Результат пошуку "n2907" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN2907ADZ |
на замовлення 799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AG |
 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| PN2907AGSOT-89T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AGTO-92 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AGTO-92T/B |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AJ05ZSPECFLOW | Fairchild |
на замовлення 20965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| PN2907AL-AB |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AL-AB3-R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907ALSOT-89T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907ALTO-92 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907ALTO-92T/B |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907AT93 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| PN2907ATA | Fairchild |
|
на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| PN2907ATAR |
|
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| PN2907ATFR | Fairchild |
|
на замовлення 194000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| RN2907 | TOSHIBA |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| RN2907 | TOSHIBA | 02+ SOT-323-6 |
на замовлення 11800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| RN2907-T1 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| RN2907/YH |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| RN2907FE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| ST2N2907Fe |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STN2907 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STN2907-A-T |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STN2907A | AUK | SOT23 06+ |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907A-AT |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STN2907AS | AUK |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STN2907AS | AUK | 00+ SOT-23 |
на замовлення 3999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907AS | AUK | 09+ |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907ASF | AUK | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907S/MMBT2907A | AUK | 06+ SOT-23 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907SF | AUK | SOT23-GA |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STN2907SF SOT23-GA | AUK |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STN2907SFSOT23-GA | AUK |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| TN2907A |
|
на замовлення 2656 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| Транзистор 2N2907 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SB1197 T146R | ROHM | SOT23-GA STN2907 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
MMBT2907A Код товару: 83731 |
ST |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A |
товар відсутній
|
|||||||||||
,TO-226_bentlead.jpg "P2N2907ARL1G") |
P2N2907ARL1G Код товару: 53403 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||
|
PN2907A Код товару: 170232 |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
RY-01-10A-280C Код товару: 197779 |
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
TPN2907A Код товару: 187366 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
|
2N2907 | CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2N2907 | Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
2N2907A | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
2N2907A | Micro Commercial Co |
Description: BJT TO92 60V PNP 0.625W 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
2N2907A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907A | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
2N2907AE3 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907AE3 | Microchip Technology |
BJTs |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N2907AE3 | Microchip Technology |
Small-Signal BJT |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N2907AE3/TR | Microchip Technology |
BJTs |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
2N2907AE4 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907AE4 | Microchip Technology |
Transistor PNP TO18 |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
2N2907AL | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
2N2907AL | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товар відсутній |
|||||||||||
| 2N2907AP | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N2907ARUBG | STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
товар відсутній |
||||||||||||
| 2N2907ARUBT | STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray |
товар відсутній |
| 2SB1197 T146R |
Виробник: ROHM
SOT23-GA STN2907
SOT23-GA STN2907
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| MMBT2907A Код товару: 83731 |
|
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,6 A
товар відсутній
| PN2907A Код товару: 170232 |
|
товар відсутній
| RY-01-10A-280C Код товару: 197779 |
товар відсутній
| 2N2907 |
|
Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.49 грн |
| 7+ | 40.87 грн |
| 25+ | 23.58 грн |
| 56+ | 17.69 грн |
| 152+ | 16.69 грн |
| 2N2907 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
| 2N2907 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
товар відсутній
| 2N2907A |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
| 2N2907A |
|
Виробник: Micro Commercial Co
Description: BJT TO92 60V PNP 0.625W 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
Description: BJT TO92 60V PNP 0.625W 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товар відсутній
| 2N2907A |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
| 2N2907A |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
| 2N2907A |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
| 2N2907AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
| 2N2907AE4 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
| 2N2907AL |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
| 2N2907ARUBG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
товар відсутній
| 2N2907ARUBT |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
товар відсутній