ | 35.49 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 27.06 грн |
1600+ | 26.79 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 21.16 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 54.73 грн |
250+ | 49.5 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
235+ | 49.67 грн |
246+ | 47.35 грн |
274+ | 42.6 грн |
276+ | 40.7 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 29814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.67 грн |
10+ | 51.13 грн |
100+ | 39.77 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.2 грн |
10+ | 56.07 грн |
100+ | 37.86 грн |
500+ | 36.53 грн |
800+ | 33.08 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 143.07 грн |
10+ | 117.74 грн |
25+ | 112.52 грн |
50+ | 98.95 грн |
100+ | 87.5 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.03 грн |
50+ | 96.98 грн |
100+ | 79.79 грн |
500+ | 63.37 грн |
1000+ | 53.77 грн |
2000+ | 51.08 грн |
5000+ | 48.35 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
119+ | 98.2 грн |
136+ | 85.71 грн |
151+ | 77.52 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.67 грн |
10+ | 94.72 грн |
100+ | 69.08 грн |
250+ | 66.09 грн |
500+ | 59.52 грн |
1000+ | 53.74 грн |
2000+ | 51.94 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 91.19 грн |
10+ | 79.54 грн |
100+ | 71.99 грн |
IRLZ34PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRLZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 135.62 грн |
10+ | 100.6 грн |
100+ | 81.22 грн |
IRLZ34PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.44 грн |
10+ | 93.96 грн |
100+ | 69.08 грн |
250+ | 67.09 грн |
500+ | 57.99 грн |
1000+ | 50.82 грн |
IRLZ34PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.03 грн |
50+ | 96.98 грн |
100+ | 79.79 грн |
500+ | 63.37 грн |
1000+ | 53.77 грн |
2000+ | 51.08 грн |
IRLZ34SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.12 грн |
50+ | 108.4 грн |
100+ | 89.19 грн |
500+ | 70.82 грн |
1000+ | 60.09 грн |
IRLZ34SPBF |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch
MOSFET 60V 5mOhms@60V 30A N-Ch
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.57 грн |
10+ | 119.17 грн |
100+ | 85.03 грн |
250+ | 81.04 грн |
500+ | 71.74 грн |
1000+ | 61.71 грн |
IRLZ44N |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 30.7 грн |
IRLZ44N |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Substitute: IRLZ44N; IRLZ44N TIRLZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 30.7 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.83 грн |
8+ | 44.08 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.79 грн |
5+ | 54.93 грн |
10+ | 42.6 грн |
26+ | 37.61 грн |
72+ | 35.54 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
318+ | 36.67 грн |
332+ | 35.12 грн |
338+ | 34.54 грн |
500+ | 33.12 грн |
1000+ | 29.89 грн |
2000+ | 28.11 грн |
4000+ | 27.86 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 101.34 грн |
10+ | 76.01 грн |
100+ | 56.11 грн |
250+ | 46.36 грн |
500+ | 37.49 грн |
1000+ | 30.4 грн |
3000+ | 29.13 грн |
13000+ | 27.78 грн |
25000+ | 26.51 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 39.32 грн |
100+ | 37.28 грн |
500+ | 33.53 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.25 грн |
10+ | 66.76 грн |
100+ | 42.78 грн |
500+ | 37.93 грн |
1000+ | 32.55 грн |
2000+ | 31.62 грн |
5000+ | 30.89 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 13181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.23 грн |
50+ | 66.38 грн |
100+ | 52.6 грн |
500+ | 41.84 грн |
1000+ | 34.08 грн |
2000+ | 32.09 грн |
5000+ | 30.06 грн |
10000+ | 28.67 грн |
IRLZ44NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
298+ | 39.13 грн |
303+ | 38.53 грн |
500+ | 35.81 грн |
IRLZ44NPBF; 41A; 55V; 83W; 22MR; N-канальный; HEXFET, logic level; Корпус: TO-220; IR |
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.26 грн |
IRLZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.41 грн |
IRLZ44NSTRL |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω IRLZ44NS smd TIRLZ44ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.41 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.95 грн |
10+ | 86.32 грн |
100+ | 54.07 грн |
500+ | 53.47 грн |
800+ | 40.12 грн |
2400+ | 39.19 грн |
4800+ | 37.33 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 55.64 грн |
1600+ | 43.64 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 94.47 грн |
10+ | 80.22 грн |
25+ | 78.83 грн |
100+ | 56.13 грн |
250+ | 34.75 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 107.69 грн |
111+ | 105.75 грн |
149+ | 78.2 грн |
200+ | 70.45 грн |
500+ | 47.73 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
135+ | 86.39 грн |
138+ | 84.9 грн |
186+ | 62.69 грн |
272+ | 41.35 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 81.23 грн |
100+ | 63.21 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.73 грн |
6+ | 67.81 грн |
10+ | 59.51 грн |
16+ | 52.59 грн |
43+ | 49.82 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 95.68 грн |
4+ | 84.5 грн |
10+ | 71.41 грн |
16+ | 63.1 грн |
43+ | 59.78 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.99 грн |
10+ | 127.57 грн |
100+ | 96.32 грн |
250+ | 91.67 грн |
500+ | 83.7 грн |
1000+ | 72.4 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 187.78 грн |
10+ | 160.21 грн |
25+ | 149.78 грн |
50+ | 129.39 грн |
100+ | 109.86 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRLZ44PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 163.19 грн |
10+ | 124.44 грн |
IRLZ44PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.1 грн |
50+ | 144.07 грн |
100+ | 118.54 грн |
500+ | 94.13 грн |
1000+ | 79.87 грн |
IRLZ44PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.07 грн |
10+ | 126.81 грн |
100+ | 93.66 грн |
250+ | 89.01 грн |
500+ | 81.04 грн |
1000+ | 72.4 грн |
IRLZ44PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.1 грн |
50+ | 144.07 грн |
100+ | 118.54 грн |
500+ | 94.13 грн |
IRLZ44SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.6 грн |
50+ | 151.02 грн |
100+ | 129.44 грн |
500+ | 107.98 грн |
IRLZ44SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 131.89 грн |
10+ | 127.14 грн |
25+ | 117.41 грн |
100+ | 105.98 грн |
500+ | 94.92 грн |
IRLZ44SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.79 грн |
10+ | 189.45 грн |
25+ | 136.17 грн |
100+ | 118.24 грн |
250+ | 114.92 грн |
500+ | 105.62 грн |
1000+ | 96.98 грн |
IRLZ44SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
82+ | 142.04 грн |
86+ | 136.91 грн |
93+ | 126.44 грн |
100+ | 114.14 грн |
500+ | 102.22 грн |
IRLZ44STRRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.34 грн |
10+ | 175.7 грн |
25+ | 144.81 грн |
100+ | 123.55 грн |
250+ | 116.91 грн |
500+ | 99.64 грн |
800+ | 88.35 грн |
IRLZ44Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 51A 55V 80W 0.0135Ω IRLZ44Z TIRLZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.07 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.16 грн |
10+ | 77.77 грн |
100+ | 60.49 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 39.04 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 88.67 грн |
11+ | 69.45 грн |
50+ | 59.09 грн |
100+ | 45.25 грн |
250+ | 40.94 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
211+ | 55.26 грн |
216+ | 54.12 грн |
227+ | 51.36 грн |
302+ | 37.21 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 57.08 грн |
12+ | 51.53 грн |
25+ | 50.26 грн |
100+ | 45.99 грн |
250+ | 31.99 грн |
IRLZ44ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 53.24 грн |