Результат пошуку "z29" : 77
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PMZ290UNE2YL | NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 800mA Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
M10 Код товару: 99140 |
QUE |
Модульні елементи > Радіомодулі Функціональний опис: GSM/GPRS SMD module 850/900/1800/1900Mhz 29x29x3.6mm -45..+80 C Габарити: 29x29x3, 6 mm |
товар відсутній
|
|
|
|
MC33172D Код товару: 3066 |
Motorola |
 Мікросхеми > Операційні підсилювачіКорпус: SO-8 Vc, V: 4…44/±2…22 V BW,MHz: 2,1 MHz Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV Температурний діапазон: -40…+85°C Дод.параметри: Rail-to-Rail К-сть каналів: 2 |
товар відсутній
|
| PMZ290UNE2YL |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 800mA
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 800mA
Pulsed drain current: 4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 475mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
| M10 Код товару: 99140 |
Виробник: QUE
Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: GSM/GPRS SMD module 850/900/1800/1900Mhz 29x29x3.6mm -45..+80 C
Габарити: 29x29x3, 6 mm
Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: GSM/GPRS SMD module 850/900/1800/1900Mhz 29x29x3.6mm -45..+80 C
Габарити: 29x29x3, 6 mm
товар відсутній
| MC33172D Код товару: 3066 |
|
|
Виробник: Motorola
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: 4…44/±2…22 V
BW,MHz: 2,1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: 4…44/±2…22 V
BW,MHz: 2,1 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Температурний діапазон: -40…+85°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
товар відсутній
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2