Результат пошуку "rf740" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF740PBF
Код товару: 162988 		Siliconix 91054.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 554 шт
очікується: 10 шт
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 154285 		Siliconix sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
1+85 грн
10+ 77.5 грн
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 32580 		IR sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
1+62 грн
IRF740 IR 91054.pdf IRF740.pdf Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+61.25 грн
10+ 50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740 Siliconix 91054.pdf IRF740.pdf N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740 HXY MOSFET 91054.pdf IRF740.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7401TR UMW Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7401TR International Rectifier N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7401TR-VB VBsemi N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TR Infineon irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.82 грн
10+ 57.71 грн
100+ 44.89 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.09 грн
2000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7403_DataSheet_v01_01_EN-3362845.pdf MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.95 грн
10+ 61.62 грн
100+ 42.81 грн
500+ 36.28 грн
1000+ 29.62 грн
2000+ 27.87 грн
4000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.31 грн
8000+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404PBF International Rectifier/Infineon irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
38+16.68 грн
41+ 15.57 грн
100+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRF7404TR International Rectifier P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7404TR International Rectifier P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.37 грн
8000+ 22.23 грн
12000+ 20.58 грн
28000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 36062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+ 53.5 грн
100+ 37.05 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 24.72 грн
2000+ 22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7404_DataSheet_v01_01_EN-3363058.pdf description MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
на замовлення 13009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.02 грн
10+ 38.17 грн
100+ 26.66 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 22.01 грн
2000+ 21.07 грн
4000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7406PBF International Rectifier/Infineon irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa description P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRF7406TR JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR International Rectifier P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7406TRPBF International Rectifier/Infineon irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa description P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+42.34 грн
16+ 39.51 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.27 грн
10+ 94.67 грн
11+ 77.13 грн
30+ 73.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+135.93 грн
10+ 117.97 грн
11+ 92.56 грн
30+ 88.35 грн
1000+ 84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.73 грн
50+ 110.37 грн
100+ 90.81 грн
500+ 76.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.55 грн
10+ 150.19 грн
100+ 111.07 грн
250+ 107.71 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 84.15 грн
5000+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.33 грн
10+ 65.91 грн
14+ 59.6 грн
39+ 56.1 грн
250+ 55.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740APBF Vishay/IR 91051.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.57 грн
100+ 58.11 грн
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 886 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.63 грн
10+ 79.1 грн
14+ 71.52 грн
39+ 67.32 грн
250+ 66.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Semiconductors 91051.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.38 грн
10+ 99.87 грн
100+ 73.38 грн
250+ 70.68 грн
500+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF IRF740APBF Vishay 91051.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.78 грн
50+ 141.3 грн
100+ 116.25 грн
500+ 92.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91051.pdf MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.02 грн
10+ 96.77 грн
100+ 66.98 грн
250+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.78 грн
50+ 141.3 грн
100+ 116.25 грн
500+ 92.31 грн
1000+ 78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.42 грн
5+ 82.74 грн
10+ 72.93 грн
14+ 63.11 грн
37+ 59.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.11 грн
10+ 87.51 грн
14+ 75.73 грн
37+ 71.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 35784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.5 грн
10+ 112.25 грн
100+ 84.15 грн
250+ 82.8 грн
500+ 78.09 грн
1000+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.4 грн
50+ 131.73 грн
100+ 108.38 грн
500+ 86.07 грн
1000+ 73.03 грн
2000+ 69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.14 грн
10+ 133.23 грн
14+ 58.9 грн
39+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.36 грн
10+ 166.03 грн
14+ 70.68 грн
39+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.02 грн
10+ 109.16 грн
100+ 80.78 грн
250+ 78.09 грн
800+ 77.42 грн
9600+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.76 грн
10+ 62.41 грн
17+ 51.19 грн
45+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 849 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+89.71 грн
10+ 77.77 грн
17+ 61.43 грн
45+ 58.06 грн
1000+ 55.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay Semiconductors irf740b.pdf MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.6 грн
10+ 78.19 грн
100+ 54.12 грн
500+ 49.41 грн
1000+ 39.38 грн
2500+ 37.09 грн
5000+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay Siliconix irf740b.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.58 грн
50+ 75.55 грн
100+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740HPBF IRF740HPBF Vishay MOSFET HV Power MOSFET 400 V (D-S) 150 C MOSFET 0.55 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
3+111.52 грн
10+ 90.58 грн
100+ 61.6 грн
500+ 52.24 грн
1000+ 42.48 грн
2000+ 39.99 грн
5000+ 38.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.9 грн
10+ 51.89 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.4 грн
10+ 62.27 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.81 грн
50+ 106.6 грн
100+ 91.37 грн
500+ 83.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay 91053.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.84 грн
10+ 176.51 грн
25+ 128.58 грн
100+ 113.77 грн
250+ 111.75 грн
500+ 103.67 грн
1000+ 90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91053.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.07 грн
50+ 151.65 грн
100+ 129.99 грн
500+ 108.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740PBF
Код товару: 162988		 91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 554 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF740SPBF
Код товару: 154285		 sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
10+ 77.5 грн
IRF740SPBF
Код товару: 32580		 sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+62 грн
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.25 грн
10+ 50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7401TR
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7401TR
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7401TR-VB
Виробник: VBsemi
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TR irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
Виробник: Infineon
N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.82 грн
10+ 57.71 грн
100+ 44.89 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.09 грн
2000+ 27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7403TRPBF irf7403.pdf
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7403TRPBF Infineon_IRF7403_DataSheet_v01_01_EN-3362845.pdf
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.95 грн
10+ 61.62 грн
100+ 42.81 грн
500+ 36.28 грн
1000+ 29.62 грн
2000+ 27.87 грн
4000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.31 грн
8000+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404PBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+16.68 грн
41+ 15.57 грн
100+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRF7404TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7404TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.37 грн
8000+ 22.23 грн
12000+ 20.58 грн
28000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 36062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.08 грн
10+ 53.5 грн
100+ 37.05 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 24.72 грн
2000+ 22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404TRPBF description Infineon_IRF7404_DataSheet_v01_01_EN-3363058.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
на замовлення 13009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.02 грн
10+ 38.17 грн
100+ 26.66 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 22.01 грн
2000+ 21.07 грн
4000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7406PBF description irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRF7406TR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7406TRPBF description irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.34 грн
16+ 39.51 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+113.27 грн
10+ 94.67 грн
11+ 77.13 грн
30+ 73.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.93 грн
10+ 117.97 грн
11+ 92.56 грн
30+ 88.35 грн
1000+ 84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.73 грн
50+ 110.37 грн
100+ 90.81 грн
500+ 76.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.55 грн
10+ 150.19 грн
100+ 111.07 грн
250+ 107.71 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 84.15 грн
5000+ 81.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740AP
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.33 грн
10+ 65.91 грн
14+ 59.6 грн
39+ 56.1 грн
250+ 55.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740APBF 91051.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.57 грн
100+ 58.11 грн
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 886 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.63 грн
10+ 79.1 грн
14+ 71.52 грн
39+ 67.32 грн
250+ 66.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.38 грн
10+ 99.87 грн
100+ 73.38 грн
250+ 70.68 грн
500+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.78 грн
50+ 141.3 грн
100+ 116.25 грн
500+ 92.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.02 грн
10+ 96.77 грн
100+ 66.98 грн
250+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.78 грн
50+ 141.3 грн
100+ 116.25 грн
500+ 92.31 грн
1000+ 78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.42 грн
5+ 82.74 грн
10+ 72.93 грн
14+ 63.11 грн
37+ 59.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.11 грн
10+ 87.51 грн
14+ 75.73 грн
37+ 71.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 35784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.5 грн
10+ 112.25 грн
100+ 84.15 грн
250+ 82.8 грн
500+ 78.09 грн
1000+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.4 грн
50+ 131.73 грн
100+ 108.38 грн
500+ 86.07 грн
1000+ 73.03 грн
2000+ 69.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+166.14 грн
10+ 133.23 грн
14+ 58.9 грн
39+ 56.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 797 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.36 грн
10+ 166.03 грн
14+ 70.68 грн
39+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.02 грн
10+ 109.16 грн
100+ 80.78 грн
250+ 78.09 грн
800+ 77.42 грн
9600+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+74.76 грн
10+ 62.41 грн
17+ 51.19 грн
45+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 849 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.71 грн
10+ 77.77 грн
17+ 61.43 грн
45+ 58.06 грн
1000+ 55.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.6 грн
10+ 78.19 грн
100+ 54.12 грн
500+ 49.41 грн
1000+ 39.38 грн
2500+ 37.09 грн
5000+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.58 грн
50+ 75.55 грн
100+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740HPBF
IRF740HPBF
Виробник: Vishay
MOSFET HV Power MOSFET 400 V (D-S) 150 C MOSFET 0.55 10V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.52 грн
10+ 90.58 грн
100+ 61.6 грн
500+ 52.24 грн
1000+ 42.48 грн
2000+ 39.99 грн
5000+ 38.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.9 грн
10+ 51.89 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.4 грн
10+ 62.27 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.81 грн
50+ 106.6 грн
100+ 91.37 грн
500+ 83.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.84 грн
10+ 176.51 грн
25+ 128.58 грн
100+ 113.77 грн
250+ 111.75 грн
500+ 103.67 грн
1000+ 90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.07 грн
50+ 151.65 грн
100+ 129.99 грн
500+ 108.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]